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【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應用...

2025-11-21 標簽：半導體肖特基二極管 SBD 315 0

瞻芯電子推出車規(guī)級1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品，助力高效大功率應用

為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應用需要，瞻芯電子開發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品，其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品IV2D12...

2024-12-02 標簽：肖特基二極管 SBD SiC 2.3k 0

ROHM推出表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目...

2024-11-26 標簽：二極管 SBD SiC 1.2k 0

北京順義泰科天潤項目一期投資4億元，預計2028年達產(chǎn)

3月4日，北京順義消息顯示，順義區(qū)21個在建市區(qū)重點產(chǎn)業(yè)項目全部復工復產(chǎn)，其中包括泰科天潤建設(shè)公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項目。

2024-03-11 標簽：新能源汽車 MOSFET 晶圓 1.8k 0

ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD

二極管的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用于各種應用。尤其是溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD，其VF低于平面結(jié)構(gòu)的SBD，因此可以在整流等應用中提高效率。而普通...

2024-03-15 標簽：二極管 MOS SBD 1.2k 0

京瓷推出一種功率器件LPTO-263封裝

功率器件，是指用于調(diào)控和變換電力的器件。從民生用品到工業(yè)設(shè)備，京瓷集團一直向市場提供各種高品質(zhì)、高可靠性的節(jié)能型產(chǎn)品。

2024-02-23 標簽：散熱片功率器件 SBD 2.4k 0

羅姆推出新型SBD

來源：Silicon Semiconductor 非常適合汽車LED頭燈和其他高速開關(guān)應用。 ROHM（羅姆）開發(fā)了100V擊穿肖特基勢壘二極管 (SB...

2024-02-21 標簽：SBD 羅姆 1.1k 0

ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備、消費電子設(shè)備等的電源電路和保護電路，推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢壘...

2024-01-24 標簽：SBD Rohm 1.3k 0

液相法碳化硅單晶生長技術(shù)研究

碳化硅具有高熱導率、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)等優(yōu)勢。

2023-12-18 標簽：新能源汽車晶圓 SBD 3.1k 0

SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進展

功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時導出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。

2023-12-13 標簽：功率器件 SBD SiC 2.1k 0

【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的金屬差異

2023-12-13 標簽：二極管 MOSFET SBD 1.7k 0

ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

? 全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex...

2023-09-14 標簽：SBD 功率模塊 Rohm 1.3k 0

肖特基二極管失效機理

肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開關(guān)元件，在電子設(shè)備中得到了廣泛的應用。但是，...

2023-08-29 標簽：二極管肖特基二極管 SBD 3.8k 0

面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)介紹

近日，“2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-04 標簽：MOSFET SBD SiC 1.2k 0

瑞能半導體亮相SNEC 2023光伏展

? 瑞能半導體將亮相5月24-26日在上海新國際博覽中心盛大舉行的SNEC 2023光伏展（展位：N5-803），同全球從業(yè)者交流光伏產(chǎn)業(yè)未來市場趨勢分...

2023-05-23 標簽：光伏 SBD SiC 2k 0

國星光電SiC-SBD通過車規(guī)級認證

來源：國星光電官微近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機構(gòu)可靠性驗證，并獲得AEC...

2023-03-14 標簽：新能源 SBD SiC 1k 0

瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資為國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件加碼

近日，上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“ 瞻芯電子 ”）完成數(shù)億元B輪融資，本輪融資由國方創(chuàng)新領(lǐng)投，國中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本...

2023-03-07 標簽：MOSFET 功率器件 SBD 1.8k 0

SiC SBD成功應用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊

2023-03-03 標簽：數(shù)據(jù)中心電源模塊 SBD 1.6k 0

ROHM的SiC SBD成功應用于村田制作所集團旗下企業(yè)的數(shù)據(jù)中心電源模塊

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)的第3代SiC肖特基二極管(以下簡稱“SBD”)成功應用于Murata Power Solutio...

2023-03-02 標簽：數(shù)據(jù)中心電源模塊 SBD 995 0

SiC-SBD的可靠性試驗

SiC作為半導體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業(yè)績還遠遠無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性...

2023-02-08 標簽：MOSFET 半導體 SBD 1.1k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當時很多半導體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導體企都選擇將制造業(yè)務剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當中
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FinFET全稱叫鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務運營覆蓋 35 個國家的全球性半導體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導體設(shè)計與制造公司：業(yè)務覆蓋超過35個國家、服務全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應控制等內(nèi)容。
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STM32F4是由ST（意法半導體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應實時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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