導通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測試條件下,使MOSFET處于完全導通狀態(tài)時(工作在線性區(qū)),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映了MOSFET在導通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
3811 
SiC MOSFET具有導通電阻低、反向阻斷特性好、熱導率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢,在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而,SiC MOSFET面臨的一個關(guān)鍵挑戰(zhàn)是降低特征導通電阻(RON,SP)與提升短路耐受時間(tSC)之間的權(quán)衡。
2025-08-04 16:31:12
3055 
瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(jié)(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
3486 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列,可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ,全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻,有助于提升系統(tǒng)效率,還可讓設(shè)計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:21
1630 超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來,在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件,我們將在本文中重點介紹其一些性能特性和應(yīng)用空間。
2023-06-08 09:33:24
5619 
? 1、超級結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu),采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但是,導通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:36
8691 
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關(guān)損耗均較低,提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側(cè)重于
2025-02-21 11:24:20
1803 
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場強,在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
2025-03-12 15:53:22
1531 
TI推出業(yè)界首款65nm Cortex M4 MCU系列——Stellaris。該MCU系列采用ARM流行的Cortex M4核,具有浮點運算能力和高性能的模擬器件集成,以及豐富的外設(shè)連接特性,同時還具有更低的功耗,作為
2011-11-10 09:01:18
3468 
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中,實現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導通電阻”。
2012-04-13 09:19:34
1861 中國上海, 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55
1734 
SiC MOSFET,安森美稱其為M3S。 ? M3S產(chǎn)品導通電阻規(guī)格分為13/22/30/40/70mΩ,適配TO247?3L/4L和D2PAK?7L分立封裝。 ? 據(jù)官方介紹,S代表開關(guān),M3S系列
2024-04-08 01:55:00
4881 ,Wolfspeed第4代技術(shù)專為簡化大功率設(shè)計中常見的開關(guān)行為和設(shè)計挑戰(zhàn)而設(shè)計,并為 Wolfspeed 的各類產(chǎn)品(包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品)制定了長遠的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 導通電阻大幅下降,開關(guān)損耗降低,安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術(shù)主要的提升在于三個部分,首
2025-02-13 00:21:00
1526 成。 ? SiC MOSFET導通電阻的降低,意味著提高器件的開關(guān)效率,降低器件在導通狀態(tài)下的功率損耗。根據(jù)Wolfspeed的數(shù)據(jù),以100A電流為例,13mΩ 器件的導通損耗為 13W,較 16m
2025-08-10 03:18:00
8199 (1)Rds(on)和導通損耗直接相關(guān),RDSON越小,功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
(2)Rds(on)時正溫度系數(shù),會隨著MOSFET溫度升高而變大,也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
電阻低,通道電阻高,因此具有驅(qū)動電壓即柵極-源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關(guān)系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化(下降)逐漸減少,接近
2018-11-30 11:34:24
導通電阻方面的課題,如前所述通過采用SJ-MOSFET結(jié)構(gòu)來改善導通電阻。IGBT在導通電阻和耐壓方面表現(xiàn)優(yōu)異,但存在開關(guān)速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導通電阻、開關(guān)速度方面表現(xiàn)都很優(yōu)異
2018-11-30 11:35:30
度的漂移層實現(xiàn)高耐壓?! ∫虼耍谙嗤哪蛪褐登闆r下,SiC可以得到標準化導通電阻(單位面積導通電阻)更低的器件?! ±?b class="flag-6" style="color: red">900V時,SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下,SiC可以得到標準化導通電阻(單位面積導通電阻)更低的器件。例如900V時,SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1,就可以實現(xiàn)相同
2019-04-09 04:58:00
對體二極管進行1000小時的直流8A通電測試,結(jié)果如下。試驗證明,所有特性如導通電阻,漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
,但由于第三代(3G)SiC-MOSFET導通電阻更低,晶體管數(shù)得以從8個減少到4個。關(guān)于效率,采用第三代(3G)SiC-MOSFET時的結(jié)果最理想,無論哪種SiC-MOSFET的效率均超過Si IGBT
2018-11-27 16:38:39
與IGBT相比,SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻,非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是,在實際應(yīng)用中,工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
情況下,SiC可以得到標準化導通電阻(單位面積導通電阻)更低的器件。例如900V時,SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1,就可以實現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比,導通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性,并已擴展為系列化產(chǎn)品,現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
開來,并應(yīng)用于電纜以將電線與電纜所穿過的環(huán)境隔離開來。 SiC MOSFET可作為1200V,20A器件提供,在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外,固有的導通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
,SiC MOSFET可在更寬的范圍內(nèi)保持低導通電阻。此外,可以看到,與150℃時的Si MOSFET特性相比,SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩,因而導通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換,并且具有更低的導通電阻。例如,900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻(圖 1)。圖 1:SiC MOSFET(右側(cè))與硅
2017-12-18 13:58:36
{:11:}手頭有個900V,1600W的開關(guān)電源,電壓一直升不上去。到底是哪的問題,查不出來。有哪位大神介紹點斬波升壓這方面的資料。
2013-01-17 09:32:42
怎么實現(xiàn)基于業(yè)界首款Cortex-M33雙核微控制器LPC55S69的電路設(shè)計?
2021-06-15 09:14:03
描述:
APJ14N65D是CoolFET II MOSFET系列
也就是利用電荷平衡技術(shù)
低導通電阻和低柵極電荷性能
APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效果
一般特性
2025-07-15 16:22:02
求推薦一款導通電阻毫歐級別的常閉型固態(tài)繼電器,或者其他的導通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器,要求就是常態(tài)下是閉合,給電才導通
2021-01-09 09:50:06
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用,在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導通電阻也備受關(guān)注。然而,普通的單
2018-12-05 10:04:41
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
方面的所有課題。而且,與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,單位面積的導通電阻降低了約30%,實現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。另外,通過獨創(chuàng)的安裝技術(shù),還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝,使SiC-MOSFET的體
2019-03-18 23:16:12
。與此同時,SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現(xiàn)更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
銳駿半導體本周正式發(fā)布兩款全新超低導 通電阻MOSFET產(chǎn)品,型號分別為RUH4040M-B(40V/40A)和RUH4080M-B(40V/80A)。這兩款產(chǎn)品均采用DFN5060封裝,憑借先進
2024-10-14 09:40:16
的矛盾?! 〖幢闳绱耍邏?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET在額定結(jié)溫下的導通電阻產(chǎn)生的導通壓降仍居高不下,耐壓500V以上的MOSFET 的額定結(jié)溫、額定電流條件下的導通電壓很高,耐壓800V以上的導通電壓高得驚人,導
2023-02-27 11:52:38
。本篇將以ROHM的產(chǎn)品陣容及其特征作為SJ-MOSFET的具體案例來進行說明。SJ-MOSFET的種類以ROHM為例,SJ-MOSFET是根據(jù)噪聲、導通電阻、高速性及獨有結(jié)構(gòu)等進行分類的。首先
2018-12-03 14:27:05
TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關(guān)
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關(guān),其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:06
1007 TI發(fā)布具備更低導通電阻的集成負載開關(guān)
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關(guān),其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標準導通電阻 (RON) 比同類競爭產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27
623 導通電阻,導通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成,可使正負信號傳輸,如果將不同VI
2010-03-23 09:27:47
5716 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32
1055 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件,它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:39
1887 羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于,與普通SiC制SBD相比二極管導通電壓(以下稱導通電壓)較低。溝道型SBD的導通電壓為0.5V,降到了以往
2011-10-12 09:35:30
1523 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150m(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(jié)(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL60S5系列,將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40
1004 Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1,這是業(yè)界首款在單個半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
2013-06-05 10:17:19
1608 2015年1月22日,北京訊。日前,德州儀器 (TI) 推出其NexFET? 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET,其中包括具有業(yè)界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B,可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。
2015-01-22 15:33:26
3434 世界首家!ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,導通電阻大大降低,有助于工業(yè)設(shè)備等大功率設(shè)備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:46
2565 全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET:C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應(yīng)晶體管技術(shù),該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子
2016-01-04 17:00:19
2234 在SiC功率器件方面,羅姆展示了該公司的第3代產(chǎn)品。SiC MOSFET的第三代產(chǎn)品是采用“雙溝道結(jié)構(gòu)”的溝道型。相同芯片尺寸下,導通電阻較原來的平面型SiC MOSFET可降低50%,電容成分可
2016-11-23 16:17:51
1444 TI推出業(yè)界首款65nmCort_4MCU系列_Stellaris
2017-09-26 08:51:17
4 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:00
15153 關(guān)鍵詞:MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設(shè)備節(jié)省電源,延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01
728 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 (SiC) MOSFET,它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外,該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:40
4976 Charger:OBC)等領(lǐng)域擁有很高的市場份額。此次,導通電阻和短路耐受時間之間取得更好權(quán)衡的第4代SiC MOSFET的推出,除現(xiàn)有市場之外,還將加速在以主機逆變器為主的市場中的應(yīng)用。
2020-06-19 14:21:07
5094 
對于功率半導體來說,當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短,兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系,因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時,如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:12
1262 ROHM于2015年世界上第一家成功地實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:12
2665 SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V時最大導通電阻為20 mW,典型柵極電荷為9.2 nC,而通道2 MOSFET在10 V時的導通電阻為8.6 mW,典型柵極電荷為19.2 nC。
2020-12-15 16:14:26
942 Power Integrations今日發(fā)布兩款新器件,為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標準、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級
2022-02-16 14:10:12
2674 在功率半導體器件中,MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗在各種功率變換,特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域,MOSFET沒有競 爭對手,但隨著MOS的耐壓提高,導通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:33
3704 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻,可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品,現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53
1079 兩款900V FET均屬于常閉型器件,通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷,提供更高的效率,明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件,具有顯著優(yōu)勢。
2022-09-16 15:42:02
1628 Wolfspeed 新款車規(guī)級 E-系列(E3M)650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計人員滿足 EV 車載充電機應(yīng)用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:21
1907 比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數(shù)較低,SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢,但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比,它的潛在損耗較高,整體效率低。
2022-11-14 09:05:17
1750 )(統(tǒng)稱“東芝”)已經(jīng)開發(fā)了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD),以實現(xiàn)低導通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:53
1837 SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)異導通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導通電阻分別為2.02 m和2.93 m,SiZF5302DT相同條件下導通電阻分別為2.7 m和4.4 m。
2023-02-06 14:44:22
919 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用,在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:21
3059 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,另由于其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:03
4586 
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊可能很困難。SiC MOSFET在導通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢,但與UnitedSiC FET相比,這表明潛在的損耗更高,整體效率低下。
2023-02-21 09:24:56
1877 
日前,Power Integrations(PI)舉辦新品媒體線上溝通會,公司資深技術(shù)培訓經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國APEC展(國際電力電子應(yīng)用展)上發(fā)布的一款重要新品——900V氮化鎵
2023-03-24 10:28:28
1524 ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44
1157 
新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能,還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導通電阻(Ron)*2,相比以往產(chǎn)品,導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06
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列產(chǎn)品的參考資料,助力您快速了解產(chǎn)品各項信息。 點擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻,并且在各種電路中具有更出色的易用性,因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02
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兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部,挖出來的溝槽里面,叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu),對其導通電阻的構(gòu)成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:02
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點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出業(yè)界首款 [1] 2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07
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相對于IGBT,SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗,實現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET,導通電阻較小,可減少相同導通電阻的芯片面積,并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLW9N90CZ美浦森高壓MOSFET 900V 9A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 13:48:28
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLW9N90C美浦森高壓MOSFET 900V 9A .pdf》資料免費下載
2022-04-29 13:53:24
0 的工作效率。在這些應(yīng)用中,中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中,制造商要求進一步降低功耗。另一方面,“導通電阻
2023-11-20 01:30:56
1060 在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2023-12-15 16:51:34
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11月27日,瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,
2023-11-30 09:39:18
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新一代900V高性能電驅(qū)平臺采用自研面向900V的碳化硅電驅(qū)平臺,雙電機冗余設(shè)計保證了在惡劣天氣和濕滑路面上的穩(wěn)定行駛,后永磁同步電機在體積更小的情況下提供更強勁的動力輸出。
2023-12-26 10:52:27
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近日,昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破,推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品(N2M120007PP0)。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ,電壓規(guī)格為1200V,將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57
1617 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.7V,6A,16mΩ 導通電阻負載開關(guān)TPS22965數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 11:09:23
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有穩(wěn)壓浪涌電流的4.5V、1.5A、7.5mΩ導通電阻快速導通負載開關(guān)TPS22999數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-26 10:38:48
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V,10A,4.4mΩ 導通電阻負載開關(guān)TPS22962數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-07 14:14:51
0 近日,昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0,導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ,配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝,可以有效提升電流能力,滿足客戶的大功率應(yīng)用需求。
2024-05-11 10:15:44
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內(nèi)置900V~1500V MOSFET的高可靠性AC-DC電源芯片
2024-08-08 09:50:38
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近日,銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產(chǎn)品,為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:39
1054 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiC)MOSFET“X5M007E120”,其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品,供客戶評估。
2024-11-21 18:10:25
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全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源,開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:04
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電壓的平衡。另超結(jié)MOSFET具有更低的導通電阻和更優(yōu)化的電荷分布,因此其開關(guān)速度通常比普通MOSFET更快,有助于減少電路中的開關(guān)損耗。由于其出色的高壓性能和能效比,超結(jié)MOSFET更適合于高壓、大功率的應(yīng)用場景。
2025-05-06 15:05:38
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:49
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在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護核心元件,其導通電阻(RDS(on))參數(shù)對系統(tǒng)性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE,在支持客戶調(diào)試或可
2025-11-12 11:02:47
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DCNHR系列900V DC MAX接觸器繼電器詳解 在電子工程領(lǐng)域,接觸器繼電器是電路控制中不可或缺的元件。今天要給大家介紹的是Littelfuse公司的DCNHR系列900V DC MAX接觸器
2025-12-16 11:20:02
234 設(shè)計的優(yōu)選。然而,在實際市場中,是否真的存在0.42mΩ的超低導通電阻MOSFET?本文MDD將探討這種超低導通電阻MOSFET的市場應(yīng)用、優(yōu)勢及其面臨的挑戰(zhàn)。一、0
2025-12-16 11:01:13
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調(diào)節(jié)器,看看它有哪些獨特的特性和優(yōu)勢。 文件下載: Renesas Electronics RAA223181 900V離線反激式穩(wěn)壓器.pdf 產(chǎn)品概述 RAA223181是一款集成了900V
2025-12-30 09:30:12
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