碳化硅(SiC)龍頭企業(yè)Cree年底改名為Wolfspeed

Cree方面表示，“我們的團隊對于創(chuàng)新和超越可能極限的承諾將始終不變。作為碳化硅SiC產(chǎn)業(yè)的全球引領者，我們已經(jīng)做好準備，在未來賦能實現(xiàn)開創(chuàng)性的、高效節(jié)...

2021-02-05 標簽：led半導體照明 5k 0

全球SiC產(chǎn)能“戰(zhàn)備競賽”打響，國內(nèi)擴產(chǎn)進度如何？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）SiC供不應求，已經(jīng)是行業(yè)共識。自從電動汽車興起，特斯拉率先在電動汽車上大規(guī)模應用SiC功率器件，需求開始爆發(fā)后，產(chǎn)能不足...

2022-07-13 標簽：芯片SiC 5k 0

崛起的大陸功率半導體，日本如鯁在喉

　　功率半導體器件是日本的優(yōu)勢領域。如今在這個領域，中國的實力正在快速壯大。日本要想在這個領域繼續(xù)保持強大的競爭力，重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝...

2016-05-12 標簽：功率器件SiCGaN 5k 0

碳化硅為第三代半導體材料，引領功率及射頻領域革新

SiC MOSFET 較 IGBT 可同時具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢。1）碳化硅擊穿電場強度是硅的十余倍，使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。

2022-08-23 標簽：半導體材料SiC碳化硅 4.9k 0

車規(guī)產(chǎn)品井噴！盤點2023年推出的國產(chǎn)車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在過去的2023年里，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進展神速，同時三安和天...

2024-01-16 標簽：MOSFETSiC第三代半導體 4.9k 0

功率半導體需求成長，羅姆加大SiC產(chǎn)能投資

日本半導體產(chǎn)業(yè)在2017年因國際景氣好轉(zhuǎn)而表現(xiàn)良好，但廠商同時也看出PC與手機半導體市場走入極限，因此利用這個機會希望積極轉(zhuǎn)型，據(jù)日刊工業(yè)新聞報導，羅姆...

2018-08-05 標簽：SiC羅姆半導體 4.8k 0

首片國產(chǎn) 6 英寸碳化硅晶圓產(chǎn)品于上海發(fā)布

根據(jù)東方衛(wèi)視的報道，首片國產(chǎn) 6 英寸碳化硅 MOSFET（金屬氧化物場效應晶體管）晶圓于 10 月 16 日在上海正式發(fā)布。

2020-10-19 標簽：晶圓SiC 4.8k 0

新能源汽車及混合動力技術分論壇

在2018年11月6至8日于上海舉辦中國汽車工程學會年會暨展覽會（SAECCE）上，全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）攜多款新產(chǎn)品亮相。

2018-12-14 標簽：新能源汽車SiC 4.8k 0

8英寸布局加速，襯底單位成本三年時間幾乎減半

前言：【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，理清上、中、下游的各個環(huán)節(jié)，同時迅速了解各大細分...

2022-04-16 標簽：半導體電子產(chǎn)業(yè)SiC 4.8k 0

SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性分析

關于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。這篇微信文章將延續(xù)“仿真看世界”系列一貫之風格，借助器件S...

2021-03-11 標簽：電路SiC 4.8k 0