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SiC 和 GaN 功率半導體市場趨勢,2019 年以來發(fā)生了什么變化?
11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》,在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下,碳化硅(...
RF-LAMBDA微波PIN、GaAs和Gan開關的特點介紹
隨著PIN開關在電子系統(tǒng)中的應用日益廣泛,引腳開關驅動器的設計越來越受到國內(nèi)外元器件制造商的重視。PIN開關驅動器的響應速度是其重要指標之一。PIN是經(jīng)...
GaN為何這么火?究其原因還是在于功率密度的提升,在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更大的功率,從而以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能。提升功率密度的四個重要方面包括:降低損...
2020-11-02 標簽:GaN工業(yè)4.0工業(yè)互聯(lián)網(wǎng) 4.5k 0
近日,有權威人士透露,我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃,以期在 2021-2025 年期間實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。第三代半...
2020-10-30 標簽:GaN 595 0
ST 發(fā)布了市場首個也是唯一的單封裝集成 600 V 柵極驅動器和兩個加強版氮化鎵(GaN)晶體管的 MASTERGAN1。同類競品只提供一顆 GaN ...
致工程師系列之四:寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優(yōu)化驗證
第三代寬禁帶半導體器件 GaN 和 SiC 的出現(xiàn),推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開關器件既能實現(xiàn)低開關損耗,又能處理超高速 dv/dt 轉換,...
“GaN 為何這么火?”如果再有人這么問你。 最簡單的回答:“因為我們離不開電源,并且我們不斷追求更好的電源系統(tǒng)!” 今天,基于 GaN 器件的快充已在...
2020-10-29 標簽:GaN 777 0
近日,有權威人士透露,我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)寫入正在制定中的十四五規(guī)劃,以期在2021-2025年期間實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。 重視之余,還要...
以5G為代表的Sub 6G通信射頻系統(tǒng)非常復雜,尤其是那些需要使用高載波頻率和寬頻帶的新技術,包括載波聚合、Massive MIMO等。為此,很多半導體...
蘇州納米所在器件制備、可靠性測試分析和器件制造方面取得重大進展
本期分享的科研成果為蘇州納米所孫錢團隊九月底于功率半導體頂級學術會議IEEE ISPSD發(fā)布的最新技術成果,其團隊在器件制備、器件可靠性測試分析和器件制...
晶體管的高速度、低電阻率和低飽和開關的優(yōu)點意味著它們有望在電力電子學中找到許多應用案例。因此,工業(yè)界正在研究新的電力電子系統(tǒng)結構、電路拓撲和封裝解決方案...
如果說2019年是5G元年,那么2020就是5G的正式商用之年。5G手機越來越多,5G已經(jīng)逐漸進入了我們的日常生活,5G時代已經(jīng)到來了。
來源:羅姆半導體社區(qū)? 目前, 人工智能 ( AI )領域正在快速發(fā)展,每隔一段時間就取得新的突破。最近突出的一個詞是Generative Advers...
2022-11-15 標簽:GaN 970 0
來源:羅姆半導體社區(qū) 半導體原料共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導體原料;第二階段是以砷化鎵?(GaAs)...
來源:羅姆半導體社區(qū)? 制造工藝、材料和包裝技術的進步,加上新的應用領域的出現(xiàn),正在為寬帶隙器件創(chuàng)造各種各樣的復蘇。 電子制造業(yè)正以高于美國GDP的穩(wěn)定...
來源:RF技術社區(qū)? 本文來自與非網(wǎng) 傳統(tǒng)的音頻放大技術是一個充滿挑戰(zhàn)的領域,發(fā)燒友們對于構成家庭音頻最佳設置的要素有明顯不同意見。對于那些堅持使用經(jīng)典...
來源:RF技術社區(qū) 5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,簡稱功放)芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長,成為各家射頻公司爭奪的焦點。 在...
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