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SK海力士（Hynix）是一家源自韓國的半導體芯片制造商，主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲芯片。它是全球最大的半導體公司之一，也是全球DRAM市場的領(lǐng)導者之一。

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DRAM價格下半年或?qū)⒊掷m(xù)上漲

隨著全球科技行業(yè)的不斷發(fā)展，尤其是人工智能（AI）領(lǐng)域的迅猛崛起，存儲芯片市場正迎來新的機遇與挑戰(zhàn)。據(jù)行業(yè)分析師的最新預測，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器...

2024-07-01 標簽：DRAM 存儲器 SK海力士 1.1k 0

SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%

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三星與海力士引領(lǐng)DRAM革新：新一代HBM采用混合鍵合技術(shù)

在科技日新月異的今天，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）作為計算機系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，其技術(shù)革新一直備受矚目。近日，據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露，韓國兩大DRAM芯片...

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SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產(chǎn)良率達到56.1%

近日，半導體行業(yè)迎來了一項重大技術(shù)突破。據(jù)BUSINESSKOREA報道，在6月16日至6月20日于美國夏威夷舉行的半導體盛會“VLSI 2024”上，...

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三星、SK海力士通用DRAM產(chǎn)線開工率維持80%~90%

在半導體存儲行業(yè)，三星電子和SK海力士兩大韓國巨頭一直以其卓越的技術(shù)和產(chǎn)能占據(jù)市場的重要地位。然而，近期韓媒援引業(yè)內(nèi)人士的消息稱，這兩大巨頭的通用DRA...

2024-06-24 標簽：半導體 SK海力士三星 1.4k 0

英偉達巨資預訂HBM3E，力拼上半年算力市場

在全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競爭中，英偉達以其卓越的技術(shù)實力和市場影響力，始終保持著領(lǐng)先地位。最近，這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨特的戰(zhàn)略眼光和強大的資金...

2024-06-22 標簽：美光 SK海力士 AI芯片 1.6k 0

爆火！產(chǎn)能激增800%！

來源：今日芯聞 ? 編輯：感知芯視界 Link 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士正在擴產(chǎn)其第5代1b DRAM，以應對HBM及DDR5 DRAM需求增加。SK...

2024-06-19 標簽：DRAM SK海力士 782 0

SK海力士擴大1b nm DRAM產(chǎn)能以應對HBM3E需求

據(jù)韓國媒體報道，為了應對市場對高性能HBM3E（高帶寬內(nèi)存第三代增強版）內(nèi)存的激增需求，全球知名半導體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DR...

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SK海力士擴產(chǎn)1b DRAM,引領(lǐng)存儲行業(yè)新熱潮

在6月17日傳來的最新消息中，全球知名的半導體制造商SK海力士正積極布局，大力擴展其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模。這一舉措旨在應對日益增長的高帶寬內(nèi)存...

2024-06-17 標簽：DRAM SK海力士 HBM 1.8k 0

SK海力士加大1b DRAM產(chǎn)能以滿足市場需求

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2024-06-17 標簽：半導體 DRAM SK海力士 1.3k 0

SK海力士調(diào)整HBM供應計劃以響應AI熱潮

韓國SK海力士公司周四透露，該公司正在重新調(diào)整明年的高容量存儲器（HBM）芯片供應計劃。這一調(diào)整源于客戶為抓住人工智能（AI）熱潮而提前發(fā)布產(chǎn)品計劃的趨勢。

2024-06-03 標簽：AI SK海力士 HBM 1.1k 0

SK海力士李康旭副社長成為首位榮獲“IEEE-EPS年度大獎”的韓國人

SK海力士31日宣布，本公司PKG開發(fā)擔當副社長李康旭于30日(美國時間)在美國科羅拉多州丹佛市舉行的“電氣與電子工程師協(xié)會-電子封裝學會(IEEE-E...

2024-05-31 標簽：集成電路存儲器晶圓 1.6k 0

韓國三星電子工會將在6月7日舉行罷工，原因是勞資談判破裂

作為三星電子內(nèi)部最大的工會，韓國全國三星電子工會擁有 28400 名會員，占企業(yè)總員工數(shù)的約 22%。工會代表表示，此次罷工的主要原因在于公司對工會的忽視。

2024-05-30 標簽：三星電子 SK海力士 966 0

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近日，韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB，并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。

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SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)

SK海力士在半導體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐，計劃在其第6代（1c工藝，約10nm）DRAM的生產(chǎn)中，首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠（MOR）。...

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SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型Inpria MOR光刻膠

據(jù) TheElec報道，SK Hynix 已決定在其第 6 帶（即 1c 工藝，約為 10nm）DRAM 生產(chǎn)過程中采用 Inpria 下一代金屬氧化物...

2024-05-30 標簽：DRAM 光刻膠 SK海力士 2.9k 0

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領(lǐng)軍企業(yè)，SK海力士已在...

2024-05-30 標簽：芯片 SK海力士 HBM 1.8k 0

全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)量價雙增長，三星、SK海力士等廠商排名變動

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SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高，將集成更多功能

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2024-05-29 標簽：數(shù)據(jù)傳輸 SK海力士 HBM 1.2k 0

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電池（Battery）指盛有電解質(zhì)溶液和金屬電極以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復合容器的部分空間，能將化學能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負極之分。隨著科技的進步，電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽能電池。電池的性能參數(shù)主要有電動勢、容量、比能量和電阻。
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充電樁其功能類似于加油站里面的加油機，可以固定在地面或墻壁，安裝于公共建筑（公共樓宇、商場、公共停車場等）和居民小區(qū)停車場或充電站內(nèi)，可以根據(jù)不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。
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wifi是當今使用最廣的一種無線網(wǎng)絡傳輸技術(shù)，實際上就是把有線網(wǎng)絡信號轉(zhuǎn)換成無線信號，供支持其技術(shù)的設(shè)備接收。
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任正非是華為技術(shù)有限公司主要創(chuàng)始人、總裁。
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MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
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受惠于中國政府醫(yī)療改革以及居民對健康保健的重視，未來3年，中國便攜醫(yī)療電子市場年復合增長率將超過30％！其市場規(guī)模從2006年的80億元迅速擴大到2011的280億元！

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