威兆半導(dǎo)體推出的VSP002N03MS-G是一款面向30V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2026-01-04 16:29:54
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威兆半導(dǎo)體推出的VSD004N03MS是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-26 11:53:2899 
威兆半導(dǎo)體推出的VSB012N03MS是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TDFN3x3.3封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-25 16:22:10115 
PC2781 是高邊驅(qū)動(dòng)控制器配合 N 溝道功率MOSFET 控制器， 在應(yīng)用時(shí)與外部 N 溝道功率MOSFET、電容儲(chǔ)存器共同使用，實(shí)現(xiàn)二極管電路功能，該二極管電路在串聯(lián)電流源時(shí)具有低平均正向
2025-12-19 11:31:15
1 威兆半導(dǎo)體推出的VS3603GPMT是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-18 17:33:59125 
產(chǎn)品描述： PC2781 是高邊驅(qū)動(dòng)控制器配合 N?溝道功率MOSFET?控制器，?在應(yīng)用時(shí)與外部 N?溝道功率MOSFET、電容儲(chǔ)存器共同使用，實(shí)現(xiàn)二極管電路功能，該二極管電路在串聯(lián)電流源時(shí)具有
2025-12-18 14:27:20221 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3612GP是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-16 11:33:14198 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-15 15:03:39264 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3602GPMT是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-11 15:36:26280 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-11 10:52:20289 威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 14:53:13275 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3640AA是一款面向30V低壓小電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DFN2x2封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-10 11:48:31227 威兆半導(dǎo)體推出的VS3614AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-10 09:54:11256 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域。今天就來(lái)詳細(xì)探討安森美（onsemi）推出的一款單通道N溝道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。
2025-12-08 14:53:47334 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-08 11:10:47237 威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-08 10:32:52241 在當(dāng)今電子設(shè)備對(duì)電源效率、功率密度和可靠性要求日益提高的背景下，碳化硅（SiC）肖特基二極管憑借其卓越的性能，逐漸成為電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域的熱門(mén)選擇。本文將詳細(xì)介紹安森美（onsemi）的一款40 A
2025-12-05 10:52:49341 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-04 09:22:59258 威兆半導(dǎo)體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等
2025-12-03 09:53:50217 作為電子工程師，我們?cè)陔娫丛O(shè)計(jì)領(lǐng)域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅（SiC）肖特基二極管的出現(xiàn)，為我們帶來(lái)了新的解決方案。今天就來(lái)詳細(xì)分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155，深入探討它的特性、參數(shù)和應(yīng)用。
2025-12-01 15:55:06207 
威兆半導(dǎo)體推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)極致低導(dǎo)通電阻，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、高
2025-12-01 15:32:59189 威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GEMC是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)
2025-12-01 11:02:50237 威兆半導(dǎo)體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-28 12:07:44160 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載
2025-11-27 16:52:11394 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3633GE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)與高能量效率，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步
2025-11-27 14:53:22197 威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，具備快速開(kāi)關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開(kāi)關(guān)等低壓
2025-11-26 15:21:16231 
在電子電路設(shè)計(jì)中，肖特基二極管作為高頻、低功耗應(yīng)用的理想選擇，其選型至關(guān)重要。德昌推出的SOD-123封裝肖特基二極管系列，憑借其低正向壓降、快速反向恢復(fù)時(shí)間和高可靠性，廣泛應(yīng)用于電源管理、高頻
2025-11-25 16:55:43689 
仁懋電子（MOT）推出的MOT3136D是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借2.4mΩ超低導(dǎo)通電阻、120A超大連續(xù)電流及優(yōu)異散熱封裝，適用于功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用、硬開(kāi)關(guān)高頻
2025-11-21 10:46:19181 SMDJ30CA雙向 TVS瞬態(tài)抑制二極管：30V雙向電壓000W 浪涌中壓電路防護(hù)核心
2025-11-20 16:42:401145 
仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開(kāi)關(guān)特性，適用于各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-11-20 16:22:54302 選型手冊(cè)：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 仁懋電子（MOT）推出的MBR30200W是一款30A規(guī)格的肖特基勢(shì)壘整流二極管，憑借200V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性，適用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-13 09:35:58266 仁懋電子（MOT）推出的MOT3145J是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、85A大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于便攜設(shè)備、電池
2025-11-11 09:29:03206 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開(kāi)關(guān)特性，適用于各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如DC-DC
2025-11-11 09:18:36254 仁懋電子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性，適用于各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如
2025-11-06 15:44:22300 SB1545L TO-277肖特基二極管，電流：15A 45V
2025-11-03 16:10:470 SB10200 TO-277肖特基二極管，電流：10A 200V
2025-11-03 16:08:371 SB10150 TO-277肖特基二極管，電流：10A 150V
2025-11-03 16:01:580 SB10100L TO-277肖特基二極管，電流：10A 100V
2025-11-01 17:42:350 SB1060L TO-277肖特基二極管，電流：10A 60V
2025-11-01 17:13:170 SS5200F SMAF肖特基二極管，電流：5A 200V
2025-11-01 17:12:010 SS5150F SMAF肖特基二極管，電流：5A 150V
2025-11-01 17:10:240 SS510F SMAF肖特基二極管，電流：5A 100V
2025-11-01 16:41:400 SS56F SMAF肖特基二極管，電流：5A 60V
2025-11-01 16:32:030 SS54F SMAF肖特基二極管，電流：5A 40V
2025-11-01 16:25:040 SS3200F SMAF肖特基二極管，電流：3A 200V
2025-11-01 16:24:220 SS3150F SMAF肖特基二極管，電流：3A 150V
2025-11-01 16:23:460 SS310F SMAF肖特基二極管，電流：3A 100V
2025-11-01 16:22:410 SS36F SMAF肖特基二極管，電流：3A 60V
2025-11-01 16:18:170 SS34F SMAF肖特基二極管，電流：3A 40V
2025-11-01 16:17:420 SS2200F SMAF肖特基二極管，電流：2A 200V
2025-10-31 17:54:380 SS2150F SMAF肖特基二極管，電流：2A 150V
2025-10-31 17:50:180 SS210F SMAF肖特基二極管，電流：2A 100V
2025-10-31 17:36:361 SS26F SMAF肖特基二極管，電流：2A 60V
2025-10-31 17:23:470 SS24F SMAF肖特基二極管，電流：2A 40V
2025-10-31 17:03:170 SS1200F SMAF肖特基二極管，電流：1A 200V
2025-10-31 16:32:100 SS1150F SMAF肖特基二極管，電流：1A 150V
2025-10-31 16:28:390 SS110F SMAF肖特基二極管，電流：1A 100V
2025-10-31 15:38:420 SS16F SMAF肖特基二極管，電流：1A 60V
2025-10-31 15:36:470 SS14F SMAF肖特基二極管，電流：1A 40V
2025-10-30 18:07:040 SS12F SMAF肖特基二極管，電流：1A 20V
2025-10-30 17:55:030 SS5200 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 200V
2025-10-29 16:50:490 SS5150 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 150V
2025-10-29 16:47:550 SS510 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 100V
2025-10-29 16:45:590 SS56 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 60V
2025-10-28 18:00:190 SS54 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 40V
2025-10-28 17:52:220 SS52 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 20V
2025-10-28 17:49:040 SS3200 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 200V
2025-10-28 17:22:260 SS3150 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 150V
2025-10-28 16:51:540 SS36 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 60V
2025-10-28 16:46:280 SS310 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 100V
2025-10-28 16:44:420 SS34 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 40V
2025-10-28 16:43:510 SS32 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 20V
2025-10-28 16:41:370 SS2200 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 200V
2025-10-28 16:39:230 SS2150 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 150V
2025-10-24 18:21:440 SS210 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 100V
2025-10-24 16:03:250 SS28 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流:2A 80V
2025-10-23 18:09:270 SS26 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流2A 60V
2025-10-23 17:36:070 SS24 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 40V
2025-10-23 17:29:070 SS22 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 20V
2025-10-23 17:28:180 ： 在普通PN結(jié)二極管中，電流導(dǎo)通需要克服P區(qū)和N區(qū)接觸形成的內(nèi)建電勢(shì)差（勢(shì)壘）。硅材料PN結(jié)的這個(gè)勢(shì)壘高度通常在0.7V左右，因此需要大約0.7V的電壓才能讓二極管開(kāi)始顯著導(dǎo)通（開(kāi)啟電壓）。 肖特基二極管是金屬（如鉬、鈦、鉑）與N型半導(dǎo)體直接接
2025-09-22 16:40:132418 
由此可知，肖特基二極管和整流二極管是互補(bǔ)的二極管。肖特基憑借其超低正向壓降和超快開(kāi)關(guān)速度在低壓、高頻、高效率領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。整流二極管則憑借其高反向電壓、低反向漏電流和低成本在高壓和工頻整流應(yīng)用中
2025-08-22 17:14:101539 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()低電容高壓肖特基二極管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有低電容高壓肖特基二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，低電容高壓肖特基二極管真值表，低電容高壓肖特基二極管管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-18 18:34:21
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()表面貼裝通用肖特基二極管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有表面貼裝通用肖特基二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，表面貼裝通用肖特基二極管真值表，表面貼裝通用肖特基二極管管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-17 18:29:59
產(chǎn)品描述:(替代LTC4364)PC2464浪涌抑制器具有理想二極管控制器，可保護(hù)負(fù)載避免高壓瞬變的損壞。通過(guò)控制一個(gè)外部N溝道MOSFET傳輸器件兩端的電壓降，該器件可在過(guò)壓過(guò)程中限制和調(diào)節(jié)輸出
2025-07-09 14:42:30
三款新品驅(qū)動(dòng)工業(yè)新效能！采用溝槽工藝MOSFET和肖特基二極管 產(chǎn)品介紹 合科泰新推出三款新品，均為T(mén)O-252封裝。兩款MOSFET型號(hào)分別為HKTD80N03A和3080K，一款肖特基二極管
2025-06-27 18:24:35447 
Analog Devices Inc. LTC4451 40
V 7A理想
二極管使用
集成N溝道功率MOSFET替代高性能
肖特基二極管。該器件可輕松將OR電源結(jié)合在一起，以提高系統(tǒng)可靠性并防止反向?qū)ā?/div>
2025-06-24 11:46:08679 
產(chǎn)品描述:(替代LTC4359)PC2559是一款正高壓的理想二極管控制器，使用外部N溝道MOSFET取代了肖特基二極管，以控制MOSFET兩端的正向電壓降,確保即使在輕負(fù)載下電流傳輸也不會(huì)出現(xiàn)振蕩
2025-06-17 16:25:03
產(chǎn)品描述：（替代LTC4357）PC2557是一款正向高壓理想二極管控制器，通過(guò)控制驅(qū)動(dòng)外部N溝道MOSFET來(lái)替代肖特基二極管。在ORING電路和大電流應(yīng)用中，PC2557可以降低其功耗、散熱
2025-06-17 16:21:13
肖特基二極管
結(jié)構(gòu)：金屬和半導(dǎo)體的“夾心餅干”
肖特基二極管的結(jié)構(gòu)超級(jí)簡(jiǎn)單，就兩層：
金屬層：比如用金、銀、鋁等（常用的是鉑或鎢）。
半導(dǎo)體層（N型）：比如硅，里面摻了雜質(zhì)，多出一堆自由電子。
這倆
2025-06-12 14:15:12
圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開(kāi)關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971 
LM749x0-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開(kāi)/關(guān)控制以及過(guò)流和過(guò)壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護(hù)和控制
2025-05-07 14:15:31793 
LM74912-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開(kāi)/關(guān)控制的理想二極管整流器，具有過(guò)壓、欠壓和輸出短路保護(hù)功能。3V 至 65V 的寬輸入電源可
2025-05-07 11:31:01833 
使用反向并聯(lián)的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)展。SiC
2025-03-20 11:16:591046 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMH550UNEA 30V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-20 16:29:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《RB751V45通用肖特基二極管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 11:47:130 ?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管 在科技政策與法規(guī)的推動(dòng)下，半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的變革。隨著對(duì)高效能、低能耗電子設(shè)備需求的不斷增長(zhǎng)，BASiC基本公司
2025-02-06 11:51:051085 
肖特基二極管(Schottky diode)， 肖特基二極管的物理結(jié)構(gòu)基于金屬- N 型半導(dǎo)體結(jié)，因而具有很低的正向壓降和極快的開(kāi)關(guān)速度。
2025-01-24 15:54:441146 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN029：了解SiC功率肖特基二極管的數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-23 16:40:420 已全部加載完成
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