德州儀器 （TI） 宣佈推出業(yè)界最小型1.8A有刷DC 達(dá)驅(qū)動(dòng)器，持續(xù)拓展其不斷成長的低電壓DRV8x馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列。該DRV8837 與最接近的同類競爭產(chǎn)品相比尺寸縮小75%，可實(shí)現(xiàn)更精巧、時(shí)
2012-08-22 09:08:53
1917 
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:332029 日前，德州儀器 （TI） 宣布推出三款最新 DC/DC LED 驅(qū)動(dòng)器，其可在專業(yè)級(jí)室內(nèi)外 LED 照明應(yīng)用中為高色彩渲染及超低調(diào)光簡化白色調(diào)節(jié)。TPS92660 兩串 LED 驅(qū)動(dòng)器
2013-05-07 09:52:532179 日前，德州儀器（TI）宣布推出一款集成式柵極驅(qū)動(dòng)器，該器件提供了可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)置，可在更為寬泛的范圍內(nèi)，靈活的驅(qū)動(dòng)外部場效應(yīng)晶體管（FET），從而支持多種電機(jī)，以
2015-07-06 14:35:114454 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:113206 英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器以及非隔離低邊驅(qū)動(dòng)器，從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)要求。
2019-01-29 09:58:3230416 
大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。
2022-11-25 09:20:302088 日前，德州儀器 (TI) 在歐洲照明技術(shù)策略大會(huì) (the Strategies in Light Europe conference) 上宣布推出兩款高度集成的相位可調(diào)光 AC/DC LED 照明驅(qū)動(dòng)器 LM3448 與 TPS92070
2011-10-20 09:30:061498 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大其 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營。
2012-01-10 09:11:327160 。設(shè)計(jì)人員可以使用ADI公司，飛兆半導(dǎo)體公司，凌力爾特公司，德州儀器公司等公司的柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高效的全橋和半橋功率級(jí)。
2019-01-23 08:23:005042 
：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)
2024-05-23 11:23:221233 
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
德州儀器推薦使用的元器件
2013-09-03 21:18:24
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 – ISO5852s，工作電壓隔離為 1.5kVrms，最小 CMTI 為 50 kV/μs整合了針對(duì)過流和誤開啟的保護(hù)功能，采用：DESAT 檢測(cè)軟關(guān)斷有源米勒鉗位滿足
2018-12-27 11:41:40
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
現(xiàn)貨NXP: BLF7G20LS-250P,Freescale: P408ESSE1PNB, Xilinx : XC7K160T-2FFG676ITI(德州儀器） ： ADS58C23IPFP
2013-05-11 22:02:18
過。另據(jù)報(bào)道，與基于IGBT的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動(dòng)器可以帶來更高的效率［3］。在驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中使用 SiC-MOSFET 的優(yōu)勢(shì)可以通過 CSD
2023-02-21 16:36:47
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)”
2022-10-25 17:20:12
德州儀器，IGBT最大做到多少功率，官網(wǎng)看到那些都是很小電流的
2019-04-01 14:46:49
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
飛兆半導(dǎo)體推業(yè)界領(lǐng)先的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2016-06-22 18:22:01
JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)
2023-05-11 20:38:23
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 S
2023-05-11 20:45:39
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或
2023-05-12 12:26:54
德州儀器推出全新8通道高壓雙極DAC系列滿足低功耗應(yīng)用需求
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 6 款最新數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)，其可提供 12、14 以及 16 位版本，并采用 SPI 或并行
2009-12-14 08:41:191155 德州儀器 (TI) 宣布推出一款帶 4 通道分組式延遲的串行控制 16 通道恒流LED 驅(qū)動(dòng)器，TLC59282 可通過對(duì) LED 輸出開關(guān)進(jìn)行擺動(dòng)處理來最大限度降低同步開關(guān)噪聲
2011-02-18 09:13:001165 德州儀器 (TI)日前推出一款帶 4 通道分組式延遲的串行控制 16 通道恒流LED 驅(qū)動(dòng)器 TLC59282，該器件的最大特點(diǎn)是，分組式通道延遲(4通道一組)可最大限度地降低同步開關(guān)噪聲
2011-03-31 10:35:101744 德州儀器 (TI) 宣布面向氣囊部署推出TPIC71004-Q1四通道氣囊爆管驅(qū)動(dòng)器，從而可提供具有高可靠性與低成本優(yōu)勢(shì)的優(yōu)化集成型標(biāo)準(zhǔn)器件。
2011-05-13 08:43:311451 德州儀器(TI)宣布面向移動(dòng)消費(fèi)類及工業(yè)設(shè)計(jì)推出業(yè)界最高集成度的壓電式觸覺驅(qū)動(dòng)器。
2011-07-22 14:46:162990 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出首款最新系列集成型三相無刷電機(jī)前置驅(qū)動(dòng)器。該 DRV8301 是目前市場上集成度最高的前置驅(qū)動(dòng)器，與性能最接近的集成解決方案相比可將板級(jí)空間銳減達(dá)
2011-09-14 15:27:28819 德州儀器 (TI) 宣布推出具有業(yè)界最高性能-功耗比的最新單雙通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大了其通用型低功耗軌至軌輸出運(yùn)算放大器的產(chǎn)品陣營。與類似解決方案相比，該 O
2011-11-15 10:58:271449 德州儀器(TI)是全球領(lǐng)先的數(shù)字信號(hào)處理與模擬技術(shù)半導(dǎo)體供應(yīng)商，德州儀器(TI)亦是推動(dòng)因特網(wǎng)時(shí)代不斷發(fā)展的半導(dǎo)體引擎。
2011-12-12 16:25:042487 德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。
2012-02-11 09:59:083262 
日前，德州儀器 （TI） 宣布針對(duì)其非調(diào)光 LED 驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列推出一款最新離線式初級(jí)側(cè)感應(yīng)控制器。最新支持功率因數(shù)校正 （PFC） 的 TPS92310 AC/DC 恒流驅(qū)動(dòng)器可為 A19、PAR30/38 以及
2012-03-22 08:25:131734 
德州儀器 (TI) 宣布推出全差動(dòng)模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動(dòng)器，比同類器件性能功耗比提高 8 倍以上，重新定義了低功耗放大器市場。
2012-03-31 08:56:042469 日前，德州儀器（TI） 宣布推出全差動(dòng)模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC） 驅(qū)動(dòng)器，比同類器件性能功耗比提高8 倍以上，重新定義了低功耗放大器市場。THS4531 全差動(dòng)放大器靜態(tài)電流僅為250 uA，帶寬
2012-04-05 09:03:021173 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款運(yùn)行散熱性能比實(shí)力最接近的競爭產(chǎn)品高 30% 的 2.5 A 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。該高集成 DRV8818 支持低 RDS(ON)，可提高散熱效率，縮小電路板級(jí)空間，抑制環(huán)境溫
2012-04-18 13:56:502952 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款面向有刷 DC 及步進(jìn)電機(jī)的最新低電壓器件，進(jìn)一步壯大其不斷豐富的高集成 DRV8x 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營
2012-04-18 13:58:582893 
日前，德州儀器 （TI） 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 （GaN） 器件等
2012-04-23 16:48:001357 德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2012-04-24 09:56:414662 
本內(nèi)容介紹了德州儀器（TI）的流量計(jì)解決方案，TI可提供用于激勵(lì)磁場線圈的PWM驅(qū)動(dòng)器和高壓輸出DAC
2012-12-03 16:34:052063 日前，德州儀器 （TI） 宣布推出一款支持可調(diào)節(jié)開關(guān)頻率與電流感應(yīng)閥值的大功率多拓?fù)?DC/DC LED 驅(qū)動(dòng)器，其可為汽車前大燈、霧燈以及通用照明提供設(shè)計(jì)高靈活性與低電磁干擾 （EMI）。
2013-07-24 11:43:421396 近日，德州儀器（TI）推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護(hù)和控制。
2016-02-22 11:22:431517 
的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:05
22 此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS
2017-12-25 11:13:000 德州儀器（TI）11日推出嶄新的LED系列驅(qū)動(dòng)器，該系列驅(qū)動(dòng)器集成了獨(dú)立的色彩混合、亮度控制和節(jié)約功率模式。LP5018、LP5024、LP5030及LP5036支持平滑、逼真的色彩，還可降低功耗。
2018-12-12 14:49:512049 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:005319 
ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:261774 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012625 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:003179 
德州儀器汽車應(yīng)用參考設(shè)計(jì)精選
2022-11-07 08:07:241 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門控半導(dǎo)體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關(guān)模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:451365 所有類型的電動(dòng)汽車（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動(dòng)公交車和其他電子交通電源系統(tǒng)，需要更高的碳化硅（SiC）技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高效地驅(qū)動(dòng)這些更高效的SiC器件可以使用數(shù)字而不是模擬柵極驅(qū)動(dòng)器來實(shí)現(xiàn)，許多非汽車或非車輛應(yīng)用將受益。
2023-05-06 09:38:503175 電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ)，其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器，它接受來自控制器芯片的低功率輸入，并為高功率晶體管（例如IGBT或功率MOSFET）的柵極產(chǎn)生高電流驅(qū)動(dòng)
2023-06-08 14:03:091039 額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此，高端設(shè)計(jì)通常選擇專用的 SiC 核心驅(qū)動(dòng)器，這會(huì)考慮到更快的開關(guān)、過壓條件以及噪聲和 EMI 等問題。他說：“你總是可以使用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器，但你必須用額外的電路來補(bǔ)充它，通常這就是權(quán)衡。”
2023-10-09 14:21:401509 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMP30629.1-具有集成開關(guān)PSR反激式轉(zhuǎn)換器的隔離式2.5W SiC和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 PCB layout 設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-17 14:34:531 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TIDA-020030-具有熱敏二極管和感應(yīng) FET 的 SiC/IGBT 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 PCB layout 設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-16 15:09:310 德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺寸。德州儀器的 GaN 場效應(yīng)晶體管 (FET
2023-12-01 12:16:042266 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57995 
融合和決策能力，可以實(shí)現(xiàn)更高水平的自主性。德州儀器的新款驅(qū)動(dòng)器芯片 DRV3946-Q1 集成式接觸器驅(qū)動(dòng)器和 DRV3901-Q1 集成式熱熔絲爆管驅(qū)動(dòng)器可支持軟件編程，能夠提供內(nèi)置診斷功能并支持功能
2024-01-09 12:15:482105 
德州儀器 (TI) 今日在2024年國際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展覽會(huì) (CES) 上，發(fā)布了其新款半導(dǎo)體產(chǎn)品，旨在提升汽車的安全性和智能性。這些新產(chǎn)品包括AWR2544 77GHz毫米波雷達(dá)傳感器芯片和兩款驅(qū)動(dòng)器芯片，它們都采用了尖端技術(shù)，以滿足汽車行業(yè)日益增長的需求。
2024-01-09 14:04:141696 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211464 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片是一種用于控制功率電子器件（如IGBT、MOSFET等）柵極電壓的集成電路。它在電力電子領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源、太陽能逆變器等。本文將詳細(xì)
2024-06-10 17:23:003609 起著至關(guān)重要的作用。選型標(biāo)準(zhǔn)是確保柵極驅(qū)動(dòng)器能夠滿足特定應(yīng)用需求的關(guān)鍵因素。以下是一篇詳盡、詳實(shí)、細(xì)致的關(guān)于柵極驅(qū)動(dòng)器選型標(biāo)準(zhǔn)的文章。 ### 引言 柵極驅(qū)動(dòng)器作為電力電子系統(tǒng)中的核心組件，其性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的性能和可靠性。因此，在選擇柵
2024-06-10 17:24:001860 柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）是一種電路，主要用于增強(qiáng)場效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號(hào)，以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)的操作。它通過將控制器輸出
2024-07-19 17:15:2724573 利用集成負(fù)偏壓來關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和泵等高功率應(yīng)用時(shí)，系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET，因?yàn)榕c IGBT 相比，SiC 技術(shù)具有更高的效率
2024-08-20 16:19:071290 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的 HEV/EV 牽引逆變器設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-11 14:21:390 和創(chuàng)新。 這筆資金將重點(diǎn)投向德州儀器目前正在得克薩斯州和猶他州建設(shè)的三個(gè)晶圓廠項(xiàng)目。這些晶圓廠是德州儀器擴(kuò)大產(chǎn)能、提升技術(shù)水平的重要布局，對(duì)于滿足全球市場對(duì)高性能芯片的需求具有重要意義。 德州儀器作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一，一直致力
2024-12-23 13:36:441076 UCC5881-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護(hù)，例如基于分流電阻器
2025-05-15 11:32:02821 
UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護(hù)，例如基于分流電阻器的過流
2025-05-16 17:32:51728 
電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動(dòng) IGBT 和 SiC 功率 FET。可以驅(qū)動(dòng)低側(cè)和高側(cè)功率 FET，與基于光耦合器的柵極驅(qū)動(dòng)器相比，FET 帶來了顯著的性能和可靠性升級(jí)，同時(shí)在原理圖和布局設(shè)計(jì)中保持了引腳對(duì)引腳的兼容性。
2025-05-24 14:43:00793 
Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器是一款兼容光耦的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13704 
Texas Instruments LM2104半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET，具有同步降壓或半橋配置。 此柵極驅(qū)動(dòng)器在GVDD上具有8V典型欠壓鎖定，在BST上具有
2025-08-11 10:15:14965 
和6A峰值灌電流，可驅(qū)動(dòng)功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管。UCC21550/UCC21550-Q1驅(qū)動(dòng)器是光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，配置為兩個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器。通過
2025-08-11 14:36:401139 
Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于高達(dá)2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高級(jí)保護(hù)特性、同類最佳的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。
2025-08-27 15:17:201657 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741 
Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅(qū)動(dòng)器是一款電流隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于工作電壓高達(dá)2121V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先進(jìn)的保護(hù)特性、同類最佳的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達(dá) ±10A的峰值拉電流和灌電流。
2025-09-09 15:37:02774 
V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動(dòng) IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313可以驅(qū)動(dòng)低側(cè)和高側(cè)功率 FET。與基于光耦合器的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器相比，關(guān)鍵特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性升級(jí)，同時(shí)在原理圖和布局設(shè)計(jì)中保持引腳到引腳的兼容性。
2025-10-15 15:22:57495 
為EliteSiC匹配柵極驅(qū)動(dòng)器指南旨在針對(duì)各類高功率主流應(yīng)用，提供為 SiC MOSFET匹配柵極驅(qū)動(dòng)器的專業(yè)指導(dǎo)，同時(shí)探索減少導(dǎo)通損耗與功率損耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在導(dǎo)通和關(guān)斷過程中的電壓與電流效率。
2025-11-13 09:46:33342 
6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關(guān)鍵組件。今天我們來詳細(xì)探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658 探索GD3162：先進(jìn)IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越性能 作為電子工程師，在設(shè)計(jì)xEV牽引逆變器時(shí)，選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下NXP的GD3162——一款先進(jìn)的單通道
2025-12-24 14:25:02223 德州儀器 CLC007 串行數(shù)字電纜驅(qū)動(dòng)器：高速數(shù)字應(yīng)用的理想之選 身為電子工程師，我們?cè)诟咚贁?shù)字信號(hào)處理和傳輸領(lǐng)域不斷探索，力求找到性能卓越、可靠性高且易于集成的器件。德州儀器的 CLC007
2026-01-04 16:20:0248
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