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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)再傳捷報(bào):芯塔電子與臻芯龍為引領(lǐng)技術(shù)突破與市場(chǎng)應(yīng)用新篇章

在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體的代表材料，正逐步成為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能及工業(yè)電源等領(lǐng)域的核心驅(qū)動(dòng)力。近期，國(guó)內(nèi)兩家...

2024-07-03 標(biāo)簽：SiC 碳化硅芯塔電子 2.4k 0

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢？

英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性

2023-10-11 標(biāo)簽：MOSFET 肖特基二極管 SiC 2.4k 0

UnitedSiC宣布推出適用大型反激式AC-DC的SiC JFET晶片

美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布已經(jīng)推出一系列適用于與具備內(nèi)置低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的...

2019-03-20 標(biāo)簽：SiC AC-DC 控制器IC 2.4k 0

功率半導(dǎo)體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設(shè)計(jì)企業(yè)：上海陸芯獲數(shù)億元D輪融資，強(qiáng)化車規(guī)級(jí)功率器件市場(chǎng)突破

月初，上海陸芯電子科技有限公司（下文簡(jiǎn)稱上海陸芯）由多家戰(zhàn)略投資方攜手引領(lǐng)的數(shù)億元D輪融資已經(jīng)落實(shí)，投資方包括盛宇華天產(chǎn)業(yè)基金等，將為上海陸芯加快全面復(fù)...

2022-06-20 標(biāo)簽：SiC 2.3k 0

SiC和GaN器件的兩大主力應(yīng)用市場(chǎng)

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)...

2024-11-20 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體 SiC 2.3k 0

中國(guó)制造2025：SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國(guó)產(chǎn)化

碳化硅功率半導(dǎo)體的高國(guó)產(chǎn)化程度是中國(guó)制造2025戰(zhàn)略的典型成果，通過(guò) 政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)需求共振，實(shí)現(xiàn)了從“進(jìn)口替代”到“全球競(jìng)爭(zhēng)”...

2025-03-09 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 2.3k 0

OBC企業(yè)要如何采用碳化硅器件

國(guó)產(chǎn)碳化硅上車首先是技術(shù)過(guò)硬，目前，多家國(guó)產(chǎn)企業(yè)的SiC MOSFET技術(shù)實(shí)力已經(jīng)是實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先。以愛(ài)仕特為例，據(jù)李潤(rùn)華介紹，愛(ài)仕特自主設(shè)計(jì)的第三代6英寸S...

2022-02-24 標(biāo)簽：封裝 SiC 碳化硅 2.3k 0

SiC上車！阿爾斯通新一代碳化硅永磁電機(jī)牽引系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)載客運(yùn)營(yíng)

作為智能和可持續(xù)交通領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者，阿爾斯通在滿足對(duì)綠色化、智能化交通的需求方面具備獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。此前，阿爾斯通便已著手研發(fā)能全面采用碳化硅材料的Vast...

2023-05-31 標(biāo)簽：智能化 SiC 永磁電機(jī) 2.3k 0

瞻芯電子獲評(píng)高新技術(shù)企業(yè)，展現(xiàn)SiC MOSFET研發(fā)創(chuàng)新水平

日前，上海瞻芯電子有限公司（簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）榮獲上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、上海市財(cái)政局、國(guó)家稅務(wù)總局上海市稅務(wù)局聯(lián)合頒發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)證書(shū)，正式邁入中國(guó)高...

2023-03-31 標(biāo)簽：MOSFET SiC 瞻芯電子 2.3k 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和...

2024-09-16 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 2.3k 0

增強(qiáng)GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用

熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要，而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。

2023-12-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 SiC 2.3k 0

關(guān)于碳化硅 (SiC)，這些誤區(qū)要糾正

碳化硅(SiC)是一種新興的新型寬禁帶(WBG)材料，特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用。然而，大家對(duì)它的諸多不了解限制了設(shè)計(jì)人員對(duì)它的充分利用。圖1：SiC晶...

2023-08-18 標(biāo)簽：材料 SiC 電荷 2.3k 0

SiC基芯片背面通孔刻蝕工藝研究的優(yōu)勢(shì)是什么

摘要:通過(guò)對(duì)感應(yīng)耦合等離子體(ICP)設(shè)備裝片夾具進(jìn)行改進(jìn)，提高了背氦的導(dǎo)熱效率，減小了下電極基底與晶圓表面之間的溫度差，提高了冷卻效果。對(duì)裝片夾具改進(jìn)...

2020-12-29 標(biāo)簽：芯片 SiC 2.3k 0

線性狀態(tài)下的SiC MOSFET

SiC MOSFET在開(kāi)/關(guān)切換模式下運(yùn)行。然而，了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的，當(dāng)驅(qū)動(dòng)程序發(fā)生故障或設(shè)計(jì)人員為特定目的對(duì)其進(jìn)行編程時(shí)，可能會(huì)發(fā)生這種情況。

2022-07-25 標(biāo)簽：MOSFET 無(wú)線電 SiC 2.3k 0

士蘭微電子亮相ASTC 2025中國(guó)家電科技年會(huì)

2025年12月11日上午，ASTC2025中國(guó)家電科技年會(huì)——家電用集成電路應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)在武漢開(kāi)幕，士蘭微電子IPM產(chǎn)品線總經(jīng)理吳美飛代表公司出席本次會(huì)議。

2025-12-22 標(biāo)簽：士蘭微電子家電 SiC 2.3k 0

UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個(gè)SiC FET

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開(kāi)關(guān)型）系列650V SiC...

2019-05-08 標(biāo)簽：FET SiC UnitedSiC 2.3k 0

SiC應(yīng)用加速上車,清純半導(dǎo)體搶占國(guó)產(chǎn)替代先機(jī)

　綜合中汽協(xié)與EVvolumes.com的數(shù)據(jù)，新能源汽車行業(yè)展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)動(dòng)力。我國(guó)在2021年、2022年和2023年的新能源汽車銷量分別達(dá)到了3...

2024-11-01 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET SiC 2.3k 0

SiC功率器件加速充電樁市場(chǎng)發(fā)展

隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開(kāi)關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因...

2019-06-18 標(biāo)簽：功率器件 SiC 充電樁 2.3k 0

利用SiC寬禁帶功率器件設(shè)計(jì)寬帶高功率放大器的流程概述

隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展，功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分，特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化...

2020-01-19 標(biāo)簽：放大器 SiC 2.3k 0

WBG材料讓設(shè)計(jì)人員選擇適合設(shè)計(jì)目標(biāo)的方案

如今，越來(lái)越多的汽車制造商涉足電動(dòng)汽車（EV）開(kāi)發(fā)，但是電動(dòng)汽車的駕程過(guò)短卻始終是個(gè)問(wèn)題。盡管采用空氣動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì)、更輕質(zhì)的材料、更高效的功耗等方法確...

2021-11-11 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 2.3k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
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