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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram資訊

存儲(chǔ)芯片廠商云海芯科完成A輪融資

近日，四川云海芯科微電子科技有限公司成功完成A輪融資，本輪融資由成都創(chuàng)新風(fēng)險(xiǎn)投資有限公司領(lǐng)投。云海芯科，一家專注于國(guó)產(chǎn)化存儲(chǔ)芯片及解決方案研發(fā)與銷售的科...

2024-05-31 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)芯片 1.5k 0

南亞科技明年初試產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒，四款1Bnm制程DRAM產(chǎn)品已投產(chǎn)

據(jù)悉，現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計(jì)劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量，...

2024-05-30 標(biāo)簽：DRAM DDR4 南亞科技 2.7k 0

SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)

SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐，計(jì)劃在其第6代（1c工藝，約10nm）DRAM的生產(chǎn)中，首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠（MOR）。...

2024-05-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM SK海力士 1.7k 0

SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型Inpria MOR光刻膠

據(jù) TheElec報(bào)道，SK Hynix 已決定在其第 6 帶（即 1c 工藝，約為 10nm）DRAM 生產(chǎn)過(guò)程中采用 Inpria 下一代金屬氧化物...

2024-05-30 標(biāo)簽：DRAM 光刻膠 SK海力士 2.9k 0

四川云海芯科完成A輪融資，致力于國(guó)產(chǎn)化存儲(chǔ)芯片及解決方案研發(fā)

這家成立于2022年8月的初創(chuàng)企業(yè)致力于研發(fā)與銷售國(guó)產(chǎn)化存儲(chǔ)芯片以及相應(yīng)解決方案，主營(yíng)業(yè)務(wù)包括SSD存儲(chǔ)方案及DRAM方案設(shè)計(jì)。公司總部設(shè)在成都，并在北...

2024-05-30 標(biāo)簽：DRAM SSD 存儲(chǔ)芯片 2.2k 0

美光計(jì)劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

據(jù)日媒報(bào)道，美光科技計(jì)劃投入6000億-8000億日?qǐng)A（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026...

2024-05-29 標(biāo)簽：DRAM 美光 745 0

三星已成功開(kāi)發(fā)16層3D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動(dòng)上，三星DRAM部門(mén)的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個(gè)重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層...

2024-05-29 標(biāo)簽：芯片 DRAM 三星 1.5k 0

廣穎電通亮相2024臺(tái)北國(guó)際電腦展，展示DRAM-less無(wú)外置緩存解決方案

其中最令人矚目的是其采用DRAM-less無(wú)外部緩存方案的PCIe Gen5固態(tài)硬盤(pán)US85，此款固態(tài)硬盤(pán)具備PCIe Gen5x4高速傳輸接口，順序讀...

2024-05-29 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)卡固態(tài)硬盤(pán) 1.2k 0

美光科技調(diào)整計(jì)劃，2027年底日本新廠投產(chǎn)

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商美光科技近日宣布，將在日本廣島縣興建一座新的DRAM芯片生產(chǎn)工廠。該項(xiàng)目的總投資預(yù)計(jì)高達(dá)6000億至8000億日元，預(yù)計(jì)于2026...

2024-05-29 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 DRAM 1.3k 0

美光科技計(jì)劃在日本投資建設(shè)DRAM芯片工廠

近日，美國(guó)芯片巨頭美光科技宣布了一項(xiàng)重大投資計(jì)劃。據(jù)悉，該公司將在日本廣島縣建設(shè)一家全新的DRAM芯片工廠，預(yù)計(jì)總投資將達(dá)到6000至8000億日元。

2024-05-29 標(biāo)簽：芯片 DRAM 美光科技 1.3k 0

美光宣布將在日本廣島建設(shè)DRAM工廠

據(jù)悉，新廠將采用EUV光刻機(jī)技術(shù)，并計(jì)劃在2025年量產(chǎn)的下一代1-gamma（nm）節(jié)點(diǎn)引入EUV光刻技術(shù)。鑒于DRAM行業(yè)的代際周期，新廠有望具備生...

2024-05-28 標(biāo)簽：DRAM 美光 EUV 1.4k 0

美光HBM3E解決方案，高帶寬內(nèi)存助力AI未來(lái)發(fā)展

美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目，這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能，功耗...

2024-05-28 標(biāo)簽：DRAM GPT 大模型 1.9k 0

SK海力士：HBM3E量產(chǎn)時(shí)間縮短50%，達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率

據(jù)報(bào)道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。

2024-05-27 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM3E 2.1k 0

美光科技或需賠償Netlist內(nèi)存子系統(tǒng)專利三倍

5月23日，美國(guó)得克薩斯州東區(qū)地方法院裁判小組判定美光生產(chǎn)的DRAM芯片侵犯了Netlist關(guān)于優(yōu)化檔案調(diào)用性能的兩項(xiàng)專利，并認(rèn)定美光有意侵權(quán)。

2024-05-27 標(biāo)簽：芯片 DRAM 美光科技 852 0

三星電子研發(fā)16層3D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管

在今年的IEEE IMW 2024活動(dòng)中，三星DRAM業(yè)務(wù)的資深副總裁Lee指出，已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM，其中美光更是發(fā)展...

2024-05-22 標(biāo)簽：DRAM 硅晶圓三星 1.7k 0

三星、SK海力士對(duì)DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士?jī)纱缶揞^依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲，這一上漲主要?dú)w...

2024-05-22 標(biāo)簽：DRAM SK海力士三星 1.1k 0

三星和SK海力士未恢復(fù)增產(chǎn)并計(jì)劃限制DRAM產(chǎn)量

　根據(jù)行業(yè)預(yù)估，三星和SK海力士有望在今年擴(kuò)展產(chǎn)量以應(yīng)對(duì)逐步好轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體市場(chǎng)環(huán)境。然而，他們?cè)诮衲暌患径蓉?cái)政報(bào)告會(huì)上均表示，DRAM產(chǎn)量可能會(huì)受到制約。

2024-05-22 標(biāo)簽：DRAM SK海力士三星 1k 0

三星電子和SK海力士對(duì)通用存儲(chǔ)芯片增產(chǎn)持謹(jǐn)慎態(tài)度

據(jù)悉，四月份8GB DDR4 DRAM的合同價(jià)格較上月增長(zhǎng)了17%，但128GB（16G x 8）MLC通用閃存在便攜式存儲(chǔ)設(shè)備如閃存盤(pán)中的價(jià)格維持不變。

2024-05-22 標(biāo)簽：DRAM DDR4 存儲(chǔ)設(shè)備 1k 0

機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%

據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce估算，市場(chǎng)對(duì)HBM需求呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)，加上HBM利潤(rùn)高，故三星、SK海力士及美光國(guó)際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片

2024-05-22 標(biāo)簽：DRAM 晶圓 HBM 1.4k 0

三星電子與SK海力士預(yù)測(cè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，HBM產(chǎn)能售罄

全球知名存儲(chǔ)芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判，今年DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）價(jià)格將持續(xù)攀升，受益于市場(chǎng)對(duì)于高端芯片，尤其是人工智能相關(guān)芯片的強(qiáng)大需求。

2024-05-15 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器人工智能 1.1k 0

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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來(lái)到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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