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羅姆EcoGaN產品GaN HEMT被村田AI服務器電源采用
全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產品GaN HEMT,被先進的日本電子元器...
據報道,武漢大學的研究團隊近期公布了采用PSSA(patterned sapphire with silica array)襯底來降低氮化鎵接合邊界失配...
非對稱穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅動 - 現在,借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉換器為 IGBT、Si、S...
據外媒報道,格芯已獲得美國政府3500萬美元(折合人民幣約2.56億元)的資助,用于其佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶圓,該...
直流母線電壓將確定用于測量的探頭所需的最大額定電壓。對于交流線路信號,這是交流線路的峰峰值電壓。在開關功率器件中,母線電壓通常是AC線路全波整流的峰值電...
德高化成第三代半導體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產項目正式開工
據天津經開區(qū)一泰達消息,近日,天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司(以下簡稱德高化成)在天津經開區(qū)的施工現場打下第一根樁,...
臺亞半導體于近日成功召開股東會,會議通過了將8英寸GaN(氮化鎵)事業(yè)群分割給子公司冠亞半導體的計劃。這是繼兩年前臺亞將系統(tǒng)事業(yè)群劃分給星亞視覺后,再次...
一直專注于汽車半導體市場的三星電子宣布進軍下一代功率半導體市場。相應地,硅半導體時代是否會結束、新材料市場是否會打開,業(yè)內人士都在關注。
據晶湛半導體消息,晶湛半導體業(yè)界公認的硅氮化鎵(e -on-si)外延技術開拓者程凱博士將于2012年3月回國創(chuàng)業(yè)。國際先進的氮化鎵外延材料開發(fā)和產業(yè)化基地
提高功率密度的路線圖從降低傳導動態(tài)損耗開始。與碳化硅相比,氮化鎵可以顯著降低動態(tài)損耗,因此可以降低整體損耗。因此,這是未來實現高功率密度的一種方法。
氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術,提供超越硅的多種優(yōu)勢,被稱為第三代半導體材料,用于電源系統(tǒng)的設計如功率因數校正(PFC)、軟開關DC-D...
致工程師系列之四:寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優(yōu)化驗證
第三代寬禁帶半導體器件 GaN 和 SiC 的出現,推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開關器件既能實現低開關損耗,又能處理超高速 dv/dt 轉換,...
Transphorm的GaN首次達到對電機驅動應用至關重要的短路穩(wěn)健性里程碑
Yaskawa企業(yè)技術部基礎研發(fā)管理部經理Motoshige Maeda表示:“如果功率半導體器件無法承受短路事件,系統(tǒng)本身可能失效。業(yè)界普遍認為GaN...
2021 年是世界決定向氮化鎵 (GaN) 敞開大門的過渡年。EPC 首席執(zhí)行官 Alex Lidow 在 CES 周期間接受 Power Electr...
采用基于GaN的馬達系統(tǒng)提高機器人應用的效率和功率密度
機器人在不同的市場領域中都有著廣泛應用,并呈現出多種形式,其中包括服務機器人、協(xié)作機器人(cobot)、工業(yè)機器人 、自動駕駛無人機 和自動導引車輛等。...
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