【2022年5月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術，即CoolSiC? MOSFET 1200 V
2022-05-10 14:10:02
3009 
德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產品群”，并在2012年5月8日～10日于德國舉行的電源技術展會“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:482140 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對工業(yè)電機驅動及不間斷電源 （UPS） 應用進行了優(yōu)化。
2013-06-14 15:22:001842 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。
2024-03-26 09:57:193707 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化。
2024-03-28 10:01:092465 
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應用于工業(yè)、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發(fā)概要。
2024-12-04 10:50:432592 
基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結合元胞鎮(zhèn)流電阻設計，開發(fā)出了短路耐受時間長，導通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:0310726 
該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-20 15:18:002040 CIPOS Maxi IPM集成了改進的6通道1200 V絕緣體上硅（SOI）柵極驅動器和六個CoolSiC? MOSFET，以提高系統(tǒng)可靠性，優(yōu)化PCB尺寸和系統(tǒng)成本。
2020-12-11 17:01:081369 電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）最近，又有國內GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術。7月26日，宇騰科技在社交平臺上宣布公司自主研發(fā)生產的藍寶石基GaN功率器件工作電壓達到1200V，已進入
2024-07-31 01:06:005182 我們也發(fā)現Schweizer在更早前其實就已經推出了名為P2的封裝方案，這個方案同樣是將功率半導體嵌入PCB中。他們在2023年開始與英飛凌合作開發(fā)，將英飛凌1200V CoolSiC芯片嵌入到PCB中的技術，并應用到電動汽車上。 ? P 2封裝的優(yōu)勢和應用 ? 根據
2025-01-07 09:06:134391 
? 電子發(fā)燒友網綜合報道 近日，三安光電在投資者平臺上表示，其主驅逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國內頭部電動車企客戶處的摸底模塊驗證已完
2025-08-10 03:18:008201 采用了CoolMOS? C7和TRENCHSTOP? 5 IGBT技術的半導體器件，以及采用D2PAK 7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC? MOSFET（IMBG120R350M1H
2022-08-09 15:17:41
測試1200V輸入時，加十多分鐘后就炸機了，不是一開始就炸，MOS管那一串都炸了，變壓器沒燒毀。大神幫我看一下電路和波形，600V以后的CS波形感覺就不太好看了，不知道是什么導致的。示波器通道2壞了，沒法雙通道，只能這樣了。
2017-12-13 08:56:00
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率?！ ‘a品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
變壓器進行限制。主要特色針對多個光伏串的隔離式高側電流感應能夠以小于 1% 滿量程的精度監(jiān)測電流通過智能匯流箱中的 I2C 支持 1200V 隔離式電流感應可將其他 INA260 器件連接到 I2C 總線
2018-10-25 16:24:34
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評估驅動板的開發(fā)是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進行首次設計時為其提供支持。評估驅動板是一個功能齊全的IGBT模塊驅動器，其中兩個1ED020I12-F驅動器IC過程控制和反饋信號并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數選型表：
2021-11-10 09:10:42
RD-354，參考設計使用FNA22512A 25A / 1200V，3.7 kW三相逆變器。該參考設計支持1200 V Motion SPM 2系列的設計
2020-07-18 12:23:30
RD-354，參考設計使用FNA23512A 35A / 1200V，5.5 kW三相逆變器。該參考設計支持1200 V Motion SPM 2系列的設計
2020-07-18 12:46:31
對江蘇中科君芯科技有限公司(以下簡稱中科君芯)針對焊機領域開發(fā)1200V系列產品性能、和國外主流器件的參數比對、實際焊機測試比對展開討論。1電路拓撲工業(yè)用焊接電源電路拓撲有半橋和全橋(圖1,圖2)兩種
2014-08-13 09:01:33
試驗，以在實際應用條件下，評估1200V/45mΩ CoolSiC? MOSFET在TO-247 3引腳和4引腳封裝中的寄生導通特性。所有試驗均在柵極關斷電壓為0V的條件下開展?！ D2. 用于特性測試
2023-02-27 13:53:56
員要求的更低的寄生參數滿足開關電源（SMPS）的設計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后，可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求，碳化硅場效應管（SiC MOSFET）由于能夠實現硅
2023-03-14 14:05:02
。在今年 7 月的 PCIM（電力元件、可再生能源管理展覽會）虛擬展位上，展示了采用CoolSiC?汽車 MOSFET 技術的 EasyPACK?模塊，即 1200V/8mΩ(150A)的半橋模塊
2021-03-27 19:40:16
輸出1200V,800W，輸出脈寬可調的電源電路:由芯片SG3525A組成。
2008-12-07 19:20:001958 
IR全新堅固耐用的1200V控制集成電路
電源管理技術領先供應商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出用于工業(yè)電機驅動控制的額定1200VIR2214和
2009-07-06 08:42:281142 IR針對汽車應用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955 Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應用包括自動驅動系統(tǒng)的頻率變換器,光伏電壓系統(tǒng)的中央逆變器,汽車柴油發(fā)動機驅動器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093975 
全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild （NASDAQ： FCS） 發(fā)布首個1200V碳化硅（SiC）二極管 —— FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。
2016-03-22 11:12:161717 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經過優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統(tǒng)等應用的系統(tǒng)改進，此后可將其范圍擴大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498625 1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設計_陳天
2017-01-08 14:36:35
7 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:004336 
新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關頻率在15kHz以上的硬開關和諧振拓撲而設計，可滿足其對更高能效以及更低導通損耗和開關損耗的要求.
2018-07-11 11:28:575622 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:2910826 據外媒報道，最近，日本羅姆半導體公司（ROHM）宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類晶體管非常適合用于電子壓縮機內的逆變器，以及正溫度系數（PTC）加熱器中的開關電路。
2019-05-27 08:41:501845 模塊分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點損耗進行了優(yōu)化，具有更高的功率密度和高達48 kHz的開關頻率，適用于新一代1500V光伏和儲能應用。
2019-09-14 10:56:005286 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-19 16:11:224353 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高
2021-03-01 12:16:023163 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:514444 現已推出采用TO-2472腳封裝的第五代 1200 V CoolSiC肖特基二極管，可輕松替換當前常用的硅二極管。新的封裝將爬電距離和電氣間隙增至 8.7 mm，能夠在嚴重污染環(huán)境中實現非凡安全性
2021-01-11 08:00:003 英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301618 與業(yè)內人士交流互動產品和應用技術。 借英飛凌碳化硅20周年之際，9月10日，我們在展會會場，隆重舉辦第三屆碳化硅應用技術發(fā)展論壇，敬請蒞臨。 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置
2021-08-24 09:31:503563 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。
2022-06-22 10:22:225141 
值得一提的是，這款TO247-4封裝的產品通過AEC-Q101認證，同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車規(guī)級可靠性標準。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:161791 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH1200UPE
2023-02-07 18:57:040 2022年11月，上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101)，該產品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達111A。
2023-03-22 16:47:333850 
EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產品，用于高功率應用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業(yè)變頻器、泵和風機（高達10kW）。
2023-05-18 16:18:241124 提高。封裝采用.XT互連技術，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
2022-04-20 09:56:201544 
相比第一代產品，1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%，具有同類最佳的開關性能。這種開關性能上的改進實現了高頻運行，縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓（VGS
2023-07-06 09:55:401862 
新品用于高速開關應用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測
2023-07-31 16:57:591729 
據悉，國聯(lián)萬眾公司已研發(fā)出具備指標性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產品，部分型號產品已開始供應市場。另一方面，針對比亞迪在內的多方潛在客戶，該公司的電動汽車主驅用大功率MOSFET產品正在進行進一步洽談。
2023-12-12 10:41:481029 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:001646 英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術，CoolSiC技術的輸出電流能力強，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:351310 電子發(fā)燒友網站提供《具有2mA雪崩額定值的1200V、50mA 汽車類隔離開關TPSI2140-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-28 16:48:340 近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。
2024-04-07 11:37:323562 
BMF240R12E2G3是基本半導體為更好滿足工業(yè)客戶對高效和高功率密度需求而開發(fā)的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊，
2024-04-11 09:22:271998 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種
2024-04-17 13:37:49873 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。
2024-04-17 14:02:491619 
納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現了出色的導電性能。這款產品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，滿足車規(guī)與工規(guī)不同等級的需求。
2024-05-06 15:20:521273 在成功發(fā)布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后，先導中心再度展現了其技術實力，推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
2024-05-09 14:25:261354 納芯微近期發(fā)布了其首款1200V SiC MOSFET產品——NPC060N120A系列，該系列產品的RDSon值低至60mΩ，展現了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式，包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L，以滿足不同應用場景的需求。
2024-05-13 15:27:391829 Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品（IV3Q12013T4Z）通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:201944 
新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機的驅動器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機的驅動器應用而開發(fā)的升級版逆變器和柵極驅動器板。設計用于評估采用
2024-09-05 08:03:27986 1200V三相全橋碳化硅功率模塊，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達900V-1000V，工作頻率可達30kHz，輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢，性價比超國外產品，適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅動、光伏風能發(fā)電等領域。
2024-09-18 17:18:171724 
驅動器板。設計用于評估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiC? MOSFET。 采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開關。驅動電路采用了具有米勒鉗位功能
2024-10-29 17:41:42940 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。
2024-10-29 13:54:371064 
電子發(fā)燒友網站提供《用于Wolfspeed 1200V SiC平臺的UCC217xx和ISO5x5x半橋EVM用戶指南.pdf》資料免費下載
2024-11-09 14:15:360 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。
2024-11-21 18:10:251354 
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產品，具有低損耗、散熱性強等特點，讓系統(tǒng)設計更緊湊、更高效，組裝時能自動化生產。
2024-11-27 14:58:201444 
新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術的優(yōu)勢為
2024-11-29 01:03:07830 英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321136 Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001233 新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強型1代、集成NTC溫度傳感器
2025-04-17 17:05:15805 近日，半導體技術公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產品采用先進的共封裝設計，具備更快的開關速度、更低的導通與開關損耗，適用于
2025-04-25 11:39:28987 
新品EasyDUAL1B和2B，1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B，2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術，電流等級涵蓋75A
2025-05-13 17:04:461315 ，聞泰科技半導體業(yè)務近期推出領先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業(yè)注入強勁新動能。
2025-05-14 17:55:021063 新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產品，專為各種工業(yè)應用開發(fā)，包括工業(yè)
2025-05-27 17:03:361257 新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管，專為各種工業(yè)應用開發(fā)，包括工業(yè)驅動
2025-05-29 17:04:211048 新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊，增強型1代M1H芯片、集成NTC
2025-06-10 17:06:211301 近期，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產品，憑借優(yōu)秀的性能與品質贏得多家重要客戶訂單，已量產交付近200萬顆，為應用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231048 
CoolSiCMOSFET技術1200V、17mΩ，配備NTC和PressFIT壓接技術。另一個模塊基于TRENCHSTOPIGBT7技術1200V、100A，配備
2025-07-31 17:04:34837 新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封裝分立器件產品擴展CoolSiC1200VMOSFET（頂部散熱Q-DPAK單管封裝）專為工業(yè)應用設計，適用于電動汽車充電、光伏
2025-08-11 17:04:311132 近日，山東大學&華為聯(lián)合報道了應用氟離子注入終端結構的1200V全垂直Si基GaN溝槽MOSFET（FIT-MOS）。氟離子注入終端（FIT）區(qū)域固有的具有負性電荷成為高阻區(qū)域，天然地隔離
2025-08-26 17:11:42760 
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035 新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ，TO247-4引腳IMZA封裝，確保安裝兼容性并可輕松替換現有
2025-09-08 17:06:34933 基本半導體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊，產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎上，通過創(chuàng)新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03983 
11月25日，英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半導體
2025-11-26 09:32:50573 在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
2025-12-04 15:19:05417 
EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板：2000V CoolSiC? MOSFET的理想測試平臺 在電力電子領域，工程師們一直在尋找性能更優(yōu)、可靠性更高的功率器件及測試方案。今天，我們就來深入
2025-12-19 17:00:15450 EiceDRIVER? 1200V高壓側和低壓側驅動器.pdf 產品概述 這兩款驅動器屬于2ED132x系列，專為控制半橋配置中最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件而設計
2025-12-20 11:15:12666 （Silicon - on - Insulator）技術，可在高達+1200V的電壓下全功能運行。它專為IGBT和SiC MOSFET優(yōu)化設計，集成了超浮通道，適用于自舉操作。其輸出源/灌電流能力
2025-12-20 14:25:02658 （Infineon）的1200V CoolSiC? MOSFET評估平臺，它在開關損耗提取等方面有著出色的表現，對于功率電子領域的研發(fā)工作有著重要的意義。 文件下載： Infineon
2025-12-21 10:45:06472 1200V CoolSiC? MOSFET評估平臺：深入解析與使用指南 在電力電子領域，準確評估MOSFET、IGBT及其驅動的開關特性至關重要。英飛凌的1200V CoolSiC? MOSFET
2025-12-21 10:50:03596
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