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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC功率器件有望為新能源汽車行業(yè)帶來(lái)新的變革

近年來(lái)，功率器件逐漸成為眾人矚目的“焦點(diǎn)”。比亞迪功率器件產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀告訴《中國(guó)電子報(bào)》記者，功率器件是電力電子的“CPU”，是特高壓電網(wǎng)、高速列車、...

2020-08-30 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體功率器件 3.3k 0

SiC產(chǎn)能爭(zhēng)奪戰(zhàn)持續(xù)！收購(gòu)廠房、綁定供應(yīng)，廠商擴(kuò)產(chǎn)手段多

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）第三代半導(dǎo)體，特別是碳化硅的產(chǎn)能擴(kuò)充，已經(jīng)成為海內(nèi)外功率半導(dǎo)體廠商的共識(shí)。碳化硅襯底作為過(guò)去很長(zhǎng)時(shí)間里，碳化硅產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng)瓶...

2023-10-28 標(biāo)簽：SiC 3.3k 0

AEC---SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

摘要：碳化硅（SiC）由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用，高溫...

2023-04-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC 3.3k 0

從另一個(gè)維度深入探討充電樁設(shè)計(jì)

PFC控制軟件的總體架構(gòu)如圖2所示。該設(shè)計(jì)的核心是Xilinx的Zynq 7000 SoC，它包含ARM內(nèi)核和FPGA內(nèi)核。Zynq 7000安裝在通用...

2022-06-02 標(biāo)簽：PFC SiC 控制算法 3.3k 0

森國(guó)科推出2000V SiC分立器件及模塊產(chǎn)品

在如今的科技發(fā)展浪潮中，電力電子器件的性能對(duì)眾多領(lǐng)域的發(fā)展至關(guān)重要。隨著1500V 光儲(chǔ)系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用，1000V/800V 新能源汽車架構(gòu)平臺(tái)的蓬勃發(fā)...

2025-08-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 3.3k 0

瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通...

2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFET SiC 驅(qū)動(dòng)電壓 3.3k 0

世界各國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展情況

由于第三代半導(dǎo)體材料具有非常顯著的性能優(yōu)勢(shì)和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)作用，歐美日等發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)列入國(guó)家戰(zhàn)略，投入巨資支持發(fā)展。本文將對(duì)第...

2016-11-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 3.3k 0

格力電器將于6月投產(chǎn)全球第二座SiC全自動(dòng)化化合物芯片工廠

格力電器的董事長(zhǎng)兼總裁董明珠在羊城晚報(bào)兩會(huì)直播間上透露了一個(gè)重要消息：格力正在建設(shè)一家全新的SiC芯片工廠，并計(jì)劃在今年6月正式投產(chǎn)。據(jù)悉，格力在這個(gè)工...

2024-03-12 標(biāo)簽：芯片 SiC 格力電器 3.2k 0

泰科天潤(rùn)碳化硅高電壓產(chǎn)品率先突破車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

SiC功率器件在新能源汽車應(yīng)用中的關(guān)注度越來(lái)越高，電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載充電機(jī)（OBC）、DC-DC等應(yīng)用都需要高品質(zhì)的SiC功率器件，也因此眾多SiC功率器件...

2020-07-31 標(biāo)簽：汽車電子功率器件 SiC 3.2k 0

SiC MOSFET為什么需要專用的柵極驅(qū)動(dòng)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）從特斯拉Model3和比亞迪漢大規(guī)模應(yīng)用SiC開始，不到十年的時(shí)間里，隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)迅速擴(kuò)張，汽車技術(shù)迭代周期正在以史無(wú)...

2025-04-03 標(biāo)簽：SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器 3.2k 0

漲知識(shí)：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

由SiC 粉經(jīng)過(guò)長(zhǎng)晶、加工、切割、研磨、拋光、清洗環(huán)節(jié)最終形成襯底。其中SiC晶體的生長(zhǎng)為核心工藝，核心難點(diǎn)在提升良率。類型可分為導(dǎo)電型、和半絕緣型襯底...

2023-09-26 標(biāo)簽：SiC 產(chǎn)業(yè)鏈碳化硅 3.2k 0

國(guó)內(nèi)家電市場(chǎng)年需電機(jī)超10億臺(tái) BLDC電機(jī)滲透率有望持續(xù)提升

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/程文智）隨著高能效電機(jī)在汽車、農(nóng)業(yè)、空調(diào)和洗衣機(jī)等領(lǐng)域的廣泛使用，全球的電機(jī)市場(chǎng)得到了很大的增長(zhǎng)。據(jù)MarketsandMarke...

2021-11-21 標(biāo)簽：SiC GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 3.2k 0

碳化硅SiC材料應(yīng)用碳化硅SiC的優(yōu)勢(shì)與性能

碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二...

2024-11-25 標(biāo)簽：SiC 半導(dǎo)體器件碳化硅 3.2k 0

富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享（三）：SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...

2022-07-07 標(biāo)簽：新能源汽車 SiC 寄生電容 3.2k 0

碳化硅 (SiC)的歷史與應(yīng)用

碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對(duì)罕見。然而，自從1893年以來(lái)，粉狀碳...

2023-09-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 3.2k 0

GaN產(chǎn)業(yè)格局初成,國(guó)內(nèi)廠商加速布局

我國(guó)GaN產(chǎn)品逐步從小批量研發(fā)、向規(guī)?；?、商業(yè)化生產(chǎn)發(fā)展。GaN單晶襯底實(shí)現(xiàn)2-3英寸小批量產(chǎn)業(yè)化，4英寸已經(jīng)實(shí)現(xiàn)樣品生產(chǎn)。GaN異質(zhì)外延襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)6...

2020-12-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體射頻 SiC 3.2k 0

如何去實(shí)現(xiàn)碳化硅集成電路與氮化鎵集成電路呢

碳化硅(SiC）具有較寬的帶隙，已廣泛應(yīng)用在高電壓電力電子器件中，如分立式的功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (Power MOSFET)和絕緣柵雙...

2022-09-19 標(biāo)簽：集成電路驅(qū)動(dòng)器 SiC 3.2k 0

SiC器件頻繁在高功率工業(yè)驅(qū)動(dòng)中應(yīng)用

前言近年來(lái)，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高...

2021-08-13 標(biāo)簽：PWM 電動(dòng)機(jī)SiC 3.2k 0

特斯拉、比亞迪、蔚來(lái)等都用了碳化硅產(chǎn)業(yè)站上風(fēng)口

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）近年來(lái)，電動(dòng)汽車的銷量持續(xù)快速提升，從中國(guó)市場(chǎng)來(lái)看，中汽協(xié)公布數(shù)據(jù)顯示，今年前三季度，我國(guó)新能源汽車產(chǎn)銷量分別達(dá)216.6...

2021-11-11 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 半導(dǎo)體 3.2k 0

SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路及其影響因素

兩個(gè)重要變量（例如閾值電壓和結(jié)溫）之間的現(xiàn)有關(guān)系為變化，因?yàn)橛^察到 Lss' 上的電壓發(fā)生了變化。由于 SiC MOSFET 的開爾文源和電源...

2022-08-04 標(biāo)簽：電容器 MOSFET MOS管 3.2k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

浪涌抑制器

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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