納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET

納芯微推出1200V首款SiC?MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。

納芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon溫度穩(wěn)定性、門極驅(qū)動電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動汽車(EV) OBC/DCDC、熱管理系統(tǒng)、光伏和儲能系統(tǒng)(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領(lǐng)域。

NPC060N120A產(chǎn)品特性

更寬的柵極驅(qū)動電壓范圍（-8~22V）

支持+15V，+18V驅(qū)動模式（可實現(xiàn)IGBT兼容：+15 V）

+18V模式下，RDSon可降低20%

更好的RDSon溫度穩(wěn)定性

出色的閾值電壓一致性

Vth在25°C~175°C?的范圍保持在2.0V~2.8V之間

體二極管正向壓降非常低且穩(wěn)健性高

100%的雪崩測試，從而提高整體的可靠性，抗沖擊能力強

此外，功率產(chǎn)品開發(fā)中可靠性驗證與質(zhì)量控制是納芯微非常重視環(huán)節(jié)之一。為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，在碳化硅芯片生產(chǎn)過程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制，所有碳化硅產(chǎn)品做到?100% 靜態(tài)電參數(shù)測試，100%抗雪崩能力測試。此外，會執(zhí)行比AEC-Q101更加嚴(yán)格的測試條件來執(zhí)行產(chǎn)品可靠性驗證，如下圖：

以執(zhí)行較為嚴(yán)苛的HV-H3TRB為例，在可靠性1000小時測試后，該款產(chǎn)品仍具有比較優(yōu)異的穩(wěn)定性。

NPC060N120A產(chǎn)品選型表

納芯微SiC?MOSFET命名規(guī)則

未來，納芯微將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出更多規(guī)格產(chǎn)品供客戶選擇。

審核編輯：黃飛

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MOSFET(230975) MOSFET(230975)
SiC(68650) SiC(68650)
碳化硅(51891) 碳化硅(51891)
納芯微(15953) 納芯微(15953)
熱管理系統(tǒng)(835) 熱管理系統(tǒng)(835)

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1200V碳化硅MOSFET系列選型

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納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動芯片，該系列產(chǎn)品包含NSD8308（8通道）和NSD8306（6通道）兩款產(chǎn)品，內(nèi)部均集成多通道半橋驅(qū)動和N-MOS功率級，支持多種負(fù)載類型。

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納芯微2022年全新發(fā)布的首款車規(guī)級LDO芯片NSR31/33/35系列現(xiàn)已正式量產(chǎn)，并向知名國際汽車零部件廠商批量供貨。

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瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規(guī)級認(rèn)證

值得一提的是，這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證，同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車規(guī)級可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。

2022-11-08 14:45:16

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什么是“車規(guī)級”？全球首款“車規(guī)級”激光器件的發(fā)布

本書將以“車規(guī)級”激光雷達為切入點，從針對激光器件的AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)開始解讀，逐步回答“什么是車規(guī)級？

2023-01-31 14:00:32

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國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認(rèn)證

2022年11月，上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達111A。

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納芯微車規(guī)級芯片助力汽車向電動化和智能化的發(fā)展趨勢前進

? ? 電，幫助我們更好地探索世界現(xiàn)在，電也能讓汽車跑起來納芯微提供 OBC/DCDC完整的半導(dǎo)體解決方案其車規(guī)級芯片均符合 AEC-Q100 可靠性認(rèn)證助力汽車向電動化和智能化

2023-05-26 09:25:19

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量產(chǎn)發(fā)布！國民技術(shù)首款車規(guī)級MCU N32A455上市

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瞻芯電子TO263-7封裝SiC MOSFET量產(chǎn)，助力高密高效功率變換

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增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。

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納芯微推出首款車規(guī)級40V/單通道90mΩ智能低邊開關(guān)NSE11409系列

納芯微推出首款車規(guī)級40V/單通道90mΩ智能低邊開關(guān)NSE11409系列納芯微全新推出首款業(yè)界領(lǐng)先的NSE11409系列智能低邊開關(guān)芯片，該款芯片是專門針對驅(qū)動高可靠性負(fù)載應(yīng)用而設(shè)計的，廣泛應(yīng)用于驅(qū)動汽車和工業(yè)場景中的繼電器、執(zhí)行閥、照明和加熱電阻絲等負(fù)載元件。

2022-10-27 13:42:50

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超低靜態(tài)功耗LDO！納芯微推出業(yè)界領(lǐng)先車規(guī)級NSR31/33/35系列芯片

超低靜態(tài)功耗LDO！納芯微推出業(yè)界領(lǐng)先車規(guī)級NSR31/33/35系列芯片納芯微首次推出全新業(yè)界領(lǐng)先的NSR31/33/35系列LDO芯片，專為汽車電池為系統(tǒng)供電的應(yīng)用場景而設(shè)計，具有3V至

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國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后，近日，國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應(yīng)管）器件也成功獲得了

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1851

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后

2023-10-25 18:28:10

1484

車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法

2023-10-27 11:00:52

2610

瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，

2023-11-30 09:39:18

3074

武漢芯源半導(dǎo)體發(fā)布基于Cortex-M0+內(nèi)核的CW32A030C8T7車規(guī)級MCU

近日，武漢芯源半導(dǎo)體正式發(fā)布首款基于Cortex-M0+內(nèi)核的CW32A030C8T7車規(guī)級MCU，這是武漢芯源半導(dǎo)體首款通過AEC-Q100 (Grade 2)車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的主流通用型車規(guī)MCU產(chǎn)品。

2023-11-30 14:25:10

1328

武漢芯源半導(dǎo)體首款車規(guī)級MCU，CW32A030C8T7通過AEC-Q100測試考核

近日，武漢芯源半導(dǎo)體正式發(fā)布首款基于Cortex?-M0+內(nèi)核的CW32A030C8T7車規(guī)級MCU，這是武漢芯源半導(dǎo)體首款通過AEC-Q100(Grade2)車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的主流通用型車規(guī)MCU產(chǎn)品

2023-11-30 15:48:35

1190

安世半導(dǎo)體推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。

2023-12-04 10:39:50

1725

芯塔電子SiC MOSFET通過車規(guī)級認(rèn)證，成功進入新能源汽車供應(yīng)鏈！

近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機構(gòu)（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。包括之前通過測試認(rèn)證的650V

2023-12-06 14:04:49

1019

武漢芯源半導(dǎo)體首款車規(guī)級MCU通過AEC-Q100測試考核

近日，武漢芯源半導(dǎo)體正式發(fā)布基于Cortex?-M0+內(nèi)核的CW32A030C8T7車規(guī)級MCU，這是武漢芯源半導(dǎo)體首款通過AEC-Q100 (Grade 2)車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的主流通用型車規(guī)MCU產(chǎn)品。

2023-12-08 14:29:50

1614

中瓷電子：國聯(lián)萬眾部分1200V SiC MOSFET產(chǎn)品已批量供貨中

據(jù)悉，國聯(lián)萬眾公司已研發(fā)出具備指標(biāo)性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，部分型號產(chǎn)品已開始供應(yīng)市場。另一方面，針對比亞迪在內(nèi)的多方潛在客戶，該公司的電動汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品正在進行進一步洽談。

2023-12-12 10:41:48

1029

瑤芯微榮獲“國際先進”好評的高可靠SiC MOSFET產(chǎn)品

瑤芯微此次參評的專注于“車規(guī)級低比導(dǎo)通電阻SiC MOSFET”，專家們一致贊賞該產(chǎn)品具有卓越的研究成果，堪稱行業(yè)翹楚。憑借諸多優(yōu)點，經(jīng)過嚴(yán)謹(jǐn)評鑒，評委會授予瑤芯微的SiC MOSFET技術(shù)極高評價，同時認(rèn)定其擁有自主創(chuàng)新產(chǎn)權(quán)，展現(xiàn)了強勁的技術(shù)實力。

2023-12-25 10:56:54

1872

至信微發(fā)布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上，至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產(chǎn)品。

2024-01-16 15:45:17

1702

Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。

2024-03-03 16:02:35

1504

瞻芯電子1200V/650V SiC塑封半橋模塊獲車規(guī)認(rèn)證

出首批2款基于第二代碳化硅（SiC）MOSFET芯片技術(shù)的SMPD塑封半橋模塊產(chǎn)品，并順利通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AQG324）。

2024-03-07 09:37:27

2118

瞻芯電子兩款SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認(rèn)證

Ω規(guī)格的IV2Q06060D7Z，均成功通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級可靠性認(rèn)證。這一認(rèn)證標(biāo)志著瞻芯電子的SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)滿足了汽車行業(yè)對高可靠性、高性能的嚴(yán)格要求，為新能源汽車市場的高效發(fā)展注入了新的活力。

2024-03-07 09:43:18

1605

瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證

3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。

2024-03-11 09:24:38

1469

納芯微發(fā)布車規(guī)級CAN SIC NCA1462-Q1

近日，領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商納芯微宣布，成功研發(fā)并推出了一款基于自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC（信號改善功能）——NCA1462-Q1。這款產(chǎn)品的推出，不僅滿足了ISO

2024-03-12 09:21:31

1688

納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC—NCA1462-Q1

納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。

2024-03-12 09:30:00

1191

瞻芯電子第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認(rèn)證

近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。

2024-03-12 11:04:24

1748

蓉矽半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性認(rèn)證

蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯

2024-03-12 11:06:30

1587

蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗證

蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核，同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測試并量產(chǎn)交付。

2024-03-12 17:18:21

2547

瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。

2024-03-13 09:24:13

1664

AMEYA360 | 納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC: NCA1462-Q1

納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC(信號改善功能，Signal Improvement Capability)NCA1462-Q1。相比當(dāng)前主流的CAN FD車載通信

2024-03-15 15:57:33

933

瞻芯電子推出一款車規(guī)級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。

2024-04-07 11:37:32

3562

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種

2024-04-17 13:37:49

873

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。

2024-04-17 14:02:49

1619

中微愛芯一款車規(guī)級信號鏈芯片和四款車規(guī)級邏輯芯片通過認(rèn)證

近日，中科芯下屬的中微愛芯成功研發(fā)出一款車規(guī)級信號鏈芯片和四款車規(guī)級邏輯芯片，并順利通過了車規(guī)級檢測認(rèn)證。

2024-04-22 14:22:03

2160

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現(xiàn)了出色的導(dǎo)電性能。這款產(chǎn)品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，滿足車規(guī)與工規(guī)不同等級的需求。

2024-05-06 15:20:52

1273

昕感科技發(fā)布一款1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0

近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0，導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應(yīng)用需求。

2024-05-11 10:15:44

1889

納芯微推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列

納芯微近期發(fā)布了其首款1200V SiC MOSFET產(chǎn)品——NPC060N120A系列，該系列產(chǎn)品的RDSon值低至60mΩ，展現(xiàn)了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式，包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

2024-05-13 15:27:39

1829

Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。

2024-05-23 11:34:58

1695

納芯微宣布推出新一代車規(guī)級16/24通道線性LED驅(qū)動器NSL21916/24

納芯微宣布推出新一代車規(guī)級16/24通道線性LED驅(qū)動器NSL21916/24，為滿足現(xiàn)代車身照明的復(fù)雜設(shè)計需求提供了理想解決方案。

2024-05-29 14:07:58

3376

瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性測試認(rèn)證

近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試

2024-06-24 09:13:20

1944

瞻芯電子SiC MOSFET技術(shù)新突破，車規(guī)級產(chǎn)品正式量產(chǎn)

Ω SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）成功通過了車規(guī)級可靠性（AEC-Q101）測試認(rèn)證，這一里程碑式的成果標(biāo)志著瞻芯電子在SiC MOSFET領(lǐng)域的技術(shù)實力達到了新的高度。

2024-06-24 10:05:43

1444

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

近日，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求，至此公司獲車規(guī)級認(rèn)證的碳化硅功率器件產(chǎn)品家族再添一員。

2024-09-13 10:20:19

1573

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET，為高效、可靠能源變換再添助力！

2024-10-29 13:54:37

1064

納芯微發(fā)布兩款車規(guī)級壓力傳感器新品

近日，納芯微正式推出了兩款專為汽車排放管理設(shè)計的車規(guī)級壓力傳感器產(chǎn)品。這兩款新品分別是NSPGL1系列集成式壓差傳感器和NSPAS5N系列耐腐蝕絕壓傳感器。

2024-10-30 18:15:14

1530

東芝推出全新1200V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。

2024-11-21 18:10:25

1354

瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品，具有低損耗、散熱性強等特點，讓系統(tǒng)設(shè)計更緊湊、更高效，組裝時能自動化生產(chǎn)。

2024-11-27 14:58:20

1444

瞻芯電子推出車規(guī)級1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品，助力高效大功率應(yīng)用

為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應(yīng)用需要，瞻芯電子開發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品，其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品IV2D12060T2Z滿足車規(guī)級可靠性標(biāo)準(zhǔn)

2024-12-02 09:07:34

2155

納芯微推出智能隔離柵極驅(qū)動器NSI67X0系列

納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動 NSI67X0 系列，該系列適用于驅(qū)動 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件，兼具車規(guī)等級（滿足 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)）和工規(guī)等級，可廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場景。

2024-12-09 14:02:44

1721

Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。

2025-03-21 10:11:00

1233

納芯微發(fā)布全新車規(guī)級雙向電流檢測放大器NSCSA240-Q1系列

納芯微發(fā)布全新車規(guī)級雙向電流檢測放大器NSCSA240-Q1系列，專為汽車高壓PWM系統(tǒng)打造解決方案。該系列攻克PWM系統(tǒng)中高頻瞬態(tài)干擾難題，為汽車電子轉(zhuǎn)向（EPS）、電機驅(qū)動等場景提供高可靠電流監(jiān)測方案，滿足AEC-Q100車規(guī)級可靠性標(biāo)準(zhǔn)。

2025-04-12 14:40:43

1192

方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品

2025年4月16日，在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，性能達到國際頭部領(lǐng)先水平。

2025-04-17 17:06:40

1386

納微半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

納微半導(dǎo)體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。

2025-05-14 15:39:30

1342

聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET

，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業(yè)注入強勁新動能。

2025-05-14 17:55:02

1063

方寸之間構(gòu)筑系統(tǒng)級可靠性，納芯微發(fā)布國產(chǎn)首款高性能 2 線制霍爾開關(guān) MT72xx系列

納芯微發(fā)布國內(nèi)首款2線制霍爾開關(guān)MT72xx系列，具有卓越EMC性能、豐富極性選擇和高集成設(shè)計，滿足車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，適用于車身電子和域控制器長線束場景，能減少線束數(shù)量與成本，提升系統(tǒng)可靠性，還配備全套開發(fā)資源，助力客戶縮短項目周期。

2025-06-27 16:56:24

773

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

近期，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。

2025-07-16 14:08:23

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納芯微發(fā)布兩款車規(guī)級自動雙向型電平轉(zhuǎn)換器

納芯微宣布推出車規(guī)級四位自動雙向型電平轉(zhuǎn)換器NCAS0104和NCAB0104。新推出的電平轉(zhuǎn)換器具備高達15kV的ESD性能，支持更寬的端口輸入電壓（端口A：1.1~3.6V；端口B：1.65

2025-07-17 15:52:01

758

派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢

1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低

2025-09-03 11:29:40

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紫光國芯發(fā)布國產(chǎn)首款車規(guī)級LPDDR4x芯片，助力智能網(wǎng)聯(lián)汽車發(fā)展

貞光科技作為紫光國芯的重要合作伙伴，正在將國產(chǎn)首款通過AEC-Q100認(rèn)證的車規(guī)級LPDDR4x存儲芯片推向市場，為智能網(wǎng)聯(lián)新能源汽車提供核心存儲解決方案。在2025年9月5日至8日舉辦的重慶世界

2025-09-12 16:32:36

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基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。

2025-09-15 16:53:03

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中微愛芯車規(guī)級芯片的六大核心優(yōu)勢

2026年可推出車規(guī)級芯片多達百余款，進一步豐富中微愛芯的車規(guī)級產(chǎn)品矩陣。

2025-11-07 17:01:02

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車規(guī)驅(qū)動“國產(chǎn)替代”加速！納芯微NSD56xxx-Q1：國內(nèi)首家8通道可配高低邊驅(qū)動，對標(biāo)國際領(lǐng)先IC

納芯微正式發(fā)布國內(nèi)首款車規(guī)級 8 通道可配高低邊驅(qū)動系列芯片——NSD56xxx-Q1系列，憑借高集成度、靈活配置與智能診斷等優(yōu)勢，對標(biāo)國際領(lǐng)先IC，為國產(chǎn)車規(guī)級驅(qū)動芯片的替代進程注入強勁動力。

2025-11-13 17:50:05

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