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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>科銳開發(fā)出直徑150mm的n型4H-SiC外延晶圓

      科銳開發(fā)出直徑150mm的n型4H-SiC外延晶圓

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      ZCD150-110S48N-H ZCD150-110S48N-H

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      2025-03-24 18:39:30

      ZCD150-110S36N-H ZCD150-110S36N-H

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      2025-03-24 18:39:17

      ZCD150-110S28AN-H? ZCD150-110S28AN-H?

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      2025-03-24 18:39:02

      ZCD150-110S24AN-H ZCD150-110S24AN-H

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      2025-03-24 18:38:46

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      2025-03-24 18:37:50

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      2025-03-24 18:34:21

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      2025-03-24 18:33:16

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      ZCD150-24S24N-H ZCD150-24S24N-H

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      ZCD150-24S19N-H ZCD150-24S19N-H

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      ZCD150-24S15AN-H ZCD150-24S15AN-H

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      ZCD150-24S05N-H ZCD150-24S05N-H

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      2025-03-24 18:29:59

      BK15-600S24H1N4 BK15-600S24H1N4

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      2025-03-20 18:54:50

      BK5-600S24H1N4 BK5-600S24H1N4

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      2025-03-20 18:35:42

      DA150-1000S35G1N4 DA150-1000S35G1N4

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      2025-03-19 18:34:08

      FA40-220S24H3N4 FA40-220S24H3N4

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      2025-03-18 18:56:17

      濕法刻蝕：晶圓上的微觀雕刻

      在芯片制造的精密工藝中，華林科納濕法刻蝕（Wet Etching）如同一把精妙的雕刻刀，以化學(xué)的魔力在晶圓這張潔白的畫布上，雕琢出微觀世界的奇跡。它是芯片制造中不可或缺的一環(huán)，以其高效、低成本的特點(diǎn)
      2025-03-12 13:59:11983

      大尺寸外圓測量工具 大直徑測徑儀種類！

      在工業(yè)制造領(lǐng)域，大直徑外圓的精準(zhǔn)測量對產(chǎn)品質(zhì)量把控起著關(guān)鍵作用。從大型機(jī)械的軸類零件，到石油化工的管道，準(zhǔn)確掌握大直徑外圓尺寸是保障設(shè)備正常運(yùn)行與產(chǎn)品性能的基礎(chǔ)。而在線大直徑測徑儀是使用，對生產(chǎn)企業(yè)
      2025-03-03 14:24:04

      日本Sumco宮崎工廠硅晶圓計(jì)劃停產(chǎn)

      日本硅晶圓制造商Sumco宣布，將在2026年底前停止宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。 Sumco報告稱，主要用于消費(fèi)、工業(yè)和汽車應(yīng)用的小直徑晶圓需求仍然疲軟。具體而言，隨著客戶要么轉(zhuǎn)向200毫米晶圓，要么在
      2025-02-20 16:36:31815

      英飛凌首批采用200毫米晶圓工藝制造的SiC器件成功交付

      眾所周知，幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的，使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵一步，其他公司也在開發(fā) 200 毫米技術(shù)
      2025-02-19 11:16:55811

      英飛凌達(dá)成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

      英飛凌開始向客戶提供首批采用先進(jìn)的200mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)200mmSiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所
      2025-02-18 17:32:451133

      SiC外延片的化學(xué)機(jī)械清洗方法

      引言 碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延片的制造過程中，表面污染物的存在會嚴(yán)重影響
      2025-02-11 14:39:46414

      有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法

      引言 碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信及高溫環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延生長過程中，掉落物缺陷（如顆粒脫落、乳凸等）一直是
      2025-02-10 09:35:39401

      提高SiC外延生長速率和品質(zhì)的方法

      SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計(jì)、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中，晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā)，嚴(yán)重影響外延膜的質(zhì)量。如何在提高外延生長速率和品質(zhì)的同時，有效避免這些問題的產(chǎn)生，可以從以下幾個方面入手。?
      2025-02-06 10:10:581349

      豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

      近日，日本豐田合成株式會社宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破：成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。
      2025-01-23 16:46:061301

      日本開發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓

      1月8日消息，日本豐田合成株式會社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據(jù)介紹，與使用采用硅基GaN
      2025-01-09 18:18:221356

      晶圓的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量晶圓 BOW/WARP 的影響

      在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要，其中對晶圓 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測量過程中，而晶圓的環(huán)吸方案因其獨(dú)特
      2025-01-09 17:00:10639

      晶圓制造及直拉法知識介紹

      第一個工藝過程：晶圓及其制造過程。 ? 為什么晶圓制造如此重要 隨著技術(shù)進(jìn)步，晶圓的需求量持續(xù)增長。目前國內(nèi)市場硅片尺寸主流為100mm、150mm和200mm，硅片直徑的增大會導(dǎo)致降低單個芯片制造成本的降低，所以目前300mm硅片的需求量也在
      2025-01-09 09:59:262099

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