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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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3D NAND技術(shù)的應(yīng)用發(fā)展趨勢

在價(jià)格和競爭壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競爭下一代技術(shù)。

2018-08-27 標(biāo)簽：nand 3d 晶圓 9.8k 0

隨著3D NAND產(chǎn)出的增加，2018年全球SSD出貨量有望沖刺2億臺(tái)

隨著64層/72層3D NAND產(chǎn)出的增加，以及原廠QLC和96層3D技術(shù)快速發(fā)展，NAND Flash在經(jīng)歷2年漲價(jià)后，2018年市場行情從缺貨轉(zhuǎn)向...

2018-08-31 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 2.8k 0

國內(nèi)研法的32層3DNAND閃存芯片已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)？對于國產(chǎn)你期待嗎？

紫光集團(tuán)董事長趙偉國近日在出席首屆中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)時(shí)透露，紫光旗下長江存儲(chǔ)的1000人團(tuán)隊(duì)耗資10億美元，歷時(shí)2年研發(fā)成功了國內(nèi)第一顆32層3DN...

2018-08-26 標(biāo)簽：NAND 閃存芯片紫光 1.1萬 0

長江存儲(chǔ)明年量產(chǎn)64層128Gb的存儲(chǔ)器，突破國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片“零”實(shí)現(xiàn)

繼2017年5月言辭犀利地抨擊了高通在華投資企業(yè)瓴盛科技后，紫光集團(tuán)董事長趙偉國在首屆中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上又“懟”上了高通。

2018-08-25 標(biāo)簽：nand 存儲(chǔ)器長江存儲(chǔ) 1.2萬 0

各大存儲(chǔ)巨頭實(shí)力分析，存儲(chǔ)新勢力還有機(jī)會(huì)？

目前，NAND價(jià)格正在開始下降，DRAM價(jià)格也將在未來幾個(gè)季度內(nèi)轉(zhuǎn)頭向下，這意味著我們可能會(huì)面臨小幅度供過于求的局面；

2018-08-25 標(biāo)簽：DRAM NAND 內(nèi)存 1.6k 0

紫光旗下長江存儲(chǔ)的全新3D NAND架構(gòu)技術(shù)隆重亮相2018重慶智博會(huì)

2018年8月23日，首屆中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（簡稱“智博會(huì)”）在重慶國際博覽中心盛大開幕。紫光集團(tuán)作為中國最大的綜合性集成電路企業(yè)，以“從芯到云，...

2018-08-24 標(biāo)簽：NAND AI 紫光 2.2k 0

DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長，三星上半年銷售額領(lǐng)先英特爾

8月21日，調(diào)研公司IC Insights發(fā)布報(bào)告稱，由于DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長，今年上半年三星電子在全球半導(dǎo)體市場的銷售額較英特爾高出...

2018-08-24 標(biāo)簽：DRAM NAND 內(nèi)存 1.3k 0

內(nèi)存芯片需求持續(xù)增長三星反超英特爾

8月21日，調(diào)研公司IC Insights發(fā)布報(bào)告稱，由于DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長，今年上半年三星電子在全球半導(dǎo)體市場的銷售額較英特爾高出2...

2018-08-23 標(biāo)簽：英特爾 DRAM NAND 4.4k 0

使用基于其Arria 10 SoC的存儲(chǔ)參考設(shè)計(jì)，NAND閃存的使用壽命將加倍

Altera公司開發(fā)了基于其Arria 10 SoC的存儲(chǔ)參考設(shè)計(jì)，與目前的NAND閃存相比，NAND閃存的使用壽命將加倍，程序擦除周期數(shù)增加了7倍。...

2018-08-24 標(biāo)簽：FPGA 閃存 NAND 1.3k 0

NAND Flash市場供貨量增加，綜合價(jià)格指數(shù)已累計(jì)下滑28%

隨著Flash各家原廠紛紛升級(jí)到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產(chǎn)出量，2018年三星將全面向3D NAN...

2018-08-22 標(biāo)簽：NAND SSD 2.1k 0

3D NAND Flash技術(shù)將進(jìn)一步帶動(dòng)未來幾季市場對高容量的需求

據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)CMR在2018年3月的統(tǒng)計(jì)報(bào)告《India Consumer Storage Flash Memory Market Review》，201...

2018-08-22 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 1.1k 0

美光業(yè)務(wù)分析和展望：將持續(xù)推進(jìn)DRAM和NAND Flash技術(shù)發(fā)展

在美光分析師及投資者大會(huì)上，美光針對其業(yè)務(wù)以及存儲(chǔ)市場進(jìn)行了分析和展望。美光認(rèn)為未來美光業(yè)務(wù)增長的關(guān)鍵在于數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)四大領(lǐng)域，且看好市...

2018-08-22 標(biāo)簽：DRAM NAND 美光 1.5k 0

英特爾與美光64層3D NAND備受關(guān)注，或?qū)⒓せ瓘S爭奪96層3D NAND技術(shù)

上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單...

2018-08-22 標(biāo)簽：英特爾 NAND SSD 2.7k 0

2018年時(shí)間已過半，世界存儲(chǔ)器市場發(fā)展如何呢？

2018年上半年，世界存儲(chǔ)器市場營銷額為808.03億美元，其中：DRAM營收額為487.67億美元，占到存儲(chǔ)器市場總值的60.4%；NAND Flas...

2018-08-21 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 存儲(chǔ)器 9.7k 0

隨著需求的不斷增長，SSD市場需求正在快速增長

隨著PC向超極本、輕薄、二合一等輕薄型電腦發(fā)展，以及消費(fèi)者對電腦性能的高要求，傳統(tǒng)HDD存儲(chǔ)已無法滿足PC的發(fā)展和消費(fèi)者的應(yīng)用需求，再加上3D NAND...

2018-08-21 標(biāo)簽：NAND SSD 1.7k 0

DRAM未來2年市場還是比較樂觀，需求依舊強(qiáng)勁

威剛科技董事長陳立白表示，從DRAM市況來看，未來1~2年的市況將是樂觀且健康的，供應(yīng)商都沒有太大的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，至于NAND Flash價(jià)格將緩步下跌，明...

2018-08-21 標(biāo)簽：DRAM NAND 1.3k 0

滿足全新移動(dòng)產(chǎn)品的下一代存儲(chǔ)器何時(shí)到來？

芯片制造商會(huì)根據(jù)不同的用途在產(chǎn)品中充分利用兩種不同功能類別的存儲(chǔ)器。例如，主存儲(chǔ)器通常對于速度要求更高，因此會(huì)采用DRAM和SRAM。

2018-08-21 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 3.6k 0

NAND Flash價(jià)格平均跌幅預(yù)估將近10%，最根本的原因是市場持續(xù)供過于求

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新報(bào)告指出，NAND Flash市場在2018年第一季受傳統(tǒng)淡季影響，導(dǎo)致市場轉(zhuǎn)為供大于求。第二...

2018-08-20 標(biāo)簽：NAND 1.4k 0

NAND價(jià)格崩盤，出現(xiàn)價(jià)格下調(diào)

如果價(jià)格崩盤，那么固態(tài)硬盤(SSD)的價(jià)格有望跌至 8 美分 / GB 。Handy 在上周舉行的閃存峰會(huì)上表示，即使沒有“全線潰敗”，經(jīng)濟(jì)衰退也將導(dǎo)致...

2018-08-20 標(biāo)簽：NAND SSD 3.9k 0

相比HDD硬盤江河日下，NAND閃存及SSD硬盤的發(fā)展可謂一片紅，不論是移動(dòng)設(shè)備、PC設(shè)備還是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等市場都在快速增長。對中國來說，我們的N...

2018-09-19 標(biāo)簽：NAND SSD 1.9k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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