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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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在為功率轉(zhuǎn)換選擇高功率開關(guān)器件時,過去只有兩個選擇,硅MOSFET或者是IGBT,然而最新的應(yīng)用如AC-DC轉(zhuǎn)換器,逆變器,DC-DC轉(zhuǎn)換器等,都達到了...
關(guān)于未來之星SiC產(chǎn)業(yè)鏈研究
SiC是半導(dǎo)體領(lǐng)域最具成長力的材料,預(yù)計到2028年市場增長5倍。 來源:ST SiC目前有兩大應(yīng)用市場,一是電動車逆變器、充電樁、太陽能發(fā)電、直流電網(wǎng)...
聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉工廠迎來首次批產(chǎn)
2024年3月,聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉工廠迎來首次批產(chǎn)。本次量產(chǎn)標(biāo)志著聯(lián)合電子在400V電壓平臺上實現(xiàn)了Si和SiC技術(shù)的全面覆蓋...
中電化合物榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強企業(yè)”
近日,華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強企業(yè)”稱號,其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具...
2024-01-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC華大半導(dǎo)體 2.4k 0
碳化硅(SiC)器件在電力電子領(lǐng)域中因其高效、高溫和高頻特性而被廣泛應(yīng)用。尤其在電動汽車、光伏逆變器、高壓電源、工業(yè)電機驅(qū)動等對功率密度、轉(zhuǎn)換效率以及工...
2024-11-18 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體博世 2.4k 0
第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用面臨哪些挑戰(zhàn)?如何破局?
近年來,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場熱點之一。
近兩年來,瞻芯電子快速推出了過百款產(chǎn)品,其中既有高品質(zhì)、高可靠的車規(guī)級碳化硅MOSFET,也有成為業(yè)界創(chuàng)新標(biāo)桿的碳化硅專用驅(qū)動芯片和模擬PFC控制芯片,...
如何消除SiC MOSFET——柵極電路設(shè)計中的錯誤及其對穩(wěn)健性的影響
為什么需要關(guān)注 SiC MOSFET 柵極?盡管具有傳統(tǒng)的 SiO 2柵極氧化物,但該氧化物的性能比傳統(tǒng) Si 基半導(dǎo)體中的經(jīng)典 Si-SiO 2界面更...
三安宣布進軍美洲市場,為市場提供SiC和GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項合作協(xié)議,Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨家銷售渠道,...
使用SiC的五電平單相轉(zhuǎn)換器可降低開關(guān)電壓應(yīng)力
隨著技術(shù)的進步,設(shè)備必須繼續(xù)具有出色的性能和效率。盡管傳統(tǒng)的多電平轉(zhuǎn)換器 ( MLC ) 滿足了這些需求,但它們?nèi)匀恍枰罅康碾娏﹄娮娱_關(guān)和支持電路,并...
2022-07-29 標(biāo)簽:電容器轉(zhuǎn)換器SiC 2.4k 0
聯(lián)合電子首款800V高壓平臺逆變磚產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)交付
近日,聯(lián)合電子首款800V高壓平臺逆變磚產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)交付,標(biāo)志著聯(lián)合電子在新能源汽車電控領(lǐng)域的又一突破。
Qorvo收購碳化硅功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC
Qorvo 已收購了總部位于新澤西州普林斯頓的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商 United Silicon Carbide (UnitedSiC)...
汽車日漸走向智能化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢,加上5G商用在即,這些將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計,...
傾佳電子推動SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動因
傾佳電子推動SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動因與SiC模塊應(yīng)用系統(tǒng)級優(yōu)勢深度研究 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能...
業(yè)內(nèi)人士預(yù)測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面,碳化...
AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運(PVT)是最適合AIN襯底制備的方法。
2023-12-28 標(biāo)簽:SiC 2.4k 0
國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)再傳捷報:芯塔電子與臻芯龍為引領(lǐng)技術(shù)突破與市場應(yīng)用新篇章
在國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的代表材料,正逐步成為新能源汽車、光伏儲能及工業(yè)電源等領(lǐng)域的核心驅(qū)動力。近期,國內(nèi)兩家...
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