臺(tái)積電設(shè)立2nm試產(chǎn)線

臺(tái)積電設(shè)立2nm試產(chǎn)線 臺(tái)積電已開(kāi)始在新竹寶山晶圓廠(Fab 20)設(shè)立2nm(N2)試產(chǎn)線，計(jì)劃月產(chǎn)能約3000至3500片。臺(tái)積電目前在臺(tái)灣本土建立...

2025-01-02 標(biāo)簽：臺(tái)積電2nm 1.6k 0

臺(tái)積電2nm制成細(xì)節(jié)公布：性能提升15%，功耗降低35%

12月17日消息，在于舊金山舉行的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球晶圓代工巨頭臺(tái)積電公布了其備受矚目的2納米（N2）制程技術(shù)的更多細(xì)...

2024-12-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電2nm 1.6k 0

臺(tái)積電2nm工藝突然泄密

據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電爆出工程師涉嫌盜取2納米制程技術(shù)機(jī)密，臺(tái)灣檢方經(jīng)調(diào)查后，向法院申請(qǐng)羈押禁見(jiàn)3名涉案人員獲準(zhǔn)。 據(jù)悉，由于臺(tái)“科學(xué)及技術(shù)委員會(huì)”已將14...

2025-08-06 標(biāo)簽：臺(tái)積電2nm 1.5k 0

臺(tái)積電放棄28nm工廠計(jì)劃轉(zhuǎn)向2nm？

晶圓產(chǎn)業(yè)目前正面臨著產(chǎn)能過(guò)剩的問(wèn)題，臺(tái)積電也無(wú)法免俗。原計(jì)劃建設(shè)一個(gè)28納米的晶圓廠，但由于市場(chǎng)需求減少，這個(gè)計(jì)劃被取消了。

2023-07-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓代工2nm 1.5k 0

今日看點(diǎn)丨傳臺(tái)積電2nm制程加速安裝設(shè)備；吉利汽車(chē)新一代雷神電混系統(tǒng)年內(nèi)發(fā)布

1.傳臺(tái)積電2nm 制程加速安裝設(shè)備 預(yù)計(jì)2025 年量產(chǎn) ? 據(jù)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈消息稱，臺(tái)積電2nm制程加速安裝設(shè)備，臺(tái)積電新竹寶山Fab20 P1廠將于...

2024-03-25 標(biāo)簽：臺(tái)積電吉利汽車(chē)2nm 1.5k 0

臺(tái)積電2nm制程良率已超60%

據(jù)外媒wccftech的報(bào)道，臺(tái)積電2nm制程取得了突破性進(jìn)展；蘋(píng)果的A20芯片或成首發(fā)客戶；據(jù)Wccftech的最新消息顯示，臺(tái)積電公司已啟動(dòng)2nm測(cè)...

2025-03-24 標(biāo)簽：臺(tái)積電2nm 1.5k 0

特殊的“微波爐”裝置實(shí)現(xiàn)2nm芯片制造工藝技術(shù)突破

在芯片制造過(guò)程當(dāng)中，硅必須摻雜越來(lái)越高的磷濃度，以促進(jìn)準(zhǔn)確和穩(wěn)定的電流傳輸，但隨著芯片工藝要求越來(lái)越高，傳統(tǒng)的退火方法已經(jīng)不再適用，比如2納米芯片對(duì)硅中...

2022-09-19 標(biāo)簽：制造工藝微波爐2nm 1.5k 0

2nm芯片材料是什么？

用一個(gè)簡(jiǎn)單的例子來(lái)描述新結(jié)構(gòu)：在最早的Planar工藝下，半導(dǎo)體材料如同一張2D平面的白紙；到了FinFET時(shí)代，這張白紙被折成了3D的鰭（Fin）狀，...

2022-06-22 標(biāo)簽：晶體管芯片材料2nm 1.5k 0

打響2nm訂單爭(zhēng)奪戰(zhàn)！半導(dǎo)體巨頭競(jìng)相爭(zhēng)取

目前，高通和英偉達(dá)的高端芯片主要依賴于臺(tái)積電進(jìn)行代工。然而，對(duì)于這些芯片巨頭公司來(lái)說(shuō)，多元化的晶圓代工是一項(xiàng)戰(zhàn)略要?jiǎng)?wù)，以降低對(duì)特定供應(yīng)商的依賴性。

2023-12-13 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管芯片制造 1.5k 0

三星晶圓代工事業(yè)競(jìng)逐Meta下一代AI芯片訂單

據(jù)了解，近期，Meta在CEO Zuckerberg訪問(wèn)韓國(guó)期間決定與三星展開(kāi)2nm制程的代工合作。據(jù)媒體援引一位匿名官員的話表示，Zuckerberg...

2024-03-10 標(biāo)簽：臺(tái)積電Meta2nm 1.5k 0

臺(tái)積電2nm芯片研發(fā)迎新突破

臺(tái)積電已經(jīng)明確了2nm工藝的量產(chǎn)時(shí)間表。預(yù)計(jì)試生產(chǎn)將于2024年下半年正式啟動(dòng)，而小規(guī)模生產(chǎn)則將在2025年第二季度逐步展開(kāi)。

2024-04-11 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電晶圓 1.5k 0

臺(tái)積電2nm進(jìn)展超預(yù)期，首季產(chǎn)能利用率達(dá)80%以上

據(jù)悉，臺(tái)積電2nm項(xiàng)目進(jìn)展順利，寶山P1廠定于2024年第四季度開(kāi)始進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，并在2025年第二季度啟動(dòng)大規(guī)模量產(chǎn)，該項(xiàng)目首個(gè)確定的客戶依然是蘋(píng)果。...

2024-02-20 標(biāo)簽：amd臺(tái)積電晶體管 1.4k 0

三大芯片巨頭角逐2nm技術(shù)

過(guò)去數(shù)十年里，芯片設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)始終專注于小型化。減小晶體管體積，能降低功耗并提升處理性能。如今，2nm及3nm已取代實(shí)際物理尺寸，成為描述新一代芯片的關(guān)鍵指標(biāo)。

2023-12-12 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)晶體管2nm 1.4k 0

IBM預(yù)計(jì)到2024年底將投入生產(chǎn)2nm技術(shù)

IBM提出了一種稱為納米片的技術(shù)，可以像堆疊閃存cell一樣堆疊晶體管。

2022-07-01 標(biāo)簽：芯片IBM2nm 1.4k 0

臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利

臺(tái)中科學(xué)園區(qū)已初步規(guī)劃A14和A10生產(chǎn)線，將視市場(chǎng)需求決定是否新增2nm制程工藝。

2024-01-31 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓2nm 1.4k 0

美滿電子推出5nm、3nm、2nm技術(shù)支持的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施新品

該公司的首席開(kāi)發(fā)官Sandeep Bharathi透露，其實(shí)施2nm相關(guān)的投資計(jì)劃已啟動(dòng)。雖無(wú)法公布準(zhǔn)確的工藝和技術(shù)細(xì)節(jié)，但已明確表示，2至5nm制程的...

2024-01-24 標(biāo)簽：數(shù)字設(shè)計(jì)美滿電子2nm 1.3k 0

三星電子：加快2nm和3D半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，共享技術(shù)信息與未來(lái)展望

在技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域，三星電子的3nm與2nm工藝取得顯著進(jìn)步，預(yù)計(jì)本季度內(nèi)完成2nm設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施的開(kāi)發(fā)；此外，4nm工藝的良率亦逐漸穩(wěn)定。

2024-04-30 標(biāo)簽：三星電子晶圓代工2nm 1.3k 0

日本與法國(guó)將合作開(kāi)發(fā)1nm制程半導(dǎo)體

雙方的目標(biāo)是，確立設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)線寬為1.4m1納米的半導(dǎo)體所必需的基礎(chǔ)技術(shù)。這個(gè)節(jié)點(diǎn)需要不同于傳統(tǒng)的晶體管結(jié)構(gòu)，leti在該領(lǐng)域的膜形成等關(guān)鍵技術(shù)上占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

2023-11-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管2nm 1.3k 0