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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

AIXTRON滿足高良率、低成本、自動(dòng)化量產(chǎn)需求

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來(lái)源:《半導(dǎo)體芯科技》&《化合物半導(dǎo)體》雜志采訪——AIXTRON中國(guó)副總經(jīng)理 方子文博士 5月23-24日,由雅時(shí)國(guó)際商訊《半導(dǎo)體芯科技》《化合物半導(dǎo)...

2023-06-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體自動(dòng)化SiC 2.3k 0

IGBT、SiC國(guó)產(chǎn)化率加速攀升 碳化硅行業(yè)迎來(lái)快速發(fā)展機(jī)遇期

分 8 寸和 12 寸廠看,2022 年第四季度 8 寸晶圓廠的主力臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、力積 電和中芯國(guó)際的產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)分別下降到 97%/90%...

2023-02-03 標(biāo)簽:IGBT晶圓代工SiC 2.3k 0

哪吒汽車發(fā)布250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng)

哪吒汽車發(fā)布250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng)

電驅(qū)系統(tǒng):哪吒汽車發(fā)布了180kW 400V電驅(qū)系統(tǒng)和250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng),采用了三合一結(jié)構(gòu),集成了電機(jī)、減速器和控制器,最高轉(zhuǎn)速可達(dá)...

2023-08-24 標(biāo)簽:SiC電驅(qū)系統(tǒng)哪吒汽車 2.3k 0

5G性能爆發(fā)突破口 RF GaN蓬勃發(fā)展

5G性能爆發(fā)突破口 RF GaN蓬勃發(fā)展

RF GaAs模具市場(chǎng)將從2019年的28億美元左右增長(zhǎng)到2025年的36億美元以上。這一市場(chǎng)是由5G和Wi-Fi6手機(jī)應(yīng)用需求的增長(zhǎng)推動(dòng)的。

2021-01-04 標(biāo)簽:射頻SiC氮化鎵 2.3k 0

打破SiC難點(diǎn)!這家企業(yè)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化突圍

打破SiC難點(diǎn)!這家企業(yè)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化突圍

WAT 測(cè)試是半導(dǎo)體測(cè)試中對(duì)量測(cè)精度要求最高的,對(duì)各種測(cè)試測(cè)量?jī)x表提出了較高的要求。WAT參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)中的核心測(cè)量模塊主要是為測(cè)試結(jié)構(gòu)提供激勵(lì)源和測(cè)量各種參數(shù)

2023-11-08 標(biāo)簽:模塊SiC晶圓制造 2.3k 0

采用熔鹽法制備合成方法實(shí)現(xiàn)了BP的高產(chǎn)率

器件的散熱性能是決定電子器件性能、壽命及穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素之一。隨著電子器件微型化、集成化、功能化, 高效散熱問(wèn)題越來(lái)越引起科研人員的廣泛關(guān)注。電子元器件...

2022-12-12 標(biāo)簽:電子元器件SiC 2.3k 0

功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊(cè):電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用

功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊(cè):電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用

傾佳電子功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊(cè):電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接...

2026-01-04 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 2.3k 0

融資2億!這家SiC企業(yè)加快IPO進(jìn)程

融資2億!這家SiC企業(yè)加快IPO進(jìn)程

前不久,SiC晶錠襯底企業(yè)博雅新材公布IPO進(jìn)度,近日,該公司完成了2億元融資,加快IPO進(jìn)程。

2024-03-14 標(biāo)簽:晶圓IGBTSiC 2.3k 0

SiC MOSFET在汽車應(yīng)用動(dòng)力系統(tǒng)逆變器中的優(yōu)勢(shì)

SiC MOSFET在汽車應(yīng)用動(dòng)力系統(tǒng)逆變器中的優(yōu)勢(shì)

化硅器件可以在更高的溫度下運(yùn)行,并且可以采用降低的熱設(shè)計(jì)進(jìn)行設(shè)計(jì)。因此,它們?yōu)槠囶I(lǐng)域提供了理想的解決方案。使用 SiC 帶來(lái)的其他好處如下: 功率損耗...

2022-08-09 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC 2.3k 0

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞...

2023-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC功率半導(dǎo)體 2.3k 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅外延設(shè)備供應(yīng)商納設(shè)智能開啟上市輔導(dǎo)

近日,中國(guó)證券監(jiān)督管理委員會(huì)(證監(jiān)會(huì))披露了關(guān)于深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“納設(shè)智能”)首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告。這一消息引起了...

2024-02-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.3k 0

新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進(jìn)展

新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進(jìn)展

碳化硅功率器件具有高壓高功率領(lǐng)域等優(yōu)勢(shì),市場(chǎng)廣闊,應(yīng)用場(chǎng)景廣泛。也被認(rèn)為是下一代800V電動(dòng)汽車電驅(qū)核心技術(shù)。

2023-12-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET功率器件 2.3k 0

新應(yīng)用的出現(xiàn)將推動(dòng)碳化硅電力電子器件市場(chǎng)的發(fā)展

雖然SiC 可以通過(guò)人工制成,但加工過(guò)程卻極其困難,因此sic功率元器件如何量產(chǎn)一直是業(yè)界的難題。羅姆在這方面已經(jīng)擁有近30年經(jīng)驗(yàn),2012年3月就開始...

2020-09-28 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體電子元件 2.3k 0

小米SU7磁性元件供應(yīng)商上半年業(yè)績(jī)表現(xiàn)如何

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當(dāng)磁性元件行業(yè)還在為市場(chǎng)波動(dòng)輾轉(zhuǎn)時(shí),磁性元件企業(yè)可立克用一份超預(yù)期的半年報(bào)交出了答卷。 2025 年上半年,這家深耕磁性元件領(lǐng)域的企業(yè)以26.67 億元...

2025-08-12 標(biāo)簽:SiC磁性元器件 2.3k 0

SiC相對(duì)于傳統(tǒng)Si的優(yōu)勢(shì)如何

碳化硅(SiC)技術(shù)已達(dá)到臨界點(diǎn),即不可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)技術(shù)快速采用的狀態(tài)。 如今,出于多種原因,希望保持競(jìng)爭(zhēng)力并降低長(zhǎng)期系統(tǒng)成本的設(shè)計(jì)人員正在轉(zhuǎn)向基于S...

2023-10-13 標(biāo)簽:處理器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.3k 0

三菱電機(jī)提供SiC MOSFET裸片樣品

近日,三菱電機(jī)集團(tuán)宣布,將于11月14日開始提供用于電動(dòng)汽車(EV)、插電式混合動(dòng)力汽車(PHEV)和其他電動(dòng)汽車(xEV)電驅(qū)逆變器的碳化硅(SiC)...

2024-11-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體三菱電機(jī) 2.3k 0

碳化硅合作進(jìn)展:國(guó)產(chǎn)SiC模塊量產(chǎn)、超充技術(shù)應(yīng)用及設(shè)備采購(gòu)動(dòng)態(tài)

近期,碳化硅(SiC)領(lǐng)域迎來(lái)了多項(xiàng)合作突破,涉及國(guó)產(chǎn)SiC半橋模塊的量產(chǎn)上車、超充技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用,以及激光切割技術(shù)和相關(guān)設(shè)備的采購(gòu)等。以下是具體詳情:...

2024-11-06 標(biāo)簽:SiC碳化硅激光切割 2.3k 0

國(guó)家政策支持,中國(guó)功率半導(dǎo)體將迎來(lái)黃金發(fā)展期

據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露,有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢,目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報(bào)資訊獲悉,政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路...

2014-01-21 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2.3k 0

Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程!總投資超350億

Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程!總投資超350億

美國(guó)時(shí)間3月26日,Wolfspeed在官網(wǎng)宣布,他們的第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式,Wolfspeed總裁兼首席執(zhí)行官 G...

2024-03-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車晶圓SiC 2.3k 0

8英寸SiC襯底陣容加速發(fā)展 全球8英寸SiC晶圓廠將達(dá)11座

8英寸SiC襯底陣容加速發(fā)展 全球8英寸SiC晶圓廠將達(dá)11座

近年來(lái),隨著碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增,降低SiC成本的呼聲日益強(qiáng)烈,最終產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個(gè)成本結(jié)構(gòu)中占...

2024-03-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶圓 2.3k 0

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