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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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隨著能源效率成為全球關(guān)注的焦點,半導(dǎo)體行業(yè)迎來了技術(shù)革新的浪潮。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)便是這一背景下的產(chǎn)物,其通過電場效應(yīng)調(diào)控導(dǎo)電...
如何將SiC庫導(dǎo)入LTspice并對其進(jìn)行仿真
碳化硅 (SiC)是一種越來越重要的半導(dǎo)體材料:用這種材料制造的電子元件越來越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫,這些組件現(xiàn)在在...
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
正激式開關(guān)電源的工作原理相對復(fù)雜但高效,其工作原理主要涉及能量的轉(zhuǎn)換、傳輸和控制。
2024-08-19 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)管正激式開關(guān)電源 4.8k 0
FET 恒流源使用 JFET 和 MOSFET 來提供負(fù)載電流,盡管負(fù)載電阻或電源電壓發(fā)生變化,但仍保持恒定。
關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)MOSFET提供了巨大的新特性和功能,但同時也帶來了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET,同時克服了驅(qū)動...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動器 4.8k 0
Line Edge Roughness (LER) 線邊緣粗糙度
來源:C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度(LER)指的是柵極圖案邊緣的隨機(jī)變化,即印刷圖案邊緣的粗糙度。當(dāng)最小特征尺寸減小到幾十...
基于電流采樣運放的DCDC電源輸出線損補償電路的詳細(xì)推導(dǎo)計算
本文以LMR14030和INA213為例,給出了線損補償?shù)脑敿?xì)推導(dǎo)。當(dāng)客戶需要更改電路器件(例如使用不同的DCDC或電流采樣運放)或更改電路參數(shù)(例如要...
MAX17633同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器的功能特點介紹
This video provides an introduction to the MAX17633 family of parts (MAX1763...
2018-10-11 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfetmaxim 4.8k 0
關(guān)于SiC MOSFET短路Desat保護(hù)設(shè)計
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域...
繼上一篇“兩相雙極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動”之后,本文將從兩相單極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動電路,兩相單極步進(jìn)電機(jī)的兩相勵磁PWM驅(qū)動波形兩個方面來介紹“兩相單極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)...
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動電路 4.8k 0
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,就會發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時,自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離...
有刷直流電機(jī)驅(qū)動H橋電路:輸出狀態(tài)的切換
本文將介紹有刷直流電機(jī)驅(qū)動的H橋的實際控制(切換)。 H橋電路:輸出狀態(tài)的切換 在上一篇文章中我提到過在向電機(jī)的兩個端子施加電壓時有四種連接方式: ①兩...
感應(yīng)加熱的基本原理 感應(yīng)加熱中的功率半導(dǎo)體
感應(yīng)加熱是一種強大的熱處理技術(shù),它利用感應(yīng)電流在導(dǎo)電材料內(nèi)產(chǎn)生的電阻加熱來快速加熱金屬物體。
2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管感應(yīng)加熱 4.7k 0
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