? 中國(guó)北京，2022 年?5 月?6日?——設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)Soitec 近日發(fā)布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC? 晶圓。這標(biāo)志著 Soitec 公司
2022-05-06 13:48:42
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簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，合作內(nèi)容包含了基于某些客戶的需求，進(jìn)行基于羅姆碳化硅芯片的功率半導(dǎo)體模塊，及對(duì)應(yīng)電機(jī)控制器的開(kāi)發(fā)。本文即介紹臻驅(qū)對(duì)碳化硅功率模塊的開(kāi)發(fā)、測(cè)試及系統(tǒng)評(píng)估。 Introduction 碳化硅功率半導(dǎo)體近年來(lái)在能源轉(zhuǎn)換
2020-11-24 11:51:472702 
碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對(duì)罕見(jiàn)。然而，自從1893年以來(lái)，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過(guò)一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:023024 
法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布與應(yīng)用材料公司啟動(dòng)聯(lián)合項(xiàng)目，展開(kāi)對(duì)新一代碳化硅襯底的研發(fā)。
2019-11-19 14:44:481151 碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
器件的特點(diǎn) 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm.，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。 它與硅半導(dǎo)體材料
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來(lái)越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級(jí)階段，有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步，未來(lái)還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達(dá)1400℃的溫度下，仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹(shù)脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13
碳化硅的顏色，純凈者無(wú)色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無(wú)
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
第二代碳化硅肖特基二極管-JBS簡(jiǎn)介 產(chǎn)業(yè)界以第一代標(biāo)準(zhǔn)肖特基結(jié)構(gòu)做成的肖特基二極管（SBD）漏電流大，反向耐壓低，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力差，商業(yè)應(yīng)用價(jià)值低。為了提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，碳化硅肖特基二極管的結(jié)構(gòu)也從標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-28 16:55:45
、10A、15A三等級(jí)電流測(cè)試中，碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)電流比硅快恢復(fù)二極管小，有利提升產(chǎn)品效率?！ 」杩焖倩謴?fù)二極管（10A） 碳化硅肖特基二極管（10A） 硅快恢復(fù)二極管在5A、10A
2023-02-28 16:34:16
利通碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件導(dǎo)通損耗對(duì)溫度的依存度很小，隨溫度的變化也很小，這與傳統(tǒng)的Si器件也有很大差別。4) 開(kāi)關(guān)速度快SiC的熱導(dǎo)系數(shù)幾乎是Si材料的2.5倍，飽和電子漂移率是Si
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10對(duì)碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實(shí)際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進(jìn)一步降低器件的開(kāi)關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來(lái)作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗，提高開(kāi)關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣。據(jù)報(bào)道，美國(guó)特斯拉公司的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器使用的是碳化硅半導(dǎo)體。另外，很多讀者都已經(jīng)在電器市場(chǎng)上看到了使用了氮化鎵半導(dǎo)體的微型 AC轉(zhuǎn)換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導(dǎo)體，其內(nèi)部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
能動(dòng)力碳化硅二極管ACD06PS065G已經(jīng)在倍思120W氮化鎵快充中商用，與納微GaNFast高頻優(yōu)勢(shì)組合，高頻開(kāi)關(guān)減小磁性元件體積，提高適配器功率密度。創(chuàng)能動(dòng)力是香港華智科技有限公司孵化出來(lái)的公司
2023-02-22 15:27:51
降低到75%?！ ”?2：SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究 只有使用硅或碳化硅電源模塊才能用基于TO器件的電源設(shè)計(jì)取代耗時(shí)的生產(chǎn)流程。SiC的特定特性需要優(yōu)化換向電感和熱性能。因此，可以提高性價(jià)比，并充分利用SiC的優(yōu)勢(shì)，使應(yīng)用受益。
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場(chǎng)合性價(jià)比更優(yōu)于超結(jié)MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡，具有重要的應(yīng)用價(jià)值，特別適用于對(duì)功率密度提升有需求，同時(shí)更強(qiáng)
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生，如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的工作溫度，抗輻照能力得到提升；碳化硅材料擊穿電場(chǎng)是硅的 10 倍，因此，其器件可設(shè)計(jì)更高的摻雜濃度及更薄的外延厚度，與相同電壓等級(jí)的硅功率器件相比
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
小于5ns； · 選用低傳輸延時(shí)，上升下降時(shí)間短的推挽芯片?！ 】傊?，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時(shí)，對(duì)于驅(qū)動(dòng)器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng)，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知識(shí)
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558 Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，日前宣布作為公司強(qiáng)力進(jìn)軍工業(yè)和汽車用功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)戰(zhàn)略的一項(xiàng)舉措，Littelfuse對(duì)碳化硅技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的初創(chuàng)公司Monolith
2015-12-22 11:04:2211058 金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等
2018-01-03 09:48:4821689 碳化硅市場(chǎng)，X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時(shí)候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能，碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開(kāi)始備戰(zhàn)。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:08:00140328 Cree， Inc. （Nasdaq： CREE）宣布，作為公司長(zhǎng)期增長(zhǎng)戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC（碳化硅）產(chǎn)能，在公司美國(guó)總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動(dòng)化
2019-05-14 10:24:444139 隨著汽車電子、工控等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)碳化硅（SiC）的需求持續(xù)增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)外碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，日前碳化硅大廠Cree（科銳）也宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能。
2019-05-08 16:40:054715 14日，Cree宣布成為大眾汽車集團(tuán)（Volkswagen Group）FAST項(xiàng)目SiC碳化硅獨(dú)家合作伙伴。
2019-05-16 08:51:514799 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:406521 ，基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士發(fā)布了汽車級(jí)全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力再度提升，將助力國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展?；景雽?dǎo)體的碳化硅
2021-11-29 14:54:089429 
設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè) Soitec 宣布，與全球電力和先進(jìn)材料領(lǐng)域?qū)＜颐罓柹_(dá)成戰(zhàn)略合作，攜手為電動(dòng)汽車市場(chǎng)開(kāi)發(fā)多晶碳化硅（poly-SiC）系列襯底。
2021-12-08 11:18:17972 Soitec 半導(dǎo)體公司宣布，將在其位于法國(guó)貝寧的總部增設(shè)新產(chǎn)線，用于生產(chǎn)創(chuàng)新型碳化硅襯底，助力電動(dòng)汽車和工業(yè)市場(chǎng)應(yīng)對(duì)關(guān)鍵挑戰(zhàn)。新產(chǎn)線落成后還將同時(shí)用于 Soitec 300-mm SOI 晶圓的生產(chǎn)。
2022-03-16 11:31:411023 
最近晶盛機(jī)電宣布，公司成功生產(chǎn)出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體。翻看公司公告，在8月12日晶盛機(jī)電首顆8英寸N型碳化硅晶體就已經(jīng)成功出爐，表示成功解決了8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程中溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問(wèn)題。
2022-09-07 09:29:443278 來(lái)源：中國(guó)電子報(bào) 日前，國(guó)際碳化硅大廠安森美宣布，其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠落成，未來(lái)兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國(guó)北卡羅來(lái)納州建造一座價(jià)值數(shù)十
2022-10-08 17:02:251660 企業(yè)法國(guó) Soitec 半導(dǎo)體公司正式宣布，雙方在碳化硅襯底領(lǐng)域的合作邁入新階段，意法半導(dǎo)體將在未來(lái) 18 個(gè)月內(nèi)對(duì)
2022-12-05 14:09:42929 
公司Soitec 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計(jì)劃，由意法半導(dǎo)體在今后18個(gè)月內(nèi)完成對(duì)Soitec碳化硅襯底技術(shù)的產(chǎn)前認(rèn)證測(cè)試。此次合作的目標(biāo)是意法半導(dǎo)體采用 Soitec 的 SmartSiC 技術(shù)制造未來(lái)的8寸碳化硅襯底，促進(jìn)公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù)，
2022-12-08 12:22:481145 摘 要 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
2022-12-21 14:05:032918 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:192135 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度升高到一定值時(shí)出現(xiàn)峰值，繼續(xù)升高溫度，導(dǎo)電率又會(huì)下降。
2023-02-03 09:31:236555 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165686 
碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355708 技術(shù)方面，意法半導(dǎo)體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術(shù)合作達(dá)成協(xié)議。意法半導(dǎo)體希望通過(guò)此次合作，使其未來(lái)200mm晶圓生產(chǎn)可以采用Soitec的Smart碳化硅技術(shù)。
2023-02-06 16:25:171392 遷移率和體積小等特點(diǎn)，因此碳化硅能夠應(yīng)用于許多領(lǐng)域。 在儲(chǔ)能領(lǐng)域，碳化硅的應(yīng)用已經(jīng)非常非常多了。 在經(jīng)典的儲(chǔ)能系統(tǒng)中包含了電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池充電機(jī)以及把能量輸送到家庭端或輸送回電網(wǎng)的逆變器，碳化硅技術(shù)在這種配置
2023-02-12 15:12:321748 電機(jī)碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機(jī)的技術(shù)，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等，來(lái)提高電機(jī)的效率、耐久性和可靠性，從而降低電機(jī)的成本。
2023-02-16 17:54:007613 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177 
3.14億美元，2019—2025年復(fù)合增長(zhǎng)率為17%。同時(shí)，光伏組件功率密度的持續(xù)提升，也對(duì)碳化硅器件性能提出了更高的要求。 要抓住光伏帶來(lái)的市場(chǎng)機(jī)遇，碳化硅廠商還需要在產(chǎn)品綜合性能、制備良率、供應(yīng)鏈協(xié)作等多個(gè)維度發(fā)力。 碳化硅高度契合光
2023-04-20 07:15:071510 
5月23-24日 “2023半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展和機(jī)遇大會(huì)” 在蘇州召開(kāi)，來(lái)自KLA LS-SWIFT部門(mén)的技術(shù)專家裴舜在會(huì)上帶來(lái)了《創(chuàng)新工藝控制為碳化硅汽車芯片良率與可靠性保駕護(hù)航》的主題演講，分享KLA的全流程工藝控制解決方案如何提升車規(guī)級(jí)功率器件良率與可靠性。
2023-05-30 11:09:377339 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛(ài)，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng)，以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，感謝各位
2023-05-31 09:43:201105 MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:152612 6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-21 09:37:001561 
在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:573651 中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開(kāi)發(fā)，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:366818 
Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊
2023-11-02 09:27:261290 前段時(shí)間，奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車型Q6 e-tron（，最近，奧迪又有1款碳化硅車型公布，同時(shí)Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 16:13:052316 在全球范圍內(nèi)，有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊，以下是一些知名的企業(yè)。
2024-01-25 14:01:221856 
近日，純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開(kāi)展深度合作，共同推動(dòng)碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠，利用Soitec的SmartSiC技術(shù)生產(chǎn)碳化硅功率器件。
2024-05-30 11:39:201194 近日，汽車電子領(lǐng)域的佼佼者意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）與全球知名汽車及新能源汽車制造商吉利汽車集團(tuán)宣布了一項(xiàng)重要合作。雙方已簽署碳化硅（SiC）器件的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，標(biāo)志著雙方在原有合作基礎(chǔ)上，對(duì)碳化硅器件的聯(lián)合研發(fā)與應(yīng)用將邁入新的階段。
2024-06-04 14:30:471234 以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析： 材料特性： 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)。這使得碳化硅晶圓在高溫、高壓和高頻應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)
2024-08-08 10:13:174710 碳化硅行業(yè)觀察：國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來(lái)，碳化硅（SiC）功率器件市場(chǎng)雖高速增長(zhǎng)，但行業(yè)集中度快速提升，2024年以來(lái)多家SiC器件設(shè)計(jì)公司接連倒閉，國(guó)內(nèi)碳化硅功率
2025-02-24 14:04:38933 
近日，博世汽車電子中國(guó)區(qū)（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)基地，并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要一步，也進(jìn)一步提升了本土市場(chǎng)的響應(yīng)速度，增強(qiáng)了博世智能出行集團(tuán)的競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-03-06 18:09:291115 的不同，碳化硅襯底可分為兩類：一類是具有高電阻率（電阻率≥10^5Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，另一類是低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底。02
2025-07-15 15:00:19961 
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