導通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態(tài)時（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
3811 
SiC MOSFET具有導通電阻低、反向阻斷特性好、熱導率高、開關速度快等優(yōu)勢，在高功率、高頻率應用領域中占有重要地位。然而，SiC MOSFET面臨的一個關鍵挑戰(zhàn)是降低特征導通電阻（RON,SP）與提升短路耐受時間(tSC)之間的權衡。
2025-08-04 16:31:123055 
瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021660 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:083396 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211630 高壓SiC MOSFET的結構和技術存在著幾個重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導通電阻隨電壓等級相應增加，其他結構（溝道、JFET區(qū)等）的存在進一步提高了總導通電阻。
2023-05-04 09:43:184534 
超結（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應用領域以來，在400–900V功率轉換電壓范圍內取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點介紹其一些性能特性和應用空間。
2023-06-08 09:33:245619 
? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
2025-03-12 15:53:221531 
日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現業(yè)內超低導通電阻的產品。
2022-03-09 09:33:583805 
，Wolfspeed第4代技術專為簡化大功率設計中常見的開關行為和設計挑戰(zhàn)而設計，并為 Wolfspeed 的各類產品（包括功率模塊、分立元件和裸芯片產品）制定了長遠的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 導通電阻大幅下降，開關損耗降低，安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術主要的提升在于三個部分，首
2025-02-13 00:21:001526 （1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
導通電阻方面的課題，如前所述通過采用SJ-MOSFET結構來改善導通電阻。IGBT在導通電阻和耐壓方面表現優(yōu)異，但存在開關速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導通電阻、開關速度方面表現都很優(yōu)異
2018-11-30 11:35:30
度的漂移層實現高耐壓?！ ∫虼?，在相同的耐壓值情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件?！ ±?b class="flag-6" style="color: red">900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現相同
2019-04-09 04:58:00
對體二極管進行1000小時的直流8A通電測試，結果如下。試驗證明，所有特性如導通電阻，漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
研究開發(fā)法人科學技術振興機構合作開發(fā)，在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的產品。?超高壓脈沖電源特征?超高耐壓偽N通道SiC MOSFET?低導通電阻（以往產品的1
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現相同
2019-05-07 06:21:55
相比，能夠以具有更高的雜質濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導通電阻非常低的高耐壓器件。理論上
2019-07-23 04:20:21
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產品，現已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
。碳化硅與Si相比，SiC具有： 1.導通電阻降低兩個數量級2.電源轉換系統(tǒng)中的功率損耗較少3.更高的熱導率和更高的溫度工作能力4.由于其物理特性固有的材料優(yōu)勢而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
，SiC MOSFET可在更寬的范圍內保持低導通電阻。此外，可以看到，與150℃時的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
40mR導通電阻Ron的SIC-MOSFET來說，17A的電流發(fā)熱量還是挺大，在實際應用中需要加強散熱才可以。不過，1200V的SIC-MOSFET并不適合做低壓大電流的應用，這里才是48V的測試，屬于
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：特種電源開發(fā)試用計劃：在I項目開發(fā)中，有一個關鍵電源，需要在有限空間，實現高壓、大電流脈沖輸出。對開關器件的開關特性和導通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產品的技術成熟度越來越高，計劃把IGBT開關器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
狀態(tài)之間轉換，并且具有更低的導通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側）與硅
2017-12-18 13:58:36
{:11:}手頭有個900V，1600W的開關電源，電壓一直升不上去。到底是哪的問題，查不出來。有哪位大神介紹點斬波升壓這方面的資料。
2013-01-17 09:32:42
開發(fā)的。導通電阻降低到Si-MOSFET的1/8這是與工業(yè)設備輔助電源中廣泛使用的1500V耐壓Si-MOSFET的比較例。SiC-MOSFET的SCT2H12NZ的耐壓更高，達1700V，導通電阻
2018-12-05 10:01:25
”這個參數的影響。下面以“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉換器為基礎，按照同樣步驟來推導。右側電路圖在上次給出的升降壓轉換器簡圖上標出了作為開關的MOSFET的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產品相比，單位面積的導通電阻降低了約30％，實現了芯片尺寸的小型化。另外，通過獨創(chuàng)的安裝技術，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體
2019-03-18 23:16:12
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的導通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出，上述IC的柵極驅動電壓在每種MOSFET將要飽和前變?yōu)閂GS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
。與此同時，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
的矛盾?！ 〖幢闳绱?，高壓MOSFET在額定結溫下的導通電阻產生的導通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結溫、額定電流條件下的導通電壓很高，耐壓800V以上的導通電壓高得驚人，導
2023-02-27 11:52:38
Vishay Siliconix推出業(yè)內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 IR智能電源開關為24V汽車應用提供超低導通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側智能電源開關。該產品具有超低的導
2010-03-19 09:14:551514 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 羅姆展出了采用溝道構造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導通電壓(以下稱導通電壓)較低。溝道型SBD的導通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301523 羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產品（圖1）。特點是與該公司第一代產品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531938 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 SiC市場領導者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 09:29:312449 不同于市場上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負載開關產品，Silego推出的三款功能豐富的低導通電阻集成電源開關，集合了頂級FETIP與系統(tǒng)級保護功能。
2017-09-19 17:34:59
7 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 關鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節(jié)省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業(yè)界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01728 耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC
2018-10-24 11:40:015128 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:404976 Charger：OBC）等領域擁有很高的市場份額。此次，導通電阻和短路耐受時間之間取得更好權衡的第4代SiC MOSFET的推出，除現有市場之外，還將加速在以主機逆變器為主的市場中的應用。
2020-06-19 14:21:075094 
對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:121262 對于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區(qū)域的電阻起到決定作用。
2021-05-01 17:26:0020570 
導通電阻是二極管的重要參數，它是指二極管導通后兩段電壓與導通電流之比。生活中常用的測量導通電阻的方法有測量接地網接地阻抗法、萬用表測量法、接地搖表測量法以及專用儀器測量法。
2022-01-29 15:49:0029359 在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 本文基于PGC 咨詢公司進行的分析，研究了當今的 650-V 和 1，200-V SiC MOSFET，揭示了這些問題，包括柵極氧化物可靠性的優(yōu)化，這有助于降低比導通電阻，降低碳化硅成本。
2022-07-29 17:19:052471 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關器件擁有更小的導通電阻和開關損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅動功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設計更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:584653 用于高功率和高頻應用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的結溫，其特點包括低導通電阻和更高的開關。SiC MOSFET 允許構建具有更高功率密度和更高效率的轉換器。然而
2022-08-03 09:40:471712 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢。
2022-09-16 15:42:021628 比較SiC開關的數據資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數較低，SiC MOSFET似乎占據了優(yōu)勢，但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2022-11-14 09:05:171750 )(統(tǒng)稱“東芝”)已經開發(fā)了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現低導通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531837 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:213059 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:034586 
比較SiC開關的數據手冊可能很困難。SiC MOSFET在導通電阻溫度系數較低的情況下似乎具有優(yōu)勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
3.1 驅動電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低，但只有驅動電壓達到18V～20V時才能完全開通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對比 Cree的產品手冊中單管
2023-02-27 14:41:0910 日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會，公司資深技術培訓經理Jason Yan介紹了在美國APEC展（國際電力電子應用展）上發(fā)布的一款重要新品——900V氮化鎵
2023-03-24 10:28:281524 ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
列產品的參考資料，助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021476 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:335124 
波動，起到開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權衡關系的導通電阻也會提高，效率會變差，因此，如何同時兼顧更高耐壓和更低導通電阻，是一個很大的挑戰(zhàn)。風扇電機通常會使用多個MOSFET進行驅動，為了節(jié)
2023-09-14 19:12:411130 
電子發(fā)燒友網站提供《SLW9N90CZ美浦森高壓MOSFET 900V 9A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 13:48:280 電子發(fā)燒友網站提供《SLW9N90C美浦森高壓MOSFET 900V 9A .pdf》資料免費下載
2022-04-29 13:53:240 的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:561060 在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產生的變化
2023-12-15 16:51:34913 
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，
2023-11-30 09:39:183074 
可行的解決方案。 首先，讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結構。SIC（碳化硅）MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管。相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導通電阻和更優(yōu)秀的耐高溫性能，可以應用于高頻、高功率和高溫環(huán)境
2023-12-21 11:15:521410 瑤芯微此次參評的專注于“車規(guī)級低比導通電阻SiC MOSFET”，專家們一致贊賞該產品具有卓越的研究成果，堪稱行業(yè)翹楚。憑借諸多優(yōu)點，經過嚴謹評鑒，評委會授予瑤芯微的SiC MOSFET技術極高評價，同時認定其擁有自主創(chuàng)新產權，展現了強勁的技術實力。
2023-12-25 10:56:541872 新一代900V高性能電驅平臺采用自研面向900V的碳化硅電驅平臺，雙電機冗余設計保證了在惡劣天氣和濕滑路面上的穩(wěn)定行駛，后永磁同步電機在體積更小的情況下提供更強勁的動力輸出。
2023-12-26 10:52:271950 
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0，導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應用需求。
2024-05-11 10:15:441889 
，SiCMOSFET模塊具有更高的工作溫度、更低的導通電阻、更快的開關速度和更好的熱導率，SiCMOSFET模塊的引入有助于提高系統(tǒng)效率，減小系統(tǒng)尺寸和重量，是現代電力
2024-05-16 11:16:581084 
內置900V~1500V MOSFET的高可靠性AC-DC電源芯片
2024-08-08 09:50:382347 
近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。
2024-11-21 18:10:251354 
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務器和AI服務器電源，開發(fā)出實現了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
電壓的平衡。另超結MOSFET具有更低的導通電阻和更優(yōu)化的電荷分布，因此其開關速度通常比普通MOSFET更快，有助于減少電路中的開關損耗。由于其出色的高壓性能和能效比，超結MOSFET更適合于高壓、大功率的應用場景。
2025-05-06 15:05:381499 
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035 在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數對系統(tǒng)性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調試或可
2025-11-12 11:02:47339 
DCNHR系列900V DC MAX接觸器繼電器詳解 在電子工程領域，接觸器繼電器是電路控制中不可或缺的元件。今天要給大家介紹的是Littelfuse公司的DCNHR系列900V DC MAX接觸器
2025-12-16 11:20:02234 在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設計中，MOSFET作為開關元件，扮演著重要角色。由于其導通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產生，因此低導通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)
2025-12-16 11:01:13198 
RAA223181：900V離線反激調節(jié)器的卓越之選 在電子工程師的日常工作中，為智能電表電源等應用選擇合適的調節(jié)器是一項關鍵任務。今天，我們就來深入探討一下RAA223181這款900V離線反激
2025-12-30 09:30:1292
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工商網監(jiān)
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