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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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如何利用碳化硅(SiC)器件打造下一代固態(tài)斷路器？

碳化硅(SiC)器件在電動(dòng)汽車(EV)和太陽(yáng)能光伏(PV)應(yīng)用中帶來(lái)的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)得到了廣泛認(rèn)可。不過(guò)，SiC的材料優(yōu)勢(shì)還可能用在其他應(yīng)用中，其中包括電...

2023-09-26 標(biāo)簽：斷路器安森美半導(dǎo)體 SiC 2.5k 0

IGBT廠商翠展微電子2023年度總結(jié)重磅公布

翠展微電子 2023年度總結(jié) 作為IGBT行業(yè)中的后起之秀，翠展微電子2020年落戶嘉善，21年封測(cè)線投產(chǎn)，22年搬入二期項(xiàng)目，23年三期項(xiàng)目占地59畝...

2024-01-02 標(biāo)簽：IGBT 功率器件 SiC 2.5k 0

日本住友重工將推出SiC離子注入機(jī)

住友重工離子技術(shù)公司，作為住友重工的子公司，計(jì)劃在2025年向市場(chǎng)推出專為碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的離子注入機(jī)。SiC制程雖與硅生產(chǎn)線有諸多相似之...

2024-05-20 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 2.5k 0

SiC FET性能和優(yōu)勢(shì)及起源和發(fā)展介紹

高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯...

2022-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 SiC 2.5k 0

從PCIM Asia 2021看電力電子發(fā)展趨勢(shì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/程文智）PCIM Asia自2002年進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)后，到今年已經(jīng)有20年了，以前該展會(huì)都是在上海舉辦，今年首次來(lái)到了深圳。一直以來(lái)...

2021-09-13 標(biāo)簽：IGBT SiC PCIM Asia 2.5k 0

Power Integration推出高度靈活的門極驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)，適合最新的1.7 kV至4.5 kV IGBT及SiC雙功率模塊

可立即使用的SCALE-iFlex系統(tǒng)輕松支持四個(gè)模塊并聯(lián)；出廠涂覆三防漆可極大增強(qiáng)可靠性。

2019-06-27 標(biāo)簽：Power SiC 門極驅(qū)動(dòng)器 2.5k 0

業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。

2015-09-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC C3M0065090J 2.5k 0

美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管為航空應(yīng)用提供無(wú)與倫比的高功率性能

半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅（silicon carbide，SiC）襯底氮化鎵（gallium ...

2013-09-30 標(biāo)簽：RF SiC 美高森美 2.5k 0

SiC車規(guī)級(jí)應(yīng)用的電壓高壓化解決方案

■目前問(wèn)題：新能源汽車發(fā)展不及預(yù)期；800V架構(gòu)產(chǎn)品量產(chǎn)不及預(yù)期；SiC技術(shù)難度大，產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)不及預(yù)期；SiC滲透率不及預(yù)期。

2022-10-14 標(biāo)簽：新能源電動(dòng)車 SiC 2.5k 0

ROHM開發(fā)出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200...

2019-09-24 標(biāo)簽：MOSFET SiC Rohm 2.5k 0

UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析

UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過(guò)采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC F...

2022-08-01 標(biāo)簽：FET SiC UnitedSiC 2.5k 0

GaN和SiC在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用

設(shè)計(jì)人員正在尋求先進(jìn)技術(shù)，從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導(dǎo)體技術(shù)，從而在創(chuàng)新方面...

2023-11-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC GaN 2.5k 0

納微半導(dǎo)體GeneSiC起源與SiC的未來(lái)

GeneSiC 在滿足汽車行業(yè)需求的經(jīng)驗(yàn)還包括開發(fā)快速充電站解決方案，這對(duì) EV 的快速普及至關(guān)重要。以 SK Signet 最近設(shè)計(jì)的額定 350kW...

2023-12-13 標(biāo)簽：二極管晶體管 SiC 2.5k 0

電動(dòng)汽車能否成為GaN應(yīng)用的未來(lái)

在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。

2022-08-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器 SiC 2.5k 0

長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行

根據(jù)此前的公告披露，三安光電擬在長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶...

2020-08-17 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 SiC 2.5k 0

從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應(yīng)用？

碳化硅 (SiC) 具有提高電動(dòng)汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽(yáng)能行業(yè)，碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個(gè)與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計(jì)算...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.5k 0

英飛凌EiceDRIVER?技術(shù)以及應(yīng)對(duì)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)的挑戰(zhàn)

碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低，開關(guān)速度快，dv/dt高，短路時(shí)間小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的選擇、驅(qū)動(dòng)參數(shù)配置及短路響應(yīng)時(shí)間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事...

2023-12-01 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET 驅(qū)動(dòng) 2.5k 0

新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電失效分析

本文以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來(lái)定位漏電失效的SiC MOSFET芯片，并與OBIRCH對(duì)比定位效果，然后用FIB做定點(diǎn)截面切割，觀察到金屬化薄膜鋁...

2021-07-16 標(biāo)簽：芯片漏電 SiC 2.5k 0

需求持續(xù)擴(kuò)張，2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾2,900億元

受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.7...

2019-03-11 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET IGBT 2.5k 0

群創(chuàng)光電InnoLED引領(lǐng)Esports電競(jìng)螢?zāi)籣環(huán)旭電子預(yù)計(jì)在2022量產(chǎn)IGBT與SiC電源模塊

群創(chuàng)新一代「InnoLED技術(shù)」業(yè)界首發(fā)27吋 1440p IGZO 300hz miniLED 電競(jìng)面板，搭配NVIDIA創(chuàng)新Esports 規(guī)格，并...

2022-03-14 標(biāo)簽：led IGBT SiC 2.5k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
UCD3138

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