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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問(wèn)題，國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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臺(tái)積電EUV光刻機(jī)采購(gòu)將超過(guò)50臺(tái)；完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)！我國(guó)三代核電技術(shù) “國(guó)和一號(hào)”研發(fā)完成…

9月28日消息，臺(tái)積電加速先進(jìn)制程推進(jìn)，近期擴(kuò)大釋單，累計(jì) EUV 機(jī)臺(tái)至 2021年底將超過(guò)50臺(tái)。報(bào)道指出，相較之下，三星電子（Samsung El...

2020-09-29 標(biāo)簽：臺(tái)積電核電 EUV 4.2k 0

美光DRAM技術(shù)路線解讀

美光表示，隨著從1Xnm到1Yn和1Znm的轉(zhuǎn)變，位密度的增長(zhǎng)速度減慢了。但是，該公司加快了增長(zhǎng)率，從1Znm到1αnm工藝節(jié)點(diǎn)尺寸增加了40％。

2020-12-02 標(biāo)簽：芯片 DRAM EUV 4.2k 0

中芯訂購(gòu)EUV設(shè)備，只為縮小差距

據(jù)知情人士透露，中國(guó)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際已經(jīng)訂購(gòu)了一臺(tái)EUV設(shè)備，在中美兩國(guó)貿(mào)易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場(chǎng)領(lǐng)先者的技術(shù)差距，確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)...

2018-05-27 標(biāo)簽：英特爾中芯國(guó)際三星電子 4.2k 0

芯片制造關(guān)鍵的EUV光刻機(jī)單價(jià)為何能超1億歐元？

進(jìn)入10nm工藝節(jié)點(diǎn)之后，EUV光刻機(jī)越來(lái)越重要，全球能產(chǎn)EUV光刻機(jī)的就是荷蘭ASML公司了，他們總共賣出18臺(tái)EUV光刻機(jī)，總價(jià)值超過(guò)20億歐元，折...

2017-01-19 標(biāo)簽：芯片制造光刻機(jī)EUV 4.1k 0

傳三星與SK海力士正在研發(fā)EUV技術(shù) 未來(lái)有機(jī)會(huì)藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低

就在臺(tái)積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲(chǔ)器龍頭三星在未來(lái)1Y納米制程的DRAM存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)上，也在...

2018-10-29 標(biāo)簽：DRAM 三星電子 EUV 4.1k 0

英特格宣布新一代光罩盒已獲ASML認(rèn)證

微電子產(chǎn)業(yè)特種化學(xué)品和材料解決方案廠商英特格（Entegris）宣布，新一代的光罩盒已獲得半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備商艾司摩爾（ASML）的認(rèn)證，可用于極紫...

2018-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 EUV ASML 4.1k 0

三星將在明年推5/4nmEUV工藝 2020年推3nmEUV工藝

隨著Globalfoundries以及聯(lián)電退出先進(jìn)半導(dǎo)體工藝研發(fā)、投資，全球有能力研發(fā)7nm及以下工藝的半導(dǎo)體公司就只剩下英特爾、臺(tái)積電及三星了，不過(guò)英...

2018-09-06 標(biāo)簽：三星電子 FinFET EUV 4.1k 0

日韓貿(mào)易戰(zhàn)愈演愈烈將直接影響三星電子EUV工藝研發(fā)進(jìn)度

近日，日韓貿(mào)易戰(zhàn)愈演愈烈，日本宣布氟聚酰亞胺（Fluorine Polyimide）、半導(dǎo)體制造中的核心材料光刻膠和高純度氟化氫（Eatching Ga...

2019-07-14 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電 EUV 4.1k 0

從ASML年收入140億歐元，看光刻機(jī)市場(chǎng)格局

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/程文智）1月20日，ASML發(fā)布了其第四季度的財(cái)報(bào)，銷售額達(dá)到了43億歐元，全年凈銷售額140億歐元，毛利率48.6%，凈利潤(rùn)金額...

2021-01-22 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV ASML 4.1k 0

三星首次分享了基于EUV技術(shù)的7nm工藝細(xì)節(jié)

另外，7nm EUV的好處還在于，比多重曝光的步驟要少，也就是相同時(shí)間內(nèi)的產(chǎn)量將提升。當(dāng)然，這里說(shuō)的是最理想的情況，比如更好的EUV薄膜以減少光罩的污...

2018-06-22 標(biāo)簽：三星電子 euv 4.1k 0

英特爾預(yù)計(jì)10納米產(chǎn)品將在6月開(kāi)始出貨并預(yù)期2021年7納米制程可望進(jìn)入量產(chǎn)階段

就在臺(tái)積電及三星電子陸續(xù)宣布支援極紫外光（EUV）技術(shù)的7納米技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段后，半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定開(kāi)始進(jìn)入10納米時(shí)代，預(yù)計(jì)采用10納米產(chǎn)品將在6...

2019-05-14 標(biāo)簽：處理器英特爾 EUV 4.1k 0

臺(tái)積電率先導(dǎo)入EUV量產(chǎn)，將繼續(xù)穩(wěn)坐晶圓代工龍頭寶座

臺(tái)積電明年上半年將獨(dú)步同業(yè)，成為全世界第一家采用最先進(jìn)的極紫外光（EUV）微影設(shè)備完成量產(chǎn)的晶圓代工廠，助攻臺(tái)積電橫掃全球多數(shù)第五代行動(dòng)通訊（5G）及人...

2018-07-23 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓 euv 4.1k 0

臺(tái)積電基于GAA技術(shù)的2nm制程將會(huì)在2025年量產(chǎn)

臺(tái)積電2021 年12,000 種產(chǎn)品，其中采用了300 多種制程，這些都是生態(tài)系合作的結(jié)果，沒(méi)有生態(tài)系的支持，臺(tái)積電就沒(méi)辦法進(jìn)步。

2022-09-06 標(biāo)簽：臺(tái)積電芯片設(shè)計(jì)EUV 4.1k 0

三星電子向臺(tái)積電發(fā)起正面挑戰(zhàn) 擬用10年時(shí)間挑戰(zhàn)臺(tái)積電世界首位的寶座

境外媒體報(bào)道稱，韓國(guó)三星電子在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域向臺(tái)積電發(fā)起正面挑戰(zhàn)。三星將每年花費(fèi)巨額投資，確定采用新一代生產(chǎn)技術(shù)“EUV（極紫外光刻）”的量產(chǎn)體制，用1...

2019-11-13 標(biāo)簽：臺(tái)積電三星電子 EUV 4.1k 0

臺(tái)積電宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn) 并透露了5納米節(jié)點(diǎn)的首個(gè)時(shí)間表

持續(xù)同時(shí)朝多面向快速進(jìn)展的晶圓代工大廠臺(tái)積電（TSMC），于美國(guó)硅谷舉行的年度技術(shù)研討會(huì)上宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn)，并將有一個(gè)采用極紫外光微影（EUV）...

2018-05-11 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓 finfet 4.1k 0

14納米工藝節(jié)點(diǎn)會(huì)給設(shè)計(jì)帶來(lái)哪些挑戰(zhàn)？

據(jù)國(guó)際物理系統(tǒng)研討會(huì)（ISPD）上專家表示：實(shí)現(xiàn)14納米芯片生產(chǎn)可能會(huì)比原先想象的更困難；14納米節(jié)點(diǎn)給設(shè)計(jì)師帶來(lái)了許多挑戰(zhàn)。這些困難和挑戰(zhàn)何在？詳見(jiàn)本文...

2013-04-08 標(biāo)簽：3D FinFET EUV 4.1k 0

美國(guó)泛林宣布與ASML、IMEC合作開(kāi)發(fā)出新的EUV光刻技術(shù) 成本大幅降低

2月28日，美國(guó)泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時(shí)微電子中心合作開(kāi)發(fā)了新的EUV光刻技術(shù)，不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能，還將光刻膠...

2020-02-29 標(biāo)簽：光刻 IMEC EUV 4.1k 0

探析EUV光刻未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)

用于高端邏輯半導(dǎo)體量產(chǎn)的EUV(Extreme Ultra-Violet，極紫外線光刻)曝光技術(shù)的未來(lái)藍(lán)圖逐漸“步入”我們的視野，從7nm階段的技術(shù)節(jié)點(diǎn)...

2019-01-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 EUV 4.1k 0

半導(dǎo)體巨頭為什么追捧EUV光刻機(jī)

近些年來(lái)EUV光刻這個(gè)詞大家應(yīng)該聽(tīng)得越來(lái)越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺(tái)積電的7nm+也...

2020-02-29 標(biāo)簽：處理器 cpu euv 4.1k 0

EUV光刻的兩大挑戰(zhàn)者，誰(shuí)扛大旗？

過(guò)去二十年見(jiàn)證了193 nm以下波長(zhǎng)光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開(kāi)發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力，但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 1...

2023-02-02 標(biāo)簽：摩爾定律光刻技術(shù)EUV 4.1k 0

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