完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > gan
文章:2081個(gè) 瀏覽:83163次 帖子:161個(gè)
應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)?
GaN為何物?應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)? GaN, 全名氮化鎵(Gallium Nitride),是一種半導(dǎo)體材料...
SK啟方半導(dǎo)體計(jì)劃年底完成650V GaN HEMT開(kāi)發(fā)工作
在半導(dǎo)體技術(shù)的浪潮中,韓國(guó)8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN(氮化鎵...
2024-06-25 標(biāo)簽:晶圓GaN功率半導(dǎo)體 1.2k 0
8月28日至30日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商英飛凌,在深圳盛大亮相“2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(PCIM Asia)”,以“數(shù)...
? 全球繼電器銷(xiāo)售額呈現(xiàn)整體增長(zhǎng)趨勢(shì),主要得益于汽車(chē)、家用電器、工業(yè)控制等傳統(tǒng)下游市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng),以及新能源、人工智能(AI)、智能制造等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)...
12月4日,2025行家說(shuō)三代半年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇在深圳隆重舉辦。江蘇宏微科技股份有限公司CTO、上海宏微愛(ài)賽半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)...
一文盤(pán)點(diǎn)2016年突破性LED相關(guān)技術(shù)
2016年即將畫(huà)上句號(hào),回顧LED行業(yè)一整年的發(fā)展,在諸多技術(shù)難題上獲得了喜人的突破。據(jù)在線君不完全統(tǒng)計(jì),2016年到目前為止,LED行業(yè)獲得了十余項(xiàng)突...
2016-12-29 標(biāo)簽:LEDLED技術(shù)GaN 1.2k 0
本次交易將會(huì)導(dǎo)致公司合并報(bào)表范圍發(fā)生變化,本次交易完成后,公司持有聚能創(chuàng)芯股權(quán)的比例由32.02%變更為25.02%,聚能創(chuàng)芯不再是公司控股子公司,不再...
南通至晟微電子有限公司今天宣布完成新一輪近億元A輪融資,本輪融資由耀途資本與容億投資聯(lián)合領(lǐng)投,拓金資本、盛宇資本及產(chǎn)業(yè)機(jī)構(gòu)跟投,同時(shí)公司將于近期完成由頂...
Luminus Devices與湖南三安半導(dǎo)體簽署合作協(xié)議
Luminus Devices近日宣布,已與湖南三安半導(dǎo)體簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,Luminus將成為湖南三安在美洲地區(qū)的獨(dú)家銷(xiāo)售渠道,負(fù)責(zé)銷(xiāo)售其...
芯導(dǎo)科技榮獲傳音控股2025年度鼎立支持獎(jiǎng)
近日,“傳音千里 聲聲不息”傳音控股2025年度供應(yīng)商頒獎(jiǎng)典禮在深圳隆重舉行。作為長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴,芯導(dǎo)科技(股票代碼:688230.SH)憑借卓越的產(chǎn)...
GaN-Based如何在EMI和功耗之間尋找一個(gè)最優(yōu)的平衡?
GaN-Based如何在EMI和功耗之間尋找一個(gè)最優(yōu)的平衡? GaN-Based材料是一種具有廣泛應(yīng)用前景的寬能隙半導(dǎo)體材料,其在高頻功率電子設(shè)備中具有...
適用于CSP GaN FET的簡(jiǎn)單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
基于物理引導(dǎo)粒子群算法的Si基GaN功率器件特性精準(zhǔn)擬合
? ? ? ?在高壓功率電子領(lǐng)域,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)因其優(yōu)異的性能與成本優(yōu)勢(shì)展現(xiàn)出巨大潛力。然而,Si與GaN材...
國(guó)產(chǎn)GaN迎來(lái)1700V突破!
該文獻(xiàn)進(jìn)一步透露,實(shí)現(xiàn)這一器件所采用的氮化鎵外延材料結(jié)構(gòu)包括:1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。
華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”
近期,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說(shuō)三代半”主辦的“2023年行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開(kāi)帷幕,數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代...
Transphorm公司的TOLL FET將GaN定位為適用于耗電型AI應(yīng)用的最佳器件
Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)是強(qiáng)大的GaN功率半導(dǎo)體(下一代電力系統(tǒng)的未來(lái))領(lǐng)域全球領(lǐng)先的企業(yè)。該公司今天推出了三款TOL...
目前,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界電場(chǎng)高和電子飽和漂移速度快等優(yōu)勢(shì),突破了硅與傳統(tǒng)化合物材料(GaAs、InP等)技術(shù)發(fā)...
近年來(lái),半絕緣SiC襯底上外延生長(zhǎng)的GaN高遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMTs)已廣泛應(yīng)用于微波射頻領(lǐng)域的功率放大器電路中。
2022-12-02 標(biāo)簽:GaN 1.1k 0
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有類(lèi)似的高寬帶隙能量,從而使它們?cè)陂_(kāi)關(guān)能力、效率、大功率和高壓處理方面比硅、鍺或砷化鎵等其他半導(dǎo)體更具優(yōu)勢(shì)。
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |