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標簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經過不斷改良和工藝設備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術。
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共讀好書 高曉義 陳益鋼 （上海大學材料科學與工程學院 上海飛凱材料科技股份有限公司） 摘要： 在先進封裝的銅種子層濕法蝕刻工藝中，電鍍銅鍍層的蝕刻存在...
引言 近年來，硅/硅鍺異質結構已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此，人們對硅/硅鍺體系的結構制造和輸運研究有相當大的興趣。在定義Si/SiGe中的不...
韓國POSCO與中泰深冷成立合資公司，將生產半導體產業(yè)所需氣體
兩家公司計劃生產氖、氙、氪等芯片生產所必需的惰性氣體，按照計劃，生產線將于2025年投入使用。此外，這些氣體還常用于退火、光刻、等離子蝕刻和化學氣相沉積等環(huán)節(jié)。
在經歷了近十年和五個主要節(jié)點以及一系列半節(jié)點之后，半導體制造業(yè)將開始從 FinFET過渡到3nm技術節(jié)點上的全柵堆疊納米片晶體管架構。 相對于FinFE...
在過去的幾年里，200mm設備在市場上一直供不應求，但現(xiàn)在整個300mm供應鏈也出現(xiàn)了問題。傳統(tǒng)上，300毫米設備的交貨時間為三到六個月，而特定系統(tǒng)的交...
韓國晶圓蝕刻設備優(yōu)質制造商 APTC 今日宣布，已成功與一家美國芯片制造商達成供應協(xié)議。APTC首席執(zhí)行官 Choi Woo-hyung 指出，成為合作...
GaN和相關合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子...
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設備，深度蝕刻到晶片內部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的...
GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其高頻和低導通電阻的特性，近來在功率開關應用中引起了廣泛關注。二維電子氣（2DEG）是由AlGaN/GaN異質...
Si(111)襯底上脈沖激光沉積AlN外延薄膜的界面反應控制及其機理
通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長高質量的AlN外延薄膜。英思特對PLD生長的AlN/Si異質界...
懸浮二氧化硅結構對于許多光學和光子集成電路(PIC)應用是重要的，例如寬光譜頻率梳，低傳播損耗波導，以及紫外-可見光濾光器等。除了這些應用，懸浮波導還可...
Vasily Shpak表示，從2024年開始，俄羅斯將撥款211.4億盧布（約23億美元）用于國內電子產品的開發(fā)，并計劃開發(fā)350nm到65nm微影光刻機。
高效硅太陽能電池的加工在很大程度上取決于高幾何質量和較低污染的硅晶片的可用性。在晶圓加工結束時，有必要去除晶圓表面的潛在污染物，例如有機物、金屬和顆粒。...
硅集成電路(IC)的制造需要500-600個工藝步驟，具體取決于器件的具體類型。在將整個晶圓切割成單獨的芯片之前，大部分步驟都是作為單元過程進行的。大約...
金屬圖案的剝離方法已廣泛應用于各種電子器件的制造過程中，如半導體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點是節(jié)省成本和...
石墨烯是一種原子級薄層2D碳納米材料，具有以六方晶格結構排列的sp2鍵碳原子。石墨烯因其優(yōu)異的物理和電子性能而受到廣泛關注。自發(fā)現(xiàn)石墨烯以來，石墨烯的基...
眾所周知，微尺度和納米尺度的地形結構對真核細胞和原核細胞的行為都有顯著的影響。例如，具有特殊尺寸的納米線、納米柱、納米管已被證明具有抗菌性能。開發(fā)這種結...
2023-10-23 標簽：蝕刻 862 0
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