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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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據(jù)權威媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場,預計到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場...
“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉換器等功率電子產(chǎn)品的展會。在市場要求降低耗電、減輕環(huán)境負荷等背景下,該展會的規(guī)模逐年擴大,2013年共...
碳化硅(SiC)功率元件正快速在太陽能(PV)逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導體,提供更高的電源轉換效...
未來十年將是GaN和SiC功率半導體市場,將以18%速度增長
在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有...
德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅動器。TI...
SiC和GaN作為新一代的半導體功率器件,由于其開關高速、高頻工作和高溫工作燈特點,受到了廣大關注。隨著鐵路和工業(yè)設備應用增加,在2013年,這兩款器件...
姆與大阪大學研究生院工學研究科助教細井卓治、京都大學研究生院工學研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點是將透過柵極絕緣膜...
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:M...
2012年10月10日,德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管,壯大其SiC(碳化硅)產(chǎn)品陣容。
三菱電機株式會社定于7月31日開始,依次提供5個品種的SiC功率半導體模塊,以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設備對應用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半...
英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET
德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET(JFET)“Coo...
日本的SiC相關業(yè)務目前正在迅速增長。SiC與現(xiàn)有的硅(Si)相比可大幅削減電力損耗,因此作為新一代功率半導體材料備受關注。但此前,SiC功率元件在...
科銳254 lm/W光效再度刷新功率型LED研發(fā)記錄
者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布,其白光功率型LED光效再度刷新行業(yè)最高紀錄,達到254 lm/W。該項紀錄打破了科銳在去年初取得的2...
羅姆半導體“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn),開關損耗降低85%
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導體元件全部采...
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說,相比LDMOS硅技術而言,GaN這一材料技術,大大提升了效率和功率密度。
羅姆展出了采用溝道構造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于,與普通SiC制SBD相比二極管導通電壓(以下稱導通電壓...
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