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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

常用元件參數(shù)與選用

常用元件參數(shù)與選用

常用電子元件有:電阻、電容、二極管、三極管、可控硅、IGBT、MOSFET等。

2023-05-30 標(biāo)簽:三極管二極管MOSFET 5k 0

SiC光伏并網(wǎng)逆變器是什么有什么樣的作用

人類社會(huì)的進(jìn)步離不開社會(huì)上各行各業(yè)的努力,各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計(jì)者的努力,其實(shí)很多人并不會(huì)去了解電子產(chǎn)品的組成,比如SiC光伏并網(wǎng)逆變器。

2021-01-03 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC 5k 0

導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減

導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減

更高系統(tǒng)效率和功率密度,是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的首要目標(biāo)。為達(dá)此一目的,半導(dǎo)體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體...

2014-03-25 標(biāo)簽:MOSFET快捷半導(dǎo)體柵極屏蔽 5k 0

經(jīng)典電路分析:擴(kuò)展運(yùn)放輸出電壓范圍

經(jīng)典電路分析:擴(kuò)展運(yùn)放輸出電壓范圍

有時(shí)實(shí)際工作中需要高輸出電壓,在此我們給出一個(gè)能夠擴(kuò)展輸出電壓擺幅而保持電路的其他特性(比如帶寬、擺率基本不變)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

2023-10-18 標(biāo)簽:放大器MOSFET跟隨器 4.9k 0

CE系列高壓MOSFET:專為消費(fèi)類電子和照明而生

英飛凌CE系列CoolMOS 是英飛凌公司專為消費(fèi)類電子產(chǎn)品和照明產(chǎn)品推出的高壓功率MOSFET。##該案例為一款全球輸入范圍的15W充電器。##接下來...

2015-03-24 標(biāo)簽:MOSFETLED照明消費(fèi)電子 4.9k 1

基于SiC MOSFET的儲(chǔ)能變流器功率單元設(shè)計(jì)方法

基于SiC MOSFET的儲(chǔ)能變流器功率單元設(shè)計(jì)方法

摘要:隨著儲(chǔ)能變流器向大容量、模塊化發(fā)展,碳化硅(SiC)器件由于其低損耗、耐高溫的特性,逐漸成為研究熱點(diǎn)。然而SiC器件過高的開關(guān)速度使其對(duì)電路中雜散...

2024-02-22 標(biāo)簽:MOSFET變換器SiC 4.9k 0

面向高功率密度與長(zhǎng)壽命需求的AI電池儲(chǔ)能柜MOSFET選型策略與器件適配手冊(cè)

面向高功率密度與長(zhǎng)壽命需求的AI電池儲(chǔ)能柜MOSFET選型策略與器件適配手冊(cè)

隨著人工智能算力需求爆發(fā)與新能源戰(zhàn)略深化,AI電池儲(chǔ)能柜已成為數(shù)據(jù)中心、智算中心等關(guān)鍵設(shè)施的能源保障核心。功率轉(zhuǎn)換與電池管理系統(tǒng)作為整機(jī)“能量樞紐與大腦...

2026-03-18 標(biāo)簽:MOSFETAI電池 4.9k 0

什么是理想二極管?理想旁路二極管為智能化光伏組件提供保障

什么是理想二極管?理想旁路二極管為智能化光伏組件提供保障

隨著全球范圍內(nèi)參與到氣候計(jì)劃,減少碳排放以及減少化石能源使用,在生產(chǎn)和生活中使用新能源成為當(dāng)今的一個(gè)共識(shí)。

2024-04-23 標(biāo)簽:MOSFET光伏電池漏電流 4.9k 0

SiC MOSFET模塊的損耗計(jì)算

SiC MOSFET模塊的損耗計(jì)算

為了安全使用SiC模塊,需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對(duì)IGBT,M...

2025-06-18 標(biāo)簽:MOSFETIGBT三菱電機(jī) 4.9k 0

SiC-MOSFET的體二極管的特性

SiC-MOSFET的體二極管的特性

如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講,體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的,也被...

2023-02-24 標(biāo)簽:二極管MOSFETSiC 4.9k 0

詳細(xì)的MOSFET制造工藝流程及版圖設(shè)計(jì)

  帶保護(hù)環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬   A.Kanale和B.J.Baliga,“加強(qiáng)短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...

2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSiC 4.9k 0

MOS管的知識(shí),看這一篇就可以了

今天的文章簡(jiǎn)單總結(jié)一下MOS管,如下是本文目錄。

2023-01-05 標(biāo)簽:二極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 4.9k 0

如何選擇升壓穩(wěn)壓器/控制器IC并使用LTspice選擇外設(shè)元件

如何選擇升壓穩(wěn)壓器/控制器IC并使用LTspice選擇外設(shè)元件

圖5顯示了異步升壓拓?fù)涞暮?jiǎn)化原理圖,圖6顯示了異步降壓拓?fù)涞暮?jiǎn)化原理圖。兩者的D模塊是驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的PWM信號(hào),開關(guān)周期的占空比由輸入和輸出電壓...

2022-12-16 標(biāo)簽:MOSFET控制器穩(wěn)壓器 4.9k 0

功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗

功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗

損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動(dòng)器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請(qǐng)參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動(dòng)器電壓或者實(shí)測(cè),或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。

2020-04-05 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng) 4.9k 0

功率MOSFET器件的單脈沖雪崩能量參數(shù)解讀

功率MOSFET器件的單脈沖雪崩能量參數(shù)解讀

在功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)與選型中,單脈沖雪崩能量(Single Pulse Avalanche Energy, EAS)是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)。它量化...

2026-01-20 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計(jì) 4.9k 0

MOS管的電路分析和應(yīng)用案例

MOS管的電路分析和應(yīng)用案例

放大器:MOS管可以用作放大器,通過調(diào)節(jié)柵極電壓來控制電流增益。這在放大音頻信號(hào)、射頻信號(hào)等方面非常有用。

2023-10-01 標(biāo)簽:放大器電路分析MOSFET 4.9k 0

同步整流的開通和關(guān)斷機(jī)理

同步整流的開通和關(guān)斷機(jī)理

隨著能源的日益緊張,國(guó)家高度重視嚴(yán)格能效約束,推動(dòng)了各行各業(yè)的節(jié)能降碳。另外,隨著電源的能效標(biāo)準(zhǔn)(DoE Level VI和CoC Tier2)的頒布,...

2023-06-21 標(biāo)簽:MOSFET整流二極管功率管 4.9k 0

A6862主要特性和優(yōu)勢(shì)_汽車三相固態(tài)繼電器MOSFET驅(qū)動(dòng)方案

A6862主要特性和優(yōu)勢(shì)_汽車三相固態(tài)繼電器MOSFET驅(qū)動(dòng)方案

Allegro MicroSystems公司的A6862是N溝功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,具有三個(gè)獨(dú)立的浮置柵極驅(qū)動(dòng)輸出,集成的電荷泵控制器穩(wěn)壓器在電源電壓...

2018-04-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 4.8k 0

MOSFET在BMS的應(yīng)用案例

電池管理系統(tǒng)是一種能夠?qū)﹄姵剡M(jìn)行監(jiān)控和管理的電子裝備,是電池與用戶之間的紐帶。通過對(duì)電壓、電流、溫度以及SOC等數(shù)據(jù)采集,計(jì)算進(jìn)而控制電池的充放電過程,...

2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET充電器MOS管 4.8k 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管

P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱P-MOSFET(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor F...

2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管p溝道 4.8k 0

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