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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應(yīng)用哪里?

IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領(lǐng)域核心開(kāi)關(guān)器件,通過(guò)柵極電壓...

2025-05-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT晶體管 3.2k 0

液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究

液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究

碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學(xué)穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)等優(yōu)勢(shì)。

2023-12-18 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)晶圓SBD 3.2k 0

意法半導(dǎo)體將在意大利新建8英寸SiC工廠

全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日宣布,將在意大利卡塔尼亞建立一座全新的綜合性大型制造基地,專(zhuān)注于8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊的...

2024-06-07 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiC碳化硅 3.2k 0

一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案

一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案

金剛石材料具有自然界物質(zhì)中最高的熱導(dǎo)率(高達(dá)2000 W/m·K),在大功率激光器、微波器件和集成電路等小型化高功率領(lǐng)域的散熱均有重要的應(yīng)用潛力。

2024-01-04 標(biāo)簽:激光器SiCGaN 3.2k 0

SiC和GaN功率電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析

今日寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)陸敏博士發(fā)表了主題為“SiC和GaN功率電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)”的演講。

2020-12-04 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體SiC 3.1k 0

基于SiC-CNT復(fù)合材料的電容式MEMS加速度計(jì)制造

基于SiC-CNT復(fù)合材料的電容式MEMS加速度計(jì)制造

碳化硅(SiC)被認(rèn)為是微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的優(yōu)秀材料,尤其是那些在高溫、高輻射和腐蝕性等具有挑戰(zhàn)性環(huán)境中工作的微機(jī)電系統(tǒng)。

2024-04-07 標(biāo)簽:傳感器碳納米管SiC 3.1k 0

特斯拉高調(diào)“減碳”,SiC高成本之殤,器件廠商如何應(yīng)對(duì)?

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)3月初特斯拉在投資者日上表示,將在下一代平臺(tái)上減少75%的碳化硅用量,消息一出,即給碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)帶來(lái)了一波地震,股價(jià)應(yīng)...

2023-03-20 標(biāo)簽:特斯拉SiC芯塔電子 3.1k 0

SiC和GaN功率器件能夠在電子界唱主角有什么原因

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如今,越來(lái)越多的汽車(chē)制造商涉足電動(dòng)汽車(chē) (EV) 開(kāi)發(fā),但是電動(dòng)汽車(chē)的駕程過(guò)短卻始終是個(gè)問(wèn)題。盡管采用空氣動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì)、更輕質(zhì)的材料、更高效的功耗等方法確...

2021-12-03 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 3.1k 0

混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動(dòng)汽車(chē)的最優(yōu)解?

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絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現(xiàn)代電動(dòng)汽車(chē)牽引系統(tǒng)的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱(chēng),但其固有的高開(kāi)關(guān)損耗和較...

2025-07-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器IGBT 3.1k 0

討論SiC在中功率和高功率OBC中的優(yōu)勢(shì)

電動(dòng)汽車(chē)(EV)車(chē)載充電機(jī)(OBC)可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式,充電功率從電動(dòng)機(jī)車(chē)等應(yīng)用中的不到 2 kW,到高端電動(dòng)汽車(chē)中的 22 kW 不等。

2022-09-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)AFEDC-DC轉(zhuǎn)換器 3.1k 0

捷捷微電:擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)實(shí)用新型專(zhuān)利4件

11月30日,捷捷微電發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表稱(chēng),晶閘管是2019年占公司總營(yíng)收49%的產(chǎn)品,由于公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整,今年預(yù)計(jì)占營(yíng)收的比重在40%左右,...

2020-11-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 3.1k 0

“金剛石半導(dǎo)體”中隱藏的可能性

“金剛石半導(dǎo)體”中隱藏的可能性

金剛石半導(dǎo)體具有優(yōu)異的特性,作為功率器件材料備受期待。

2023-06-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT功率器件 3.1k 0

3C-SiC有望PK單晶金剛石,成為高導(dǎo)熱材料的選擇

研究人員對(duì)文獻(xiàn)中關(guān)于3C-SiC的實(shí)測(cè)熱導(dǎo)率一直存在一個(gè)困惑:3C-SiC低于結(jié)構(gòu)更復(fù)雜的6H-SiC相,并且低于理論預(yù)測(cè)的k值。這與預(yù)測(cè)的結(jié)構(gòu)復(fù)雜性和...

2022-12-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC熱導(dǎo)率 3.1k 0

碳化硅(sic)正被用于多種電力應(yīng)用

碳化硅(sic)正被用于多種電力應(yīng)用

碳化硅正被用于多種電力應(yīng)用。ROHM 與意法半導(dǎo)體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。 汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化...

2022-07-28 標(biāo)簽:電力SiC能源 3.1k 0

SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì),2019 年以來(lái)發(fā)生了什么變化?

11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》,在混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)、電源和光伏逆變器需求的拉動(dòng)下,碳化硅(...

2020-11-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 3.1k 0

SiC評(píng)估板好不好看了就知道

近幾年,在電力電子領(lǐng)域,以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體很熱。各大科技媒體爭(zhēng)相報(bào)道它們有這樣那樣的好處,例如SiC耐高電壓和高溫;GaN的開(kāi)關(guān)頻率很...

2020-10-13 標(biāo)簽:SiC評(píng)估板 3.1k 0

簡(jiǎn)要介紹篩選后器件經(jīng)過(guò)馬拉松(Marathon)實(shí)驗(yàn)的典型結(jié)果

目前針對(duì)SiC的研究已相當(dāng)深入,仍有不少人關(guān)注SiC材料的柵氧能力,本文對(duì)此再做一個(gè)簡(jiǎn)要介紹。如圖1所示,相較于Si基材料,SiC與SiO2柵氧層界面缺...

2022-08-05 標(biāo)簽:功率器件SiC派恩杰 3.1k 0

國(guó)產(chǎn)8英寸SiC襯底捷報(bào)頻出,與海外龍頭差距還有多大?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”,襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分,自然是各家必爭(zhēng)之地。在下游需求帶動(dòng)下,SiC襯底正...

2022-11-23 標(biāo)簽:SiC 3.1k 0

SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀!

近年來(lái),SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善,已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限,依靠Si器件繼續(xù)完善來(lái)提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹...

2022-11-24 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 3.1k 0

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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話,主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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