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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）終于！國(guó)內(nèi)DRAM龍頭長(zhǎng)鑫科技在2025年的尾巴向上交所遞交招股書，擬在科創(chuàng)板掛牌上市。成

2026-01-01 標(biāo)簽： ipo 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 14819 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR5/LPDDR5X雙芯亮相，火力全開！

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產(chǎn)品線最新產(chǎn)品。 ? 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最新的DDR5

2025-11-25 標(biāo)簽： DDR5 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 8907 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5X來了！速率高達(dá)10667Mbps，躋身國(guó)際主流水平！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶），日前從長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官網(wǎng)查閱到，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已正式發(fā)布LPDDR5/5X內(nèi)存。 ? 據(jù)官網(wǎng)介紹，L

2025-10-30 標(biāo)簽：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 6301 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)"半導(dǎo)體器件冷卻設(shè)備"專利公開

該發(fā)明涉及一種新型半導(dǎo)體器件冷卻裝置，主要由冷卻部及驅(qū)動(dòng)部組成。冷卻部?jī)?nèi)置第一冷卻介質(zhì)通道，驅(qū)動(dòng)部可在第一位置與第二位置

2024-04-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1082 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公布新型存儲(chǔ)器延時(shí)控制電路

具體來說，譯碼模塊負(fù)責(zé)接收并解析模式寄存器信號(hào)，產(chǎn)生多個(gè)譯碼信號(hào)。而延時(shí)模塊則由多個(gè)延時(shí)子模塊組成，可以根據(jù)譯碼信號(hào)選擇

2024-04-26 標(biāo)簽：寄存器存儲(chǔ)器長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1185 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技有限公司“沉積設(shè)備、靜電卡盤、加熱系統(tǒng)及其控溫技術(shù)”

此項(xiàng)發(fā)明涉及一種新型沉積設(shè)備、靜電卡盤和加熱機(jī)構(gòu)，并提供了相應(yīng)的控溫方法。加熱機(jī)構(gòu)主要由導(dǎo)熱板、加熱組件及控制器組成。加

2024-04-15 標(biāo)簽：控制器熱元件長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1137 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)獲半導(dǎo)體器件制備裝置及方法專利

這項(xiàng)發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備設(shè)備及制備策略，主要包含氣體管道、氣體優(yōu)化系統(tǒng)及反應(yīng)腔室三大組件。其中，氣體管道設(shè)有多個(gè)氣體入

2024-04-03 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體器件長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1043 0
長(zhǎng)鑫科技融資108億元！增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛，估值達(dá)1400億元

本輪所有投資人均以相同條款及價(jià)格，與長(zhǎng)鑫科技、上述三個(gè)早期股東簽署增資協(xié)議，并將簽署《關(guān)于長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司之股東

2024-03-30 標(biāo)簽： DRAM 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 4984 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)新專利揭示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法

這個(gè)新穎的發(fā)明主要是關(guān)于一款包含以下幾個(gè)部分的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)：基底，基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)，它處

2024-03-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電容長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1346 0
首款國(guó)產(chǎn)LPDDR5存儲(chǔ)芯片來了！已在小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證

LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。與上一代LPDDR4X相比，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和

2023-12-06 標(biāo)簽：芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) LPDDR5 3783 0

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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)簡(jiǎn)介

　　我們將憑借值得信賴的產(chǎn)品和服務(wù)滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，致力于成為技術(shù)領(lǐng)先與商業(yè)成功的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片公司，以存儲(chǔ)科技賦能信息社會(huì)，改善人類生活。

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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)

基于長(zhǎng)鑫國(guó)產(chǎn)顆粒的DDR4內(nèi)存的測(cè)試報(bào)告

從2018年開始，世界的局勢(shì)越來越緊張，米國(guó)尤其在以芯片為代表的高科技行業(yè)對(duì)我們?nèi)矫娴膹棄?，所以保證芯片的自立自主呼聲越來越高。之前我們也測(cè)試過一對(duì)紫...

2020-07-29 標(biāo)簽：DDR4 紫光長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1.1萬(wàn) 0

內(nèi)外兼修，江波龍DDR4內(nèi)存已通過KTI專項(xiàng)測(cè)試認(rèn)證

繼推出全系列容量的DDR4內(nèi)存和基于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM資源的國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存后，江波龍?jiān)趦?nèi)存測(cè)試技術(shù)上不斷探索，除了自主開發(fā)基于10nm ASIC的測(cè)試系統(tǒng)外，...

2020-06-23 標(biāo)簽：內(nèi)存 DDR4 江波龍 3.3k 0

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)帖子

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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)資訊

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的野心能否撐起國(guó)產(chǎn)替代芯的一片天？

自從福建晉華遇到了極大麻煩后，其他本地廠商如合肥長(zhǎng)鑫，西安國(guó)芯的計(jì)劃似乎很有限，不太可能對(duì)全球DRAM市場(chǎng)產(chǎn)生重大影響。但這一看法我想最近要糾正下。原為...

2019-12-16 標(biāo)簽：DRAM 合肥長(zhǎng)鑫長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 2.6萬(wàn) 0

據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（CXMT）公布了最新的DRAM技術(shù)路線圖，從其路線規(guī)劃來看，其研發(fā)的產(chǎn)品線包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LP...

2019-12-03 標(biāo)簽：DRAM DDR4 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 2.4萬(wàn) 0

長(zhǎng)鑫科創(chuàng)板IPO受理：四季度有望爆賺95億，營(yíng)收或高達(dá)580億！

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2026-01-01 標(biāo)簽：ipo 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1.5萬(wàn) 0

威剛導(dǎo)入長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR4顆粒，國(guó)產(chǎn)內(nèi)存開始發(fā)力

今年2月底，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方宣布，符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正...

2020-05-22 標(biāo)簽：內(nèi)存芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 10k 0

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR5/LPDDR5X雙芯亮相，火力全開！

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2025-11-25 標(biāo)簽：DDR5 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 8.9k 0

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn)片

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn)片，預(yù)計(jì)將超越南亞科技，屆時(shí)市占率將僅次于三大巨頭。此外，長(zhǎng)鑫 17nm工藝即將出世，明年可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。報(bào)道稱，長(zhǎng)鑫...

2020-09-03 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 7k 0

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存加速 DRAM廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)完成156億元融資

? DRAM廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)完成156億元融資，內(nèi)存芯片的國(guó)產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日，工商信息顯示，大基金二期、安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明...

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2025-10-30 標(biāo)簽：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5X 6.3k 0

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與藍(lán)鉑世簽署專利許可協(xié)議

日前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)）與美國(guó)半導(dǎo)體公司Rambus Inc.（以下簡(jiǎn)稱藍(lán)鉑世）簽署專利許可協(xié)議。依據(jù)此協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從藍(lán)鉑世獲得...

2020-04-27 標(biāo)簽：Rambus 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 5.5k 0

兆易創(chuàng)新DDR3L GDPxxxLM系列產(chǎn)品采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）先進(jìn)制程

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2022-10-13 標(biāo)簽：DRAM DDR3 兆易創(chuàng)新 5.1k 0

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)數(shù)據(jù)手冊(cè)

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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