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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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技術(shù)干貨 | AI浪潮下的光模塊可靠性

人工智能（AI）技術(shù)的快速發(fā)展對(duì)數(shù)據(jù)處理和傳輸提出了前所未有的挑戰(zhàn)。在深度學(xué)習(xí)、自然語(yǔ)言處理和計(jì)算機(jī)視覺等AI應(yīng)用中，訓(xùn)練和學(xué)習(xí)需要巨大的數(shù)據(jù)量傳遞和交...

2024-08-13 標(biāo)簽：AI SiC 光模塊 3k 0

羅姆半導(dǎo)體開發(fā)出新型碳化硅功率元器件第4代SiC MOSFET

“雙碳時(shí)代”已緩緩拉開帷幕，各行各業(yè)都將面臨減排挑戰(zhàn)。在電動(dòng)車領(lǐng)域中，如何開發(fā)出小型化、更低功耗、更高性能的電控系統(tǒng)已成為產(chǎn)業(yè)鏈上下共同探索的方向。羅姆...

2022-03-19 標(biāo)簽：元器件 SiC 3k 0

碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用

隨著科技的不斷進(jìn)步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅（SiC）作為...

2024-11-25 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料 SiC 3k 0

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度研究與波形解析

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度研究與波形解析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服...

2025-09-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 3k 0

碳化硅SiC的高溫氧化研究

SiC材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、耐腐蝕性、熱導(dǎo)性能和機(jī)械強(qiáng)度等優(yōu)勢(shì)，因此受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。

2023-12-26 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOS管功率器件 3k 0

天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用

碳化硅（SiC）是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料之一，近20年來(lái)隨著SiC材料加工技術(shù)的不斷提升，其應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大。目前SiC芯片的制備...

2024-12-07 標(biāo)簽：晶圓 SiC 3k 0

基于晶圓級(jí)高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實(shí)現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件

氧化鎵是超寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)異代表，由于其禁帶寬度和擊穿場(chǎng)強(qiáng)遠(yuǎn)高于GaN，不僅可在更高場(chǎng)強(qiáng)、更高工作電壓下工作，大幅度提升輸出功率密度，還可以實(shí)現(xiàn)在高...

2023-11-15 標(biāo)簽：晶圓 SiC 射頻器件 3k 0

SiC功率器件的主要特點(diǎn)

基于以日本、美國(guó)和歐洲為中心對(duì)生長(zhǎng)、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而，...

2022-11-02 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 3k 0

老化測(cè)試提高了 SiC 和 GaN 的可靠性

新型寬帶隙半導(dǎo)體（如碳化硅和氮化鎵）在市場(chǎng)上的擴(kuò)散對(duì)傳統(tǒng)的老化和測(cè)試系統(tǒng)提出了挑戰(zhàn)，因?yàn)槁闫叽缭絹?lái)越小，并且組件可以承受更高的電壓和溫度。老化試驗(yàn)箱...

2022-07-29 標(biāo)簽：SiC GaN 老化測(cè)試 3k 0

意法半導(dǎo)體推出新雙通道電流隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。

2022-02-17 標(biāo)簽：開關(guān)電路半導(dǎo)體 SiC 3k 0

sic碳化硅電機(jī)

sic碳化硅電機(jī) 碳化硅（SiC）器件損耗小、耐高溫并能高頻運(yùn)行，被公認(rèn)為將推動(dòng)新能源汽車領(lǐng)域產(chǎn)生重大技術(shù)變革。世界各工業(yè)強(qiáng)國(guó)和大型跨國(guó)公司紛紛投入了大...

2023-02-17 標(biāo)簽：SiC 3k 0

三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證通過IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證

三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證通過IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證行業(yè)內(nèi)有標(biāo)準(zhǔn)如果要進(jìn)入一級(jí)汽車電子大廠供應(yīng)鏈，必須取得對(duì)應(yīng)的認(rèn)證，...

2022-10-17 標(biāo)簽：汽車電子 SiC GaN 3k 0

重磅！國(guó)產(chǎn)SiC襯底激光剝離實(shí)現(xiàn)新突破

以砂漿線切割為例，多達(dá)40%的碳化硅晶錠以粉塵的形式浪費(fèi)掉，而且切割線的高速行走過程還會(huì)造成20~50μm的粗糙起伏與表面/亞表面結(jié)構(gòu)損傷，據(jù)分析，碳化...

2023-05-24 標(biāo)簽：SiC 產(chǎn)業(yè)鏈碳化硅 3k 0

第16屆“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦

大會(huì)同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用，推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題，邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇...

2021-12-23 標(biāo)簽：中國(guó)芯 SiC 氮化鎵 2.9k 0

高壓快充充電樁產(chǎn)業(yè) 碳化硅材料模塊或成必由之路

為適應(yīng)未來(lái)大功率高壓快充發(fā)展趨勢(shì)，主流車企及充電運(yùn)營(yíng)商已經(jīng)開始布局大功率快充樁。但高壓快充對(duì)充電樁的高效性和安全性都提出了更高的要求，在設(shè)備方面亟需采用...

2024-01-17 標(biāo)簽：SiC 充電樁碳化硅 2.9k 0

20億歐元巨資建SiC工廠采埃孚入股Wolfspeed

SiC芯片可以幫助電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)突破；碳化硅芯片電動(dòng)汽車壽命更長(zhǎng)。使用 SiC 芯片，電動(dòng)汽車的使用壽命更長(zhǎng)，充電速度更快，并且由于耗能更低，從而降低了運(yùn)...

2023-01-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器 SiC 2.9k 0

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

共讀好書碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕...

2024-02-21 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體封裝 2.9k 0

全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立格局，其中美國(guó)一家獨(dú)大

一個(gè)處理物理能源：是信息論在電池電控的應(yīng)用，用信息控智能量，四兩撥千斤的功率半導(dǎo)體，用少量信息處理控制巨量電流，極大的提高能效和控制精度，其背后需要一系...

2020-12-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 2.9k 0

SiC前景火爆，國(guó)產(chǎn)功率器件廠商能否搶占市場(chǎng)先機(jī)？

由于材料限制，傳統(tǒng)硅基功率器件在許多方面已逼近甚至達(dá)到了其材料的本征極限，如電壓阻斷能力、正向?qū)▔航?、器件開關(guān)速度等，尤其在高頻和高功率領(lǐng)域更顯示出其局限性。

2020-07-01 標(biāo)簽：二極管功率器件 SiC 2.9k 0

科銳在美國(guó)紐約建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工廠

美國(guó)北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––Cree，Inc.（Nasdaq:CREE）宣布，科銳正在推進(jìn)從硅（Si）向碳化硅（SiC）的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)...

2020-09-02 標(biāo)簽：LED Sic 碳化硅 2.9k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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