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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

仁懋MOSFET:驅(qū)動(dòng)13萬(wàn)轉(zhuǎn)暴力風(fēng)扇無(wú)刷電機(jī)的隱形力量

仁懋MOSFET:驅(qū)動(dòng)13萬(wàn)轉(zhuǎn)暴力風(fēng)扇無(wú)刷電機(jī)的隱形力量

仁懋MOSFET驅(qū)動(dòng)13萬(wàn)轉(zhuǎn)暴力風(fēng)扇無(wú)刷電機(jī)應(yīng)用炎炎夏日,一款性能卓越、風(fēng)力強(qiáng)勁的戶外暴力風(fēng)扇無(wú)疑是消暑利器。而在這背后,仁懋電子的MOSFET產(chǎn)品以其...

2024-07-18 標(biāo)簽:MOSFET無(wú)刷電機(jī)仁懋電子 2.3k 0

英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的GaN技術(shù)開發(fā)

 對(duì)于許多設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。與硅MOSFET相比,氮化鎵HEMT具有出色的特定動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和更小的電容,因此更適于做高速開關(guān)。

2021-09-08 標(biāo)簽:英飛凌傳感器MOSFET 2.3k 0

瞻芯電子獲評(píng)高新技術(shù)企業(yè),展現(xiàn)SiC MOSFET研發(fā)創(chuàng)新水平

日前,上海瞻芯電子有限公司(簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”)榮獲上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、上海市財(cái)政局、國(guó)家稅務(wù)總局上海市稅務(wù)局聯(lián)合頒發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)證書,正式邁入中國(guó)高...

2023-03-31 標(biāo)簽:MOSFETSiC瞻芯電子 2.3k 0

安世半導(dǎo)體宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封...

2024-05-22 標(biāo)簽:MOSFET體二極管充電樁 2.3k 0

SiC應(yīng)用加速上車,清純半導(dǎo)體搶占國(guó)產(chǎn)替代先機(jī)

 綜合中汽協(xié)與EVvolumes.com的數(shù)據(jù),新能源汽車行業(yè)展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)動(dòng)力。我國(guó)在2021年、2022年和2023年的新能源汽車銷量分別達(dá)到了3...

2024-11-01 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFETSiC 2.3k 0

線性狀態(tài)下的SiC MOSFET

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SiC MOSFET在開/關(guān)切換模式下運(yùn)行。然而,了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的,當(dāng)驅(qū)動(dòng)程序發(fā)生故障或設(shè)計(jì)人員為特定目的對(duì)其進(jìn)行編程時(shí),可能會(huì)發(fā)生這種情況。

2022-07-25 標(biāo)簽:MOSFET無(wú)線電SiC 2.3k 0

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表第3部分—連續(xù)電流額定值

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嗨,我的FET狂熱愛(ài)好者同行們,歡迎回到“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的第3部分!今天我們來(lái)談一談MOSFET電流額定值,以及它們是如何變得不真實(shí)的...

2021-11-24 標(biāo)簽:芯片電流MOSFET 2.3k 0

PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列

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2023-06-06 標(biāo)簽:MOSFET封裝 2.3k 0

安世車規(guī)級(jí)MOSFET產(chǎn)品組合答疑回顧

11 月 28 日,安世半導(dǎo)體 BG MOS 產(chǎn)品線高級(jí)應(yīng)用經(jīng)理方舟先生,為廣大工程師帶來(lái)了《Nexperia車規(guī)級(jí) MOSFET - 提升 EV 驅(qū)動(dòng)...

2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFET安世半導(dǎo)體 2.3k 0

np3401mr - n30v p通道增強(qiáng)模式MOSFET

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描述 NP3401MR-N采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開關(guān)或中壓開關(guān) 脈...

2022-07-12 標(biāo)簽:單片機(jī)MOSFET 2.3k 0

龍騰半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET在微型逆變器上的應(yīng)用

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微型逆變器是一種光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率小于等于1000瓦、具組件級(jí)MPPT的逆變器,全稱是微型光伏并網(wǎng)逆變器。

2023-12-01 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體逆變器 2.3k 0

捷捷微電:下游需求延續(xù)旺盛趨勢(shì),尤其是家電、通信和安防等領(lǐng)域

集微網(wǎng)消息 1月28日,捷捷微電在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,下游需求延續(xù)著去年下半年旺盛的趨勢(shì),尤其是家電、通信和安防等領(lǐng)域。一部分原因是海外公司因?yàn)橐咔樵?..

2021-01-29 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體碳化硅 2.3k 0

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ROHM車載低耐壓MOSFET新增HPLF5060封裝產(chǎn)品

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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)宣布,適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動(dòng)泵、LED前照燈等應(yīng)用的車載低耐壓(40V/60V)MOSFET產(chǎn)...

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首家國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司量產(chǎn)12英寸MOSFET

深圳市銳駿半導(dǎo)體(www.ruichips.com)在深圳市南山區(qū)科興科學(xué)園會(huì)議中心召開了他們12英寸MOSFET成功投產(chǎn)的發(fā)布會(huì),2019年12英寸新...

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瑞薩又不玩了,宣布退出低電壓MOSFET市場(chǎng)

昨日,英特爾在臺(tái)灣舉辦年度超級(jí)本生態(tài)系統(tǒng)論壇,與會(huì)廠家的重點(diǎn)竟然不是關(guān)于Intle如何整合二合一的新生態(tài)系統(tǒng),而是聚焦在日本IDM廠商瑞薩電子全面今年四...

2013-07-31 標(biāo)簽:MOSFET瑞薩 2.3k 0

Power Supply WebDesigner設(shè)計(jì)工具能提供一整套節(jié)省時(shí)間的LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)工具

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2018-05-04 標(biāo)簽:mosfeticled驅(qū)動(dòng)器 2.3k 0

mosfet和igbt的區(qū)別是什么

來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? ? ? ??金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fie...

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2024-01-19 標(biāo)簽:MOSFET功率器件IDM 2.3k 0

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    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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