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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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2.95億晉升第一大股東！揚杰科技收購楚微半導體40%股權，布局SiC業(yè)務

在業(yè)內頻傳并購消息時，揚杰科技發(fā)布公告稱，將以公開摘牌方式收購楚微半導體40%的股權，成交價格為2.95億元。交易完成后，揚杰科技將成為楚微半導體的第一...

2022-06-12 標簽：功率器件 SiC IDM 4.4k 0

第三代半導體全村的希望

什么是第三代半導體？第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、...

2020-09-28 標簽：半導體 SiC GaN 4.3k 0

國內8英寸SiC工程片下線！降本節(jié)奏加速

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2024-06-12 標簽：SiC 4.3k 0

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Cree宣布投資10億美元用于擴大SiC（碳化硅）產能

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功率器件Power Cycling測試與數(shù)據(jù)后處理分析

日前，貝思科爾舉辦了《功率器件Power Cycling測試與數(shù)據(jù)后處理分析》線上直播活動。本次直播主要針對各種先進封裝工藝的功率器件和模塊的快速發(fā)展...

2022-10-21 標簽：測試 MOSFET IGBT 4.3k 0

62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅動板設計固態(tài)變壓器（SST）功率單元

2026-02-20 標簽：SiC 固態(tài)變壓器 4.3k 0

SiC晶體具有哪些特性

碳化硅（SiC）在設計大功率電子器件方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，開發(fā)者們對SiC材料的物理特性還有性能有較多的認識，這種高性能化合物半導體的被廣泛采用，但在應用中如...

2022-04-16 標簽：電子器件 SiC 碳化硅 4.3k 0

碳化硅原理用途及作用是什么

碳化硅原理用途及作用是什么碳化硅是一種非金屬陶瓷材料，具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成，碳化硅由結構單元Si...

2023-06-05 標簽：SiC 碳化硅 4.3k 0

汽車電氣化趨勢不可逆轉，眾企紛紛布局車用SiC市場

隨著科技的不斷迭代更新，汽車領域進入了電氣化時代。電動汽車的電力驅動系統(tǒng)不斷地往輕型化、小型化發(fā)展，快速充電也是眾多電動車車主的追求。先進的材料才是電動...

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凈利潤大漲2倍！比亞迪2022年上半年營收飆漲65%！今年內預期交付150萬輛新能源汽車

比亞迪公布上半年財報，比亞迪2022年上半年實現(xiàn)營收1506.07億元，同比增長65.71%；歸母凈利潤35.95億元，同比增長206.35%；比亞迪上...

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華潤微:8吋晶圓產線滿載,產能利用率在90%以上

華潤微在接受投資者提問時表示，公司募投項目8英寸高端傳感器和功率半導體建設項目在無錫現(xiàn)有的公司子公司無錫華潤上華科技有限公司8英寸晶圓廠區(qū)和廠房內進行擴...

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什么是SiC MOSFET？

碳化硅，或SiC，作為一種半導體材料，正在逐漸嶄露頭角，廣泛應用于電源電子領域。相較于其他可用技術，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semi...

2023-09-15 標簽：MOSFET 半導體材料 4.2k 0

功率半導體龍頭芯長征擬A股IPO，已進行上市輔導備案

近日，證監(jiān)會披露了關于江蘇芯長征微電子集團股份有限公司（簡稱：芯長征）首次公開發(fā)行股票并上市輔導備案報告。

2024-02-22 標簽：IGBT SiC 功率半導體 4.2k 0

SiC和GaN半導體產品競爭激烈，日本企業(yè)實力雄厚

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一文帶你從功率MOS入門到精通！

一、功率MOSFET的正向導通等效電路 (1)等效電路 (2)說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變...

2021-04-09 標簽：MOSFET 功率 SiC 4.2k 0

基于碳化硅技術的汽車充電方案布局加速！廣汽等4家企業(yè)采用

2024年以來，包括廣汽集團等4家企業(yè)均推出了基于碳化硅技術的汽車充電方案，意味著碳化硅有望在充電基礎設施領域實現(xiàn)大規(guī)模應用

2024-01-29 標簽：SiC dcdc轉換器碳化硅 4.2k 0

功率半導體觀察：SiC和GaN飛速發(fā)展的時代

　“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉換器等功率電子產品的展會。在市場要求降低耗電、減輕環(huán)境負荷等背景下，該展會的規(guī)模逐年擴大，2013年共...

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浙江省首個第三代半導體項目設計年產能將達8萬片

2018年，中電化合物半導體項目落戶在杭州灣新區(qū)。目前，該項目的6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片已進入客戶認證階段。預計最快明年便能實現(xiàn)量...

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2023-04-03 標簽：MOSFET IC設計功率器件 4.2k 0

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