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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SIC MOSFET在電路中的作用是什么?

SIC MOSFET在電路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率晶體管,具有較高的開關(guān)速度和功率密度,廣泛應(yīng)用于多...

2023-12-21 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率晶體管 2.8k 0

GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2027年達(dá)45億美元

全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長前景。2020年,GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美...

2021-05-21 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 2.8k 0

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在討論SiC的過程中,人們往往忽略了其用戶可能面臨的負(fù)面二次效應(yīng)。雖然SiC器件提供快速開關(guān),但其結(jié)果可能是由振鈴、過沖和欠沖造成的噪聲。SiC還容易發(fā)...

2020-09-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電路板SiC 2.8k 0

CAN SIC收發(fā)器助力復(fù)雜CAN網(wǎng)絡(luò)高效可靠通信(1)

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2024-08-08 標(biāo)簽:收發(fā)器CAN通信 2.8k 0

碳化硅基鉭酸鋰異質(zhì)晶圓上實(shí)現(xiàn)超高Q值SAW諧振器的色散調(diào)控新機(jī)制

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中科院上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI課題組基于自主研制的高質(zhì)量LiTaO3-on-SiC單晶壓電異質(zhì)襯底,揭示了其中水平剪切波模式(SH-SAW)的主偏振分...

2023-06-01 標(biāo)簽:諧振器SiCSAW 2.8k 0

汽車電氣化趨勢(shì)下眾企紛紛布局車用SiC市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠)隨著科技的不斷迭代更新,汽車領(lǐng)域進(jìn)入了電氣化時(shí)代。電動(dòng)汽車的電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)不斷地往輕型化、小型化發(fā)展,快速充電也是眾多電動(dòng)車車...

2021-09-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電機(jī)控制器SiC 2.8k 0

羅姆推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC

在高耐壓范圍中,SiC MOSFET與Si-MOSFET相比,具有“開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢(shì)?;谶@些優(yōu)勢(shì),當(dāng)Si...

2019-04-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiCACDC 2.8k 0

碳化硅功率器件的封裝關(guān)鍵技術(shù)及所面臨的挑戰(zhàn)和機(jī)遇

目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用傳統(tǒng) Si器件的封裝方式,如圖 1 所示。該方式首先通過焊錫將芯片背部焊接在基板上,再通過金屬鍵合線引出正面電極...

2022-11-08 標(biāo)簽:BGASiC碳化硅 2.8k 0

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以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個(gè)事實(shí),包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理。

2022-08-17 標(biāo)簽:MOSFET電力SiC 2.8k 0

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STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-...

2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 2.8k 0

SiC相較于Si的優(yōu)勢(shì)是什么?SiC加速向脫碳方向發(fā)展

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如今,大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅(Si)為基材料,但近年來,一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。

2023-08-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器IGBT 2.8k 0

關(guān)于碳化硅的 10 件事

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2022-08-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.8k 0

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蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考...

2024-03-12 標(biāo)簽:多晶硅新能源汽車MOSFET 2.8k 0

多家半導(dǎo)體制造商都在今年大舉措擴(kuò)大產(chǎn)能,SiC競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)進(jìn)入白熱化

日本半導(dǎo)體制造商羅姆在ROHM Apollo Co.,Ltd.(總部位于日本福岡縣)筑后工廠投建的新廠房于近日完工,并將于本月開始安裝生產(chǎn)設(shè)備,以滿足電...

2021-01-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 2.8k 0

SiC功率器件的發(fā)展及技術(shù)挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù),特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。

2022-11-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管SiC 2.8k 0

碳化硅與氮化鎵器件的特點(diǎn)差異

  碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。在帶隙寬度中,硅為1.1eV,SiC為3.3eV,GaN為3.4eV,因此寬帶隙...

2023-02-05 標(biāo)簽:SiC氮化鎵碳化硅 2.8k 0

汽車產(chǎn)業(yè)成SiC市場(chǎng)快速成長的關(guān)鍵推手

SiC功率半導(dǎo)體的普及率,取決于汽車制造商的導(dǎo)入。

2018-07-12 標(biāo)簽:sic功率半導(dǎo)體 2.8k 0

意法半導(dǎo)體收購Norstel 55%股權(quán) SiC成巨頭布局熱點(diǎn)

SiC功率器件大勢(shì)所趨,國際巨頭競(jìng)相布局,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體擬通過并購整合進(jìn)一步擴(kuò)大SiC產(chǎn)業(yè)規(guī)模。日前,意法半導(dǎo)體宣布,公司已簽署協(xié)議,...

2019-04-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)SiC 2.8k 0

SiC功率器件或?qū)⒓铀偃谌胲囕d充電器領(lǐng)域

新能源車的功率控制單元(PCU)是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng),管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向和傳遞速度,傳統(tǒng)PCU使用硅基材料制成,強(qiáng)電流與高壓電穿過硅制...

2020-09-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體逆變器 2.8k 0

意法半導(dǎo)體在中國的本地化戰(zhàn)略

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提前謀劃本地化供應(yīng)鏈,解決中國客戶后顧之憂,提高對(duì)汽車用MCU的重視,布局從高端到中低端的全線產(chǎn)品。ST帶著這樣的愿景開始了在中國市場(chǎng)的下一個(gè)40年!

2025-01-16 標(biāo)簽:微控制器mcu意法半導(dǎo)體 2.8k 0

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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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