科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“英飛凌具有很好的美譽(yù)度，是我們長(zhǎng)期且優(yōu)質(zhì)的商業(yè)伙伴。這項(xiàng)協(xié)議的簽署，體現(xiàn)了科銳SiC
碳化硅晶圓片技術(shù)的高品質(zhì)和我們的產(chǎn)能擴(kuò)充，同時(shí)將加速SiC
碳化硅基方案更為廣泛的采用，這對(duì)于實(shí)現(xiàn)更快、更小、更輕、更強(qiáng)大的電子系統(tǒng)至關(guān)重要?！?/div>
2018-04-04 09:00:59
8213 內(nèi)交付給ST。 科銳（Cree）與意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有多年長(zhǎng)期碳化硅（SiC）晶圓供應(yīng)協(xié)議至5億多美元。意法半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域。這一延伸協(xié)議是原先協(xié)議價(jià)值的雙倍，科銳將在未來(lái)數(shù)年向意
2019-11-20 10:04:107098 ? 中國(guó)北京，2022 年?5 月?6日?——設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)Soitec 近日發(fā)布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC? 晶圓。這標(biāo)志著 Soitec 公司
2022-05-06 13:48:423097 
碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對(duì)罕見(jiàn)。然而，自從1893年以來(lái)，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過(guò)一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:023024 
法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布與應(yīng)用材料公司啟動(dòng)聯(lián)合項(xiàng)目，展開(kāi)對(duì)新一代碳化硅襯底的研發(fā)。
2019-11-19 14:44:481151 的基本物理學(xué)特性仍然在阻礙著其性能的進(jìn)一步提高，這限制了創(chuàng)新且又簡(jiǎn)單的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用，因而也阻礙了可持續(xù)綠色高效率的拓?fù)浒l(fā)展。本文討論的碳化硅MOSFET技術(shù)在應(yīng)用中同樣也存在挑戰(zhàn)，并非所有碳化硅
2023-03-14 14:05:02
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
，因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻?！ ?4)碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600oC的報(bào)道，而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力?！ ?6
2019-01-11 13:42:03
每小時(shí)幾米。 然而，該工藝不適合SiC體積增長(zhǎng)。對(duì)于碳化硅生產(chǎn)，必須使用稱為物理蒸汽傳輸（PVT）的工藝。該過(guò)程在腔室頂部使用晶種，在其下方有SiC源材料，其加熱溫度約為2000 - 2500°C
2023-02-24 15:03:59
領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快，工程師們?cè)絹?lái)越多地在尋找新的解決方案，并對(duì)技術(shù)提出更多的要求，以滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求。碳化硅半導(dǎo)體是滿足這些需求的優(yōu)選答案，其本身也在不斷改進(jìn)，以期提供與舊技術(shù)相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車(chē)走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，可以用來(lái)制造
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點(diǎn)噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹(shù)脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13
碳化硅的顏色，純凈者無(wú)色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無(wú)
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二極管關(guān)鍵參數(shù)解讀 從應(yīng)用角度來(lái)說(shuō)，在選擇器件時(shí)，需要優(yōu)先考慮器件能否滿足應(yīng)用要求，然后考慮器件對(duì)設(shè)備整體性能的提升幅度，綜合這兩個(gè)因素，列舉如下二極管的關(guān)鍵參數(shù)： 浪涌電流能力
2023-02-28 16:55:45
、10A、15A三等級(jí)電流測(cè)試中，碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)電流比硅快恢復(fù)二極管小，有利提升產(chǎn)品效率?！ 」杩焖倩謴?fù)二極管（10A） 碳化硅肖特基二極管（10A） 硅快恢復(fù)二極管在5A、10A
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
的影響。電動(dòng)汽車(chē)充電器：適用于電動(dòng)汽車(chē)的極速充電，提高充電效率。工業(yè)自動(dòng)化與測(cè)試：在智能化生產(chǎn)線、檢測(cè)儀器等領(lǐng)域提供可靠的功率兼容。電源系統(tǒng)：為各種通訊設(shè)備提供穩(wěn)定的電源。更多電動(dòng)飛機(jī)和電動(dòng)垂直
2025-06-25 09:13:14
鎵產(chǎn)品線所生產(chǎn)的氮化鎵的相關(guān)器件， 其每瓦特功率的晶圓成本只有相應(yīng)的LDMOS產(chǎn)品的一 半，與基于碳化硅的氮化鎵晶圓相比，在能達(dá)到相同性能的情況下，其量產(chǎn)成本顯著降低。MACOM氮化鎵在成本控制方面
2017-08-30 10:51:37
生長(zhǎng)氮化鎵結(jié)晶，以研發(fā)更高性能的縱型氮化鎵FET。制成的晶圓的電阻約為10-4Ωcm2，遠(yuǎn)低于碳化硅晶圓（10-3Ωcm2左右）、錯(cuò)位密度為104/cm2、氮化鎵膜厚超過(guò)1毫米。研究人員獲得了一塊晶圓
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)，新的航空航天世界在用于電源和電機(jī)控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車(chē)、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車(chē)、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
復(fù)雜的設(shè)計(jì)，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開(kāi)關(guān)碳化硅器件？ 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開(kāi)關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí)，碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場(chǎng)合性價(jià)比更優(yōu)于超結(jié)MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡，具有重要的應(yīng)用價(jià)值，特別適用于對(duì)功率密度提升有需求，同時(shí)更強(qiáng)
2023-02-28 16:48:24
家族中的新成員?！ ∠噍^于前兩代二極管，基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航?。 基本半?dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
10μs，在設(shè)計(jì)硅IGBT的短路保護(hù)電路時(shí)，建議將短路保護(hù)的檢測(cè)延時(shí)和相應(yīng)時(shí)間設(shè)置在5-8μs較為合適?！ ?）碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模塊短路承受能力小于5μs，要求短路保護(hù)在3
2023-02-27 16:03:36
好，硬度大（莫氏硬度為9.5級(jí)，僅次于世界上最硬的金剛石（10級(jí)））、導(dǎo)熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強(qiáng)等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。二、碳化硅半導(dǎo)體器件由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
相較于硅（Si），采用碳化硅（SiC）基材的元件性能優(yōu)勢(shì)十分的顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而，這些優(yōu)勢(shì)卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場(chǎng)規(guī)模，主要的原因就出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不順暢。
2018-10-10 11:06:5629773 華潤(rùn)12吋晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目投資約100億元，建設(shè)國(guó)內(nèi)首座本土企業(yè)的12吋功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
2018-11-08 10:15:139889 Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿足當(dāng)下及未來(lái)消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00871 碳化硅概念股有哪些？碳化硅國(guó)內(nèi)企業(yè)有哪些？國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤(pán)點(diǎn)分析：英飛凌以1.39億美元收購(gòu)初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上，進(jìn)一步加碼
2018-12-06 16:08:00140328 Soitec攜手新傲科技，擴(kuò)大中國(guó)區(qū)200mm SOI晶圓產(chǎn)量，保障未來(lái)增長(zhǎng) 作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司今日與中國(guó)領(lǐng)先的硅基半導(dǎo)體材料企業(yè)上海新傲
2019-02-23 12:08:01596 Cree， Inc. （Nasdaq： CREE）宣布，作為公司長(zhǎng)期增長(zhǎng)戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC（碳化硅）產(chǎn)能，在公司美國(guó)總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動(dòng)化
2019-05-14 10:24:444139 格芯與Soitec簽署多項(xiàng)長(zhǎng)期SOI晶圓供應(yīng)協(xié)議，滿足5G、物聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)增長(zhǎng)性需求，協(xié)議確保了300毫米晶圓的大批量供應(yīng)，以支持眾多快速增長(zhǎng)細(xì)分市場(chǎng)中的各類客戶應(yīng)用。
2019-06-11 09:51:00728 日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個(gè)長(zhǎng)期的300 mm SOI芯片長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議以滿足格芯的客戶對(duì)于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺(tái)日益增長(zhǎng)的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上，此份協(xié)議即刻生效，以確保未來(lái)數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333991 意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。
2020-01-17 09:07:481766 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:406521 設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè) Soitec 宣布，與全球電力和先進(jìn)材料領(lǐng)域?qū)＜颐罓柹_(dá)成戰(zhàn)略合作，攜手為電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)多晶碳化硅（poly-SiC）系列襯底。
2021-12-08 11:18:17972 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）近年來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量不斷增長(zhǎng)，同時(shí)越來(lái)越多車(chē)企將碳化硅產(chǎn)品用于電動(dòng)汽車(chē)上，碳化硅功率半導(dǎo)體的未來(lái)市場(chǎng)被極度看好，為此，近日博世、東芝、羅姆等廠商紛紛表示，將大量擴(kuò)大碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。
2021-12-14 16:52:565079 ? 北京，2022 年 7 月 22 日——作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國(guó) Soitec 半導(dǎo)體公司正式宣布選用 KLA 公司（納斯達(dá)克股票代碼：KLAC）的檢測(cè)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)碳化硅
2022-07-22 11:50:361261 
碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)和新能源等市場(chǎng)的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術(shù)，以制定符合需求的發(fā)展計(jì)劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進(jìn)制造工藝并專注于盡快加速產(chǎn)品在 SiC 領(lǐng)域采用的公司
2022-08-03 10:57:442685 
根據(jù)合作框架協(xié)議，中芯國(guó)際將在當(dāng)?shù)亟ㄔO(shè)12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項(xiàng)目，產(chǎn)品主要應(yīng)用于通訊、汽車(chē)電子、消費(fèi)電子、工業(yè)等領(lǐng)域。項(xiàng)目擬選址西青開(kāi)發(fā)區(qū)賽達(dá)新興產(chǎn)業(yè)園內(nèi)。規(guī)劃建設(shè) 產(chǎn)能為10萬(wàn)片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線，可提供28納米~180納米不同技術(shù) 節(jié)點(diǎn)的晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。
2022-08-29 11:31:413729 最近晶盛機(jī)電宣布，公司成功生產(chǎn)出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體。翻看公司公告，在8月12日晶盛機(jī)電首顆8英寸N型碳化硅晶體就已經(jīng)成功出爐，表示成功解決了8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程中溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問(wèn)題。
2022-09-07 09:29:443278 【2022年9月19日，德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與高意集團(tuán) （納斯達(dá)克代碼：IIVI）簽署了一份多年期碳化硅（SiC）晶圓供應(yīng)協(xié)議
2022-09-20 11:39:121051 
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）與半導(dǎo)體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應(yīng)協(xié)議。
2022-11-09 10:53:291128 隨著用于半導(dǎo)體制造的光刻系統(tǒng)變得越來(lái)越復(fù)雜，組件供應(yīng)商需要能夠提供最高質(zhì)量的產(chǎn)品以滿足芯片生產(chǎn)當(dāng)前和未來(lái)的需求?；谏疃葍?nèi)部研發(fā)，由高性能SiSiC制成，作為輕質(zhì)碳化硅陶瓷基板，實(shí)現(xiàn)了材料特性的最佳平衡，有助于提高芯片質(zhì)量。
2022-12-01 11:10:171694 企業(yè)法國(guó) Soitec 半導(dǎo)體公司正式宣布，雙方在碳化硅襯底領(lǐng)域的合作邁入新階段，意法半導(dǎo)體將在未來(lái) 18 個(gè)月內(nèi)對(duì)
2022-12-05 14:09:42929 
雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證， 以面向未來(lái)的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù)，支持汽車(chē)電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造
2022-12-08 12:22:481145 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:192135 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904 技術(shù)方面，意法半導(dǎo)體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術(shù)合作達(dá)成協(xié)議。意法半導(dǎo)體希望通過(guò)此次合作，使其未來(lái)200mm晶圓生產(chǎn)可以采用Soitec的Smart碳化硅技術(shù)。
2023-02-06 16:25:171392 進(jìn)過(guò)晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過(guò)光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅晶
2023-02-21 10:04:113177 
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-04-23 09:58:272334 
此前影響碳化硅器件放量的主要約束為成本經(jīng)濟(jì)性問(wèn)題，現(xiàn)今隨著晶圓生產(chǎn)制造成本下行、與硅基器件價(jià)差持續(xù)縮小，同時(shí)若考慮散熱系統(tǒng)成本節(jié)約、空間節(jié)約、電驅(qū)系統(tǒng)性能提升和整車(chē)價(jià)值躍升等附加價(jià)值，碳化硅器件已具有一定競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2023-06-08 14:50:371779 
碳化硅硬度高，耐磨性好，碳化硅晶片硬度大，莫氏硬度分布在9.2～9.6之間，化學(xué)穩(wěn)定性高，幾乎不與任何強(qiáng)酸或強(qiáng)堿發(fā)生反應(yīng)，切割劃片很有難度。深圳西斯特科技在碳化硅晶圓切割方面積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，現(xiàn)將
2022-12-08 16:50:464337 
據(jù)悉，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司位于廣州市南沙自貿(mào)區(qū)，是一家面向車(chē)規(guī)級(jí)和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造和研發(fā)企業(yè)，產(chǎn)品主要包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領(lǐng)域。
2023-06-20 11:26:261304 碳化硅晶錠的生長(zhǎng)、切割一直是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的難題，全球僅有少數(shù)幾家公司擁有大尺寸碳化硅晶片的制造能力的只有幾家公司在世界上得到認(rèn)可，wolfspeed作為目前這個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)先者，是唯一一個(gè)8英寸碳化硅晶片
2023-06-28 09:59:391043 長(zhǎng)達(dá) 10 年的供應(yīng)協(xié)議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應(yīng)規(guī)模化生產(chǎn)的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強(qiáng)化公司致力于從硅向碳化硅半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。
2023-07-06 10:36:371106 碳化硅襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門(mén)檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期，受到新能源汽車(chē)、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的推動(dòng)，碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線，。國(guó)內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導(dǎo)體、三星和三菱電機(jī)等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競(jìng)爭(zhēng)。
2023-07-14 16:22:581831 與傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體相比，碳化硅晶圓具有眾多優(yōu)勢(shì)，特別是卓越的能源效率，將有助于擴(kuò)大電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程。此外，這些晶圓能夠在更高的溫度下運(yùn)行，使其非常適合用于逆變器和電源模塊等高功率設(shè)備。
2023-08-03 16:35:051036 碳化硅晶圓是晶體通過(guò)切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來(lái)加工和結(jié)晶。因此，生產(chǎn)碳化硅晶圓的成本是同等級(jí)硅晶圓成本的3倍。
2023-09-22 11:26:43635 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:573651 中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開(kāi)發(fā)，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:366818 
Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊
2023-11-02 09:27:261290 11月上旬，羅姆株式會(huì)社社長(zhǎng)松本功在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上宣布，他們將在日本宮崎縣的國(guó)富工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓，預(yù)計(jì)將于2024年開(kāi)始。
2023-11-25 16:07:341866 晶盛機(jī)電公司決定從2017年開(kāi)始，碳化硅生長(zhǎng)設(shè)備及技術(shù)研發(fā)（r&d）開(kāi)始，通過(guò)研究開(kāi)發(fā)組的技術(shù)攻堅(jiān)，2018年，公司成功開(kāi)發(fā)了6英寸生長(zhǎng)碳化硅決定，2020年長(zhǎng)征及加工研發(fā)試驗(yàn)生產(chǎn)線建立。”
2023-12-06 14:08:171447 在全球范圍內(nèi)，有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊，以下是一些知名的企業(yè)。
2024-01-25 14:01:221856 
英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴(kuò)展并延長(zhǎng)雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。這一合作旨在滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，并提升英飛凌供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。
2024-01-31 17:31:141385 英飛凌科技與Wolfspeed宣布，將擴(kuò)展并延長(zhǎng)他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。經(jīng)過(guò)這次擴(kuò)展，雙方的合作新增了一項(xiàng)多年期產(chǎn)能預(yù)訂協(xié)議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，還能滿足汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用以及儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。
2024-02-02 10:35:331272 今天，美國(guó)能源部（DOE）貸款計(jì)劃辦公室（LPO）宣布向SK Siltron CSS， LLC提供5.44億美元的有條件貸款，以擴(kuò)大美國(guó)電動(dòng)汽車(chē)（EV）電力電子設(shè)備用高質(zhì)量碳化硅（SiC）晶圓的生產(chǎn)。
2024-02-23 14:52:351234 據(jù)了解，該公司乃我國(guó)最大的碳化硅粉體研發(fā)、制造與銷(xiāo)售商，主營(yíng)業(yè)務(wù)包括電子級(jí)高純碳化硅粉體以及碳化硅襯底的生產(chǎn)與銷(xiāo)售。
2024-05-08 16:51:122081 近日，純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開(kāi)展深度合作，共同推動(dòng)碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠，利用Soitec的SmartSiC技術(shù)生產(chǎn)碳化硅功率器件。
2024-05-30 11:39:201194 后，將形成每年6萬(wàn)片6/8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力，為我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入強(qiáng)勁動(dòng)力。來(lái)源：芯聯(lián)集成在全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下，碳化硅(SiC)材料因其獨(dú)特的
2024-05-30 11:24:522315 
以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析： 材料特性： 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)。這使得碳化硅晶圓在高溫、高壓和高頻應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)
2024-08-08 10:13:174710 全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)創(chuàng)新，成功推出了一款專為可再生能源、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計(jì)的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心，實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能飛躍。
2024-09-12 17:13:321309 此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中，我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及碳化硅制造挑戰(zhàn)，本文為白皮書(shū)第二部分，將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美（onsemi）在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)。
2025-01-07 10:18:48917 近日，博世汽車(chē)電子中國(guó)區(qū)（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)基地，并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要一步，也進(jìn)一步提升了本土市場(chǎng)的響應(yīng)速度，增強(qiáng)了博世智能出行集團(tuán)的競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-03-06 18:09:291115 01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過(guò)程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19961 了國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)應(yīng)用的空白，更為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵制造裝備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力，同時(shí)也為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)突破成本瓶頸、提升生產(chǎn)效率開(kāi)辟了創(chuàng)新路徑。 此前，該激光剝離技術(shù)已在6英寸、8英寸碳化硅晶圓加工領(lǐng)域通過(guò)了多家行
2025-09-10 09:12:481432 天岳先進(jìn)上海工廠產(chǎn)品交付儀式舉辦當(dāng)天，英飛凌也宣布與天岳先進(jìn)簽訂一項(xiàng)新的晶圓和晶錠供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，天岳先進(jìn)將為德國(guó)半導(dǎo)體制造商英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體的高質(zhì)量并且有競(jìng)爭(zhēng)力的150毫米（6英寸）碳化硅晶圓和晶錠，其
2023-05-06 01:20:003980 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）英飛凌在8月8日宣布，其位于馬來(lái)西亞的新工廠一期項(xiàng)目正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，這是一座高效的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠，一期項(xiàng)目投資額高達(dá)20億歐元，重點(diǎn)生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體
2024-08-12 09:10:335264 
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