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標(biāo)簽 > sk海力士
SK海力士(Hynix)是一家源自韓國的半導(dǎo)體芯片制造商,主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲芯片。它是全球最大的半導(dǎo)體公司之一,也是全球DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)者之一。
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三星SK海力士引領(lǐng)韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營利破256億美元
據(jù)海外媒體報(bào)道,由三星電子及SK海力士領(lǐng)導(dǎo)的韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望首次挑戰(zhàn)營業(yè)利益破256億美元(約30兆韓元)大關(guān)紀(jì)錄。
SK海力士計(jì)劃在印第安納州投資40億美元建芯片封裝工廠
據(jù)了解,該廠預(yù)計(jì)在2028年啟動運(yùn)營。進(jìn)而,SK 海力士即將召開董事會會議,對該項(xiàng)建廠計(jì)劃進(jìn)行表決,盡早達(dá)成決定。值得強(qiáng)調(diào)的是,SK海力士一度有考慮在亞...
朝鮮半島局勢變化 或?qū)⒂绊懭駾RAM產(chǎn)業(yè)
近日,美國一支從新加坡起航的航母戰(zhàn)斗群引發(fā)全球關(guān)注。據(jù)悉,該航母群原先準(zhǔn)備前往澳大利亞,后突然掉頭向朝鮮半島駛進(jìn),引人遐想??萍夹聢?bào)援引國外財(cái)經(jīng)網(wǎng)站Se...
SK海力士作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),正積極響應(yīng)市場需求的變化,并敏銳地把握住了高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的增長潛力。隨著數(shù)據(jù)處理速度需求的提升,HBM以其...
DRAM合約價(jià)續(xù)漲 4GB模組均價(jià)站上18美元大關(guān)
TrendForce 旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新研究顯示,11 月 DRAM 合約價(jià)格持續(xù)維持上漲格局,4GB 模組均價(jià)來到 1...
截至撰稿時(shí),SK海力士在韓國首爾證券交易所的每日收盤價(jià)為186,000韓元。據(jù)當(dāng)?shù)胤治鰩熤赋觯琒K海力士如今在高帶寬儲存(HBM)市場中的占有率已經(jīng)高達(dá)...
據(jù)知名市場分析機(jī)構(gòu)Omdia最新發(fā)布的報(bào)告,韓國芯片巨頭SK海力士在第三季度展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長勢頭,其銷售額有望達(dá)到驚人的128億美元,這一數(shù)字不僅刷新了...
晶圓代工產(chǎn)業(yè)遭遇需求停滯與產(chǎn)能過剩挑戰(zhàn)
三星公司近日作出重大決策,決定將泰勒廠的運(yùn)營時(shí)間延長至2026年,原計(jì)劃為2024年底。這一調(diào)整似乎是為了更靈活地應(yīng)對代工市場的變化,以優(yōu)化投資節(jié)奏。
三星與SK海力士實(shí)施NAND閃存“自然減產(chǎn)”
據(jù)外媒最新報(bào)道,為了應(yīng)對NAND閃存市場的供應(yīng)過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導(dǎo)體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露...
ICT領(lǐng)域歷經(jīng)PC、移動設(shè)備以及現(xiàn)如今基于云的AI轟烈發(fā)展,在此過程中產(chǎn)生并傳輸著各式各樣的龐大數(shù)據(jù)。當(dāng)前,我們已經(jīng)邁入了基于所有累積數(shù)據(jù)的通用人工智能...
半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生巨變,高通不確定,三星將取代英特爾當(dāng)老大
前十大公司中,預(yù)計(jì)有6家在2017年的銷售額至少過170億美元。如圖所示,想進(jìn)入前十榜單,銷售額必須達(dá)到92億美元。值得注意的是,如果將高通/NXP今年...
DRAM銷售金額再創(chuàng)歷史新高 Q4達(dá)211億美元年增65%
根據(jù)市場數(shù)據(jù)可知,DRAM市場預(yù)估成長74%,造就今年內(nèi)存走大多頭,市場供不應(yīng)求,價(jià)格水漲船高。據(jù)悉,第四季DRAM銷售金額已經(jīng)達(dá)到了211億美元,年增65%。
SK海力士尋求東電低溫蝕刻設(shè)備,或降低NAND閃存堆棧層數(shù)
當(dāng)前,3D NAND閃存在通過提高堆棧層數(shù)來增加容量上取得顯著進(jìn)展。然而,在這種趨勢下,閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。
除了在潔凈室中制造更多 DRAM 設(shè)備外,DRAM 制造商還需要將這些存儲設(shè)備組裝成復(fù)雜的 8-Hi 或 12-Hi 堆棧,而這方面他們似乎遇到了瓶頸,...
據(jù)韓國媒體報(bào)道,韓國半導(dǎo)體行業(yè)的巨頭SK海力士,為應(yīng)對美國可能出臺的新政策,已開始對其所使用的中國半導(dǎo)體電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)軟件進(jìn)行緊急審查。這一舉...
東芝計(jì)劃明年3月底完成芯片業(yè)務(wù)出售,并稱不接受貝恩財(cái)團(tuán)單一成員投資
東芝的閃存產(chǎn)品品質(zhì)和穩(wěn)定性高于海力士、美光等同類產(chǎn)品,但由于日本企業(yè)經(jīng)營保守,市場反應(yīng)的速度和彈性都不如海力士,美光等韓美企業(yè),企業(yè)經(jīng)營的策略調(diào)整較慢。...
DRAM漲價(jià)潮:廠商減產(chǎn)引發(fā)需求激增,持續(xù)尋求利潤改善
報(bào)導(dǎo)指出,因各家內(nèi)存廠商減產(chǎn)、市場過剩情況緩解,2023年11月DRAM批發(fā)價(jià)約2年半來首度呈現(xiàn)揚(yáng)升。各家內(nèi)存廠商為了改善獲利,今后將持續(xù)要求漲價(jià)。
2024-01-25 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片Nand flash 1k 0
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9...
三星電子提前組建DRAM技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì)
全球最大的三家DRAM制造商——三星電子、SK海力士以及美光,計(jì)劃在今年三季度到明年逐步實(shí)現(xiàn)1cnm的量產(chǎn)。然而,1dnm工藝則排在1cnm之后,預(yù)計(jì)量...
三星電子HBM3E芯片驗(yàn)證仍在進(jìn)行,與英偉達(dá)展開聯(lián)合測試并取得階段性成果
據(jù)行業(yè)觀察者透露,三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn),而這與三星自身的生產(chǎn)方式有所出入,從而影響了產(chǎn)品的認(rèn)證進(jìn)程。
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