Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors （ALLOS）達(dá)成了一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措，展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍(lán)/綠光micro-LED的生產(chǎn)。維易科和ALLOS合作將其
2018-02-26 10:24:10
10634 5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施。氮化鎵、MMIC、射頻 SoC 以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-05 04:20:15
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率。5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施。在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-31 07:47:23
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們?cè)陔娨?、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái)，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換?！ 〈送猓詣?dòng)駕駛車(chē)輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無(wú)線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。
2020-10-28 06:01:23
，并且順豐包郵。 2022 年 5 月 15 日，聯(lián)想官方在電商平臺(tái)發(fā)起氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，YOGA 65W 雙口 USB-C 氮化鎵充電器到手價(jià)僅需 59.9元。這是一款正兒八經(jīng)的大功率氮化鎵充電器
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時(shí)優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
的關(guān)鍵時(shí)刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，這推動(dòng)了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應(yīng)用，并使其定位為最適合未來(lái)5G無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的實(shí)際促技術(shù)，其轟動(dòng)性市場(chǎng)影響可能會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出手機(jī)連接領(lǐng)域
2018-08-17 09:49:42
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個(gè)更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
內(nèi)的波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)偏差標(biāo)準(zhǔn)為1.3nm，波長(zhǎng)范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數(shù)在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產(chǎn)硅4545
2014-01-24 16:08:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
電子、汽車(chē)和無(wú)線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國(guó)，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
組合多個(gè)射頻能量通道，例如3x300W或2x500W等。支持的頻段范圍為915MHz到2.45GHz?！?商業(yè)OEM渴望借助硅基氮化鎵抓住高性能射頻能量系統(tǒng)的巨大市場(chǎng)機(jī)遇，但他們不希望將資源投資于
2017-08-03 10:11:14
，尤其是2010年以后，MACOM開(kāi)始通過(guò)頻繁收購(gòu)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng)，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來(lái)越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來(lái)越多，價(jià)格越來(lái)越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
、 邁克爾加成反應(yīng)2、 付-克烷基化反應(yīng)3、 羥醛縮合反應(yīng)（乙醇鈉）4、 磺化反應(yīng)、硝化反應(yīng)5、 重氮化反應(yīng)、疊氮化反應(yīng)6、 無(wú)溶劑反應(yīng)、30%的液液相反應(yīng)（大概率）技術(shù)參數(shù)：外形尺寸：50×80×4mm
2018-07-02 13:45:39
WH-IND 152玻璃微反應(yīng)器是汶顥自主研發(fā)的微通道反應(yīng)器，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，微反應(yīng)器具有比表面積大、傳質(zhì)傳熱效率高、安全性高、放大效應(yīng)小等優(yōu)點(diǎn)， WH-IND 152玻璃微反應(yīng)器兼顧了傳質(zhì)與壓降
2018-06-29 10:49:09
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面，根據(jù)實(shí)際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過(guò)采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專(zhuān)有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
。
圖 6：沒(méi)有輸入濾波器、基于氮化鎵器件的逆變器于PWM = 100 kHz、DT = 21 ns、C = 2 x 22 μF 陶瓷； U相電流 500 mA/div、輸入電壓 200 mV
2023-06-25 13:58:54
、穩(wěn)定性、高效性。汶顥微反應(yīng)器熱量緩沖需求量低，占地面積小，自動(dòng)化程度高，極大地節(jié)省了人力及物力資源。基于微流控技術(shù)的微通道反應(yīng)器，代表著綠色化工的發(fā)展方向。汶顥自主研發(fā)的多結(jié)構(gòu)微反應(yīng)器兼顧了傳質(zhì)與壓降兩大
2018-06-28 13:28:02
小得多，因此每塊晶圓就可以生產(chǎn)出更多的氮化鎵器件，從而實(shí)現(xiàn)可量產(chǎn)、具低成本、成熟、迅速反應(yīng)和非常易于擴(kuò)展的供應(yīng)鏈。
誤解5 ：GaN FET和集成電路的價(jià)格昂貴
這是關(guān)于氮化鎵技術(shù)最常見(jiàn)的錯(cuò)誤觀念！ 氮化
2023-06-25 14:17:47
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：WH-IND 152玻璃微反應(yīng)器是汶顥科技自主研發(fā)的微通道反應(yīng)器，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，微反應(yīng)器具有比表面積大、傳質(zhì)傳熱效率高、安全性高、放大效應(yīng)小等優(yōu)點(diǎn)， WH-IND 152玻璃微反應(yīng)器
2018-06-22 15:55:21
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時(shí)，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在Veeco Propel? MOCVD反應(yīng)器上的可復(fù)制性。
2018-11-10 10:18:181790 本視頻主要詳細(xì)介紹了反應(yīng)器類(lèi)型，分別有管式反應(yīng)器、釜式反應(yīng)器、有固體顆粒床層的反應(yīng)器、塔式反應(yīng)器、噴射反應(yīng)器等。
2018-11-04 09:19:4818860 本視頻主要詳細(xì)介紹了常見(jiàn)反應(yīng)器，分別有釜式反應(yīng)器、流化床反應(yīng)器、固定床反應(yīng)器、膜生物反應(yīng)器以及塔式反應(yīng)器。
2018-11-04 09:53:5915640 生物反應(yīng)器，是指利用自然存在的微生物或具有特殊降解能力的微生物接種至液相或固相的反應(yīng)系統(tǒng)。本視頻首先介紹了生物反應(yīng)器優(yōu)點(diǎn)，其次介紹了生物反應(yīng)器對(duì)比反應(yīng)器的優(yōu)點(diǎn)，最后介紹了氣升式生物反應(yīng)器優(yōu)缺點(diǎn)。
2018-11-07 16:24:3618174 IC反應(yīng)器是基于UASB反應(yīng)器顆?；腿喾蛛x器的概念而改進(jìn)的新型反應(yīng)器，可看成是由兩個(gè)UASB反應(yīng)器的單元相互重疊而成。它的特點(diǎn)是在一個(gè)高的反應(yīng)器內(nèi)將沼氣的分離分成兩個(gè)階段。底部一個(gè)處于極端的高負(fù)荷，上部一個(gè)處于低負(fù)荷。
2018-11-10 10:47:5616914 本視頻主要詳細(xì)介紹了uasb反應(yīng)器的特點(diǎn)，分別有構(gòu)造簡(jiǎn)單巧妙、反應(yīng)器內(nèi)可培養(yǎng)出厭氧顆粒污泥、實(shí)現(xiàn)了污泥泥齡（SRT）與水力停留時(shí)間（HRT）的分離、UASB反應(yīng)器對(duì)各類(lèi)廢水有很大的適應(yīng)性、能耗低，產(chǎn)泥量少以及不能去除廢水中的氮和磷。
2018-11-10 10:51:0312131 與傳統(tǒng)的金屬氧化物（LDMOS）半導(dǎo)體相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)十分明顯——提供的有效功率可超過(guò)70%，每個(gè)單位面積的功率提升了4~6倍數(shù)，從而降低整體功耗，并且很重要的是能夠擴(kuò)展至高頻率應(yīng)用。同時(shí)
2018-11-10 11:29:249762 Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，雙方共同努力，致力于為Micro LED生產(chǎn)應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。
2018-11-15 14:53:494130 在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開(kāi)啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門(mén)，其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低，與LDMOS相當(dāng)，遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。
2018-11-24 09:36:332638 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問(wèn)題并應(yīng)對(duì) microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN-on-Si） 外延片的出色一致性和可重復(fù)性。此外，公司還報(bào)告了其 300 mm 外延片的成功發(fā)展藍(lán)圖。
2020-04-08 16:53:125033 
近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問(wèn)題并應(yīng)對(duì) microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重復(fù)性
2020-12-24 10:20:302566 意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-SiC)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。
2022-05-19 10:26:484238 G5屏下光學(xué)資料分享
2022-08-25 15:37:41
4 5萬(wàn)片晶圓。報(bào)道顯示，該筆撥款是2022財(cái)年綜合撥款法案的一部分，來(lái)自于美國(guó)國(guó)防部可信訪問(wèn)計(jì)劃辦公室 (TAPO) ，自2019年以來(lái)，TAPO一直積極支持軍民兩用硅基氮化鎵技術(shù)研發(fā)，新的款項(xiàng)將資助格
2022-10-21 15:33:231691 器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。 氮化鎵技術(shù)是指一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體，具有相對(duì)寬的帶隙。所以寬帶隙器件可以在高壓、高溫、高頻率下工作。
2023-02-03 14:14:454119 和GaN為代表物質(zhì)制作的器件具有更大的輸出功率和更好的頻率特性。 2、分類(lèi)狀況 氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢(shì)，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅
2023-02-03 14:31:181408 氮化鎵是目前全球最快功率開(kāi)關(guān)器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導(dǎo)體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體更強(qiáng)。
2023-02-05 12:48:1527987 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337276 
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對(duì)傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器市場(chǎng)快速滲透，長(zhǎng)期在基站、服務(wù)器、新能源汽車(chē)等諸多場(chǎng)景也將具有一定的增長(zhǎng)潛力。
2023-02-06 16:44:274965 硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355312 在過(guò)去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，具有快速的開(kāi)關(guān)速度，更高的擊穿強(qiáng)度和高導(dǎo)熱性。
2023-02-09 18:04:021141 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無(wú)線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過(guò)高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生長(zhǎng)在昂貴的III/V族SiC晶圓上，采用昂貴
2023-02-10 10:48:501674 
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢(shì)，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅基氮化鎵功率器件主要應(yīng)用于電力電子器件領(lǐng)域。雖然
2023-02-10 10:52:524734 
硅基氮化鎵外延生長(zhǎng)是在硅片上經(jīng)過(guò)各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極小面積上的一種電子產(chǎn)品。氮化鎵功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:4213770 
硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。
2023-02-12 13:52:271619 在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開(kāi)了大門(mén)，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。
2023-02-12 14:00:151261 反向恢復(fù)電荷、體積小和能耗低、抗輻射等優(yōu)勢(shì)。 曾經(jīng)射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)中主要用到的是LDMOS技術(shù)，而如今，硅基氮化鎵技術(shù)基本已經(jīng)取代了傳統(tǒng)的LDMOS技術(shù)，與傳統(tǒng)的LDMOS技術(shù)相比，硅基氮化鎵技術(shù)可提供的功率效率能夠超過(guò)70%，單位面積功
2023-02-12 14:30:283191 硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，可有效縮小功率器件體積，提高功率器件效率，對(duì)傳統(tǒng)硅材料功率器 件進(jìn)行替代。
2023-02-12 17:05:08997 硅上氮化鎵具有廣泛的未來(lái)應(yīng)用，擴(kuò)展了當(dāng)前的HEMT功能，將功率水平提高到1kW以上。該技術(shù)可幫助設(shè)計(jì)人員提高工作電壓，并將頻率響應(yīng)從Ka波段推入E波段、W波段和太赫茲空間。本文由香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)科技系的一組研究人員提出。
2023-02-12 17:20:08736 硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）LED始終備受世人的關(guān)注。在最近十年的初期，當(dāng) Bridgelux（普瑞光電）公司宣布該技術(shù)可減低 LED 照明的成本時(shí)，它一舉成為了頭條新聞。LED 芯片
2023-02-12 17:28:001624 硅基氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù)，它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:012596 硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件，它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:28:092240 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:082354 硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結(jié)合在一起，形成一種新的復(fù)合材料，以滿(mǎn)足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:582277 硅基氮化鎵是一種新型復(fù)合材料，它是由硅和氮化鎵結(jié)合而成的，具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性和抗拉強(qiáng)度，可以用于制造功率器件和襯底，如電子元件、電子器件和電子零件等。它具有低溫制備、低成本、低污染等優(yōu)點(diǎn)，可以滿(mǎn)足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求。
2023-02-14 15:14:171894 硅基氮化鎵是一種由硅和氮化鎵組成的復(fù)合材料，它具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。此外，硅基氮化鎵還可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 15:26:103578 硅基氮化鎵充電器是一種利用硅基氮化鎵材料作為電池正極材料的充電器，具有高功率密度、高安全性和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-02-14 15:41:074636 硅基氮化鎵和藍(lán)寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料，但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能，可以用于制造電子元件，而藍(lán)寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性，可以用于制造熱敏元件。此外，硅基氮化鎵的成本更低，而藍(lán)寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料，因其卓越的性能而越來(lái)越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:391395 Mojo Vision 表示，Micro LED技術(shù)為顯示器提供了關(guān)鍵性能表現(xiàn)、效率和外形優(yōu)勢(shì)，這對(duì)于擴(kuò)展現(xiàn)實(shí) (XR)、可穿戴設(shè)備、汽車(chē)、消費(fèi)電子和高速通信等應(yīng)用至關(guān)重要。公司目前已克服了多個(gè)的供應(yīng)鏈和晶圓資格問(wèn)題，例如晶圓彎曲和污染等，使硅基氮化鎵晶圓獲準(zhǔn)進(jìn)入300mm工廠。
2023-05-25 09:40:241237 
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專(zhuān)有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低
2023-09-01 14:46:041591 
氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開(kāi)關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強(qiáng)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體。
2023-09-11 17:17:534150 GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能塑造未來(lái)的電信技術(shù)。
2023-09-14 10:22:362158 
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:3410640 
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 、電子設(shè)備領(lǐng)域： 1.1 功率放大器：氮化鎵技術(shù)在功率放大器的應(yīng)用中具有重要的意義。相比傳統(tǒng)的硅基功率放大器，氮化鎵功率放大器具有更高的功率密度、更高的效率和更寬的頻率范圍。因此，它們廣泛用于射頻通信、雷達(dá)、無(wú)線電和太赫
2024-01-09 18:06:363961 氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片，它們?cè)谛阅?、?yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點(diǎn)和差異。 首先，從材料屬性上來(lái)看，氮化鎵芯片采用
2024-01-10 10:08:143855 、應(yīng)用領(lǐng)域等方面。 背景介紹: 硅基氮化鎵集成電路芯片是在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的一項(xiàng)重要研究課題。隨著智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)高性能、高頻率、高可靠性集成電路芯片的需求日益增長(zhǎng)。然而，傳統(tǒng)的硅基材料在高
2024-01-10 10:14:582335 珠海鎵未來(lái)科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
2024-04-10 18:08:092856 
近日，科技巨頭Google宣布其自主研發(fā)的Tensor G5芯片已成功邁入Tape-out（流片）階段，這標(biāo)志著即將應(yīng)用于Pixel 10系列智能手機(jī)的全新芯片已接近量產(chǎn)。Tensor G5不僅是Google首款完全擺脫外部平臺(tái)依賴(lài)、實(shí)現(xiàn)完全自主設(shè)計(jì)的手機(jī)處理器，更是公司技術(shù)實(shí)力的重要里程碑。
2024-07-02 09:45:331171 微反應(yīng)器采用微加工制造技術(shù)，設(shè)計(jì)通道尺度在１０μｍ～３ｍｍ范圍的流動(dòng)化學(xué)反應(yīng)器。由于微反應(yīng)器較小的通道尺寸，較短的傳質(zhì)距離和較高的比表面積等優(yōu)點(diǎn)，微反應(yīng)器可以提供更快速的混合效果、更優(yōu)異的換熱性
2024-08-21 15:02:501073 一、 微反應(yīng)器 的定義 微反應(yīng)器，即微通道反應(yīng)器，是利用精密加工技術(shù)制造的特征尺寸在10到300微米（或者1000微米）之間的微型反應(yīng)器。這里的“微”表示工藝流體的通道在微米級(jí)別，而非指微反應(yīng)
2024-09-30 11:33:231555 微反應(yīng)器在有機(jī)合成及催化中的應(yīng)用是一個(gè)跨學(xué)科的研究領(lǐng)域，結(jié)合了化學(xué)反應(yīng)和化學(xué)工程的知識(shí)。它首次在化學(xué)反應(yīng)和化學(xué)工程的交叉領(lǐng)域全面系統(tǒng)地總結(jié)了微反應(yīng)技術(shù)在有機(jī)合成和催化中的應(yīng)用進(jìn)展。 微反應(yīng)器的制作
2024-11-13 15:07:39808 微通道反應(yīng)器，即微反應(yīng)器，利用精密加工技術(shù)制造的特征尺寸在10到300微米（或者1000微米）之間的微型反應(yīng)器，微反應(yīng)器的“微”表示工藝流體的通道在微米級(jí)別，而不是指微反應(yīng)設(shè)備的外形尺寸小或產(chǎn)品
2024-11-27 14:57:20958 CoolGaN BDS 650V G5雙向開(kāi)關(guān)。這款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的單片雙向開(kāi)關(guān)，憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:113435 新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿(mǎn)足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計(jì)。該系
2025-11-03 18:18:052815 
中的性能差異源于材料物理特性，具體優(yōu)劣勢(shì)如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片 優(yōu)勢(shì)： 功率密度高：GaN 的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達(dá)硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573106
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