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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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華為超級(jí)電機(jī)最高轉(zhuǎn)速實(shí)至名歸！

SiC作為第三代半導(dǎo)體材料，擁有高功率、耐高壓、耐高溫、高頻、低能耗的特性。通過(guò)采用高壓SiC技術(shù)，華為將電機(jī)的最高效率提升到了98%。這意味著在相同的...

2023-12-20 標(biāo)簽：永磁同步電機(jī)華為電機(jī) 2.9k 0

SiC MOS 、IGBT和超結(jié)MOS對(duì)比

在經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)積累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強(qiáng)大的擊穿場(chǎng)和較低的損耗特性，逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前，它們主要用于以絕緣柵雙極晶...

2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 2.9k 0

晶盛機(jī)電:12英寸加工設(shè)備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化正在加速推進(jìn)

近日，晶盛機(jī)電接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司通過(guò)承擔(dān)國(guó)家科技重大02專項(xiàng)“300mm硅單晶直拉生長(zhǎng)裝備的開發(fā)”和“8英寸區(qū)熔硅單晶爐國(guó)產(chǎn)設(shè)備研制”兩項(xiàng)課題為基...

2020-11-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 硅片 2.9k 0

影響第三代半導(dǎo)體SiC MOS閾值電壓不穩(wěn)定的因素有哪些？如何應(yīng)對(duì)？

由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性，在器件測(cè)試過(guò)程中閾值電壓會(huì)有明顯漂移，導(dǎo)致其電性能測(cè)...

2023-05-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS SiC 2.9k 0

采用GaN和SiC技術(shù)的新一代半橋逆變器的性能分析

新一代逆變器採(cǎi)用GaN和SiC等先進(jìn)開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過(guò)提高開關(guān)頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)。

2019-07-25 標(biāo)簽：逆變器 sic gan 2.9k 0

SiC功率技術(shù)現(xiàn)狀和大規(guī)模商業(yè)化的障礙

硅（Si）功率器件由于其低成本的批量生產(chǎn)、出色的起始材料質(zhì)量、易于制造和經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的可靠性而在電力電子領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。盡管硅功率器件不斷改進(jìn)，但它們...

2022-02-24 標(biāo)簽：元器件 SiC GaN 2.9k 0

太陽(yáng)能發(fā)電正迅速成為解決電力難題的一個(gè)重要方案

太陽(yáng)能發(fā)電正迅速成為解決電力難題的一個(gè)重要方案。大多數(shù)人都知道，過(guò)去10年來(lái)太陽(yáng)能發(fā)電成本驚人地下降了82%。在太陽(yáng)能選址（太陽(yáng)能的位置）和共同土地使用...

2021-05-28 標(biāo)簽：集成太陽(yáng)能電池板 IGBT 2.9k 0

SK海力士入股泰科天潤(rùn) SiC晶圓成各大廠必爭(zhēng)之地

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日，有消息稱SK海力士無(wú)錫投資公司參與了SiC晶圓廠泰科天潤(rùn)的D輪融資，成功入股泰科天潤(rùn)。SK集團(tuán)本身具備SiC晶圓廠，...

2021-11-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車晶圓 SiC 2.9k 0

傾佳電子基于SiC模塊的120kW級(jí)聯(lián)SST固態(tài)變壓器功率模塊設(shè)計(jì)與拓?fù)浞治?傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接...

2025-10-22 標(biāo)簽：SiC 功率模塊固態(tài)變壓器 2.9k 0

增長(zhǎng)超250%！13家SiC廠商業(yè)績(jī)PK

據(jù)天岳先進(jìn)披露，2023年前三季度營(yíng)業(yè)收入8.25億元，較去年同期2.69億元，同比增長(zhǎng)206.06%，公司1-9月營(yíng)收已經(jīng)遠(yuǎn)超去年全年；2023年第三...

2023-11-03 標(biāo)簽：SiC 碳化硅華潤(rùn)微 2.9k 0

使用DIC技術(shù)測(cè)量碳化硅SiC纖維束絲的力學(xué)性能—測(cè)試過(guò)程詳解

碳化硅（SiC）纖維束絲是一種高性能、高溫材料，具有優(yōu)異的力學(xué)性能和高溫穩(wěn)定性，在航空航天、能源、化工等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。為了更好地研究SiC纖維束...

2023-04-20 標(biāo)簽：測(cè)試 SiC 試驗(yàn)機(jī) 2.9k 0

2024年中國(guó)碳化硅晶圓全球占比將達(dá)到50%

天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司紛紛增加碳化硅晶圓/襯底的產(chǎn)能。目前，這些中國(guó)企業(yè)的總產(chǎn)能約為每月6萬(wàn)片。隨著各公司產(chǎn)能的逐步釋放，預(yù)計(jì)到2024年，...

2023-11-20 標(biāo)簽：晶圓 SiC 碳化硅 2.9k 0

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單...

2023-12-29 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 2.9k 0

華為海思入局碳化硅！推出1200V工規(guī)級(jí)SiC單管

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道最近海思半導(dǎo)體在官網(wǎng)上架了兩款工規(guī)1200V SiC MOSFET單管產(chǎn)品，ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1...

2025-07-27 標(biāo)簽：SiC 海思碳化硅 2.9k 0

碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子市場(chǎng)推廣中的核心技術(shù)洞見與溝通策略

國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET比如BASiC基本半導(dǎo)體代理商銷售經(jīng)理在電力電子市場(chǎng)推廣中的核心技術(shù)洞見與溝通策略：國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET比如...

2025-08-25 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 2.9k 0

SiC碳化硅MOSFET在LLC應(yīng)用中取代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)和邏輯

傾佳電子電源LLC深度研究分析與SiC碳化硅MOSFET在LLC應(yīng)用中取代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)和邏輯傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于...

2025-09-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC LLC 2.9k 0

改進(jìn)碳化硅晶圓工藝

碳化硅在電動(dòng)汽車和新能源等市場(chǎng)的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術(shù)，以制定符合需求的發(fā)展計(jì)劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進(jìn)制造工藝并專注于...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓設(shè)計(jì) 2.9k 0

為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案

BASiC基本公司為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案 V2H（即車輛到家庭）使用智能電動(dòng)汽車充電和雙向（雙向）...

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 2.9k 0

國(guó)揚(yáng)公司成功通過(guò)江蘇省專精特新中小企業(yè)和市級(jí)企業(yè)技術(shù)中心的認(rèn)定

日前，江蘇省工信廳公布了江蘇省2022年專精特新中小企業(yè)名單（第二批），揚(yáng)州國(guó)揚(yáng)電子有限公司成功入選；同時(shí)，國(guó)揚(yáng)公司也順利通過(guò)了揚(yáng)州市級(jí)企業(yè)技術(shù)中心的認(rèn)...

2022-12-14 標(biāo)簽：IGBT SiC 功率模塊 2.8k 0

SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)和用例是什么？

2022-12-28 標(biāo)簽：MOSFET SiC 2.8k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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