領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求的推動(dòng)，基于此，Sandisk決定對(duì)所有渠道和消費(fèi)者客戶的產(chǎn)品價(jià)格調(diào)漲10%以上。為了確保能提供高性能閃存解決方案并支持持續(xù)的創(chuàng)新投資，Sandisk目前正在對(duì)閃存產(chǎn)品組合進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 ? Sandisk表示，即日起這些調(diào)整僅適用于新的報(bào)價(jià)和訂
2025-09-13 09:12:15
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圣邦微電子推出SGM41010，一款單節(jié)鋰電池保護(hù)芯片。該器件可應(yīng)用于鋰離子充電電池和鋰聚合物充電電池。
2025-12-24 15:29:52638 
在半導(dǎo)體制造邁向先進(jìn)制程的今天，濕法清洗技術(shù)作為保障芯片良率的核心環(huán)節(jié)，其重要性愈發(fā)凸顯。RCA濕法清洗設(shè)備憑借其成熟的工藝體系與高潔凈度表現(xiàn)，已成為全球半導(dǎo)體廠商的首選方案。本文將從設(shè)備工藝
2025-12-24 10:39:08135 Sandisk閃迪公司日前正式推出一款創(chuàng)新的開(kāi)源工具SPRandom，旨在解決SSD基準(zhǔn)測(cè)試中的重大技術(shù)瓶頸。簡(jiǎn)而言之，預(yù)處理是基于實(shí)際工作負(fù)載對(duì)SSD進(jìn)行測(cè)試的關(guān)鍵步驟，以確保性能表現(xiàn)準(zhǔn)確且可重復(fù)
2025-12-22 17:41:46372 在7納米、3納米等先進(jìn)芯片制造中，光刻機(jī)0.1納米級(jí)的曝光精度離不開(kāi)高精度石英壓力傳感器的支撐，其作為“隱形功臣”，是保障工藝穩(wěn)定、設(shè)備安全與產(chǎn)品良率的核心部件。本文聚焦石英壓力傳感器在光刻機(jī)中
2025-12-12 13:02:26423 半導(dǎo)體器件是經(jīng)過(guò)以下步驟制造出來(lái)的 一、從ingot（硅錠）到制造出晶圓的過(guò)程 二、前道制程:?在晶圓上形成半導(dǎo)體芯片的過(guò)程: 三，后道制程:?將半導(dǎo)體芯片封裝為 IC?的過(guò)程。 在每一步
2025-12-05 13:11:00161 
在IC芯片制造的檢驗(yàn)工藝中，全數(shù)檢查原則貫穿于關(guān)鍵工序的缺陷篩查，而老化測(cè)試作為可靠性驗(yàn)證的核心手段，通過(guò)高溫高壓環(huán)境加速潛在缺陷的暴露，確保芯片在生命周期內(nèi)的穩(wěn)定運(yùn)行。以邏輯芯片與存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試
2025-12-03 16:55:45678 
電池作為能量存儲(chǔ)的重要載體，其制造工藝的精密性與可靠性直接關(guān)系到實(shí)際產(chǎn)品的性能與安全。深圳比斯特自動(dòng)化設(shè)備有限公司始終站在技術(shù)創(chuàng)新前沿，推出的BT-1418單節(jié)自動(dòng)點(diǎn)焊機(jī)，集智能化、高精度與高可靠性于一身，為圓柱型電池的規(guī)?；?biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)提供了出色的解決方案，重新定義了單電池焊接工藝的新高度。
2025-12-02 15:25:03808 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)與浙江大學(xué)合作，在納米尺度量子精密測(cè)量領(lǐng)域取得進(jìn)展，首次實(shí)現(xiàn)了噪聲環(huán)境下糾纏增強(qiáng)的納米尺度單自旋探測(cè)。 01 測(cè)量最基礎(chǔ)的磁性單元 探測(cè)單個(gè)自旋，測(cè)量物質(zhì)世界最基礎(chǔ)的磁性單元，能夠
2025-12-01 18:42:171665 
AI 浪潮下存儲(chǔ)爆發(fā)漲價(jià)潮，供需緊張推動(dòng)行業(yè)發(fā)展，而品質(zhì)才是核心競(jìng)爭(zhēng)力！優(yōu)可測(cè)深耕半導(dǎo)體精密檢測(cè)，覆蓋晶圓、芯片、PCB 領(lǐng)域，以亞納米級(jí)至微米級(jí)高精度測(cè)量方案，筑牢存儲(chǔ)品質(zhì)根基，助力廠商緊抓 AI 產(chǎn)業(yè)東風(fēng)，強(qiáng)化產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-11-29 17:58:571052 
和讀取，適用于需要長(zhǎng)期保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)的設(shè)備。
多種存儲(chǔ)容量：武漢芯源半導(dǎo)體的EEPROM產(chǎn)品提供多種存儲(chǔ)容量選擇，從2KB到512KB不等，以滿足不同應(yīng)用的需求。
先進(jìn)的工藝：采用華虹95nm最先進(jìn)工藝制造
2025-11-21 07:10:48
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:341116 12寸晶圓（直徑300mm）的制造工藝是一個(gè)高度復(fù)雜且精密的過(guò)程，涉及材料科學(xué)、半導(dǎo)體物理和先進(jìn)設(shè)備技術(shù)的結(jié)合。以下是其核心工藝流程及關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)： 一、單晶硅生長(zhǎng)與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
2025-11-17 11:50:20328 步驟，而且每一步里邊又包含更多細(xì)致的過(guò)程。 1：芯片是一塊集成電路，是運(yùn)算核心和控制核心。它的功能主要是解釋指令以及處理計(jì)軟件中的數(shù)據(jù)。當(dāng)然，芯片的制造過(guò)程也代表了當(dāng)今世界科技發(fā)展的最高水平。 2：硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素，沙子中
2025-11-14 11:14:09291 在電子制造的高精度領(lǐng)域中，芯片引腳的處理工藝對(duì)最終產(chǎn)品的連接質(zhì)量與長(zhǎng)期可靠性具有決定性影響。引腳成型與引腳整形作為兩個(gè)關(guān)鍵工序，名稱相近，卻在功能定位與應(yīng)用環(huán)節(jié)上存在本質(zhì)區(qū)別。準(zhǔn)確把握二者差異
2025-10-30 10:03:58
、能耗、性能和可靠性方面面臨日益嚴(yán)格的要求。今天，我們將從設(shè)計(jì)到出廠的全流程切入，深入剖析存儲(chǔ)芯片（如 DRAM、NAND Flash）制造的制程原理、關(guān)鍵技術(shù)與挑戰(zhàn)。 一、設(shè)計(jì)階段：從概念到版圖 # 1. 架構(gòu)與工藝節(jié)點(diǎn)選擇 DRAM ：以 1T1
2025-10-24 08:42:00846 近日，曙光存儲(chǔ)推出面向金融的可信AI存儲(chǔ)，助力金融行業(yè)高效、安全、穩(wěn)定地使用關(guān)鍵業(yè)務(wù)敏感數(shù)據(jù)。該方案基于全球領(lǐng)先的集中式全閃存儲(chǔ)FlashNexus，構(gòu)建“真存算分離”架構(gòu)，保障金融可信AI應(yīng)用，滿足金融行業(yè)的AI治理、信創(chuàng)深化雙重戰(zhàn)略。
2025-10-23 09:24:22551 優(yōu)化工藝、提升良率的關(guān)鍵。一、核心功能：從“從無(wú)到有”到“從有到精”1. 引腳成型：引腳的“精準(zhǔn)塑造”
引腳成型設(shè)備的核心使命，是完成引腳的初次定型。在芯片制造的后段或封裝環(huán)節(jié)，它負(fù)責(zé)將原始的、平直
2025-10-21 09:40:14
。 ? 英特爾18A工藝堪稱芯片制造領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破，處于業(yè)界2納米級(jí)節(jié)點(diǎn)水平。它采用了兩項(xiàng)極具創(chuàng)新性的基礎(chǔ)技術(shù)——RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)和PowerVia背面供電技術(shù)
2025-10-21 08:52:004858 然而，隨著納米技術(shù)的出現(xiàn)，芯片制造過(guò)程越來(lái)越復(fù)雜，晶體管密度增加，導(dǎo)致導(dǎo)線短路或斷路的概率增大，芯片失效可能性大大提升。測(cè)試費(fèi)用可達(dá)到制造成本的50%以上。
2025-10-16 16:19:272516 
在精密制造與科研領(lǐng)域，納米級(jí)的定位精度往往是決定成敗的關(guān)鍵。為了滿足大行程與高精度的平衡需求，芯明天推出全新P15.XY1000壓電納米定位臺(tái)，在繼承P15系列卓越性能的基礎(chǔ)上，將單軸行程提升
2025-10-16 15:47:31270 
陶瓷管殼制造工藝中的缺陷主要源于材料特性和工藝控制的復(fù)雜性。在原材料階段，氧化鋁或氮化鋁粉體的粒徑分布不均會(huì)導(dǎo)致燒結(jié)體密度差異，形成顯微裂紋或孔隙；而金屬化層與陶瓷基體的熱膨脹系數(shù)失配，則會(huì)在高溫循環(huán)中引發(fā)界面剝離。
2025-10-13 15:29:54722 
。那該如何延續(xù)摩爾神話呢？
工藝創(chuàng)新將是其途徑之一，芯片中的晶體管結(jié)構(gòu)正沿著摩爾定律指出的方向一代代演進(jìn)，本段加速半導(dǎo)體的微型化和進(jìn)一步集成，以滿足AI技術(shù)及高性能計(jì)算飛速發(fā)展的需求。
CMOS工藝從
2025-09-06 10:37:21
芯片封裝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步，它不僅保護(hù)了精密的硅芯片免受外界環(huán)境的影響，還提供了與外部電路連接的方式。通過(guò)一系列復(fù)雜的工藝步驟，芯片從晶圓上被切割下來(lái)，經(jīng)過(guò)處理和封裝，最終成為可以安裝在各種電子設(shè)備中的組件。
2025-08-25 11:23:212262 
在存儲(chǔ)芯片（DRAM/NAND）制造中，晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個(gè)芯片（Die）的關(guān)鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、晶圓日益變薄（尤其對(duì)于高容量3DNAND），傳統(tǒng)劃片工藝帶來(lái)
2025-08-08 15:38:061026 
大連義邦的DEXMET PFA全氟過(guò)濾支撐網(wǎng)憑借高精度（0.11mm）、耐強(qiáng)腐蝕、低摩擦、自潤(rùn)滑等特性，成為半導(dǎo)體制造（如光刻、蝕刻、CMP工藝）中提升過(guò)濾效率、保障芯片良率的關(guān)鍵材料之一，其獨(dú)家延展工藝和工業(yè)化量產(chǎn)能力在國(guó)際市場(chǎng)具有技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2025-08-08 14:17:34542 
光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí)，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43944 
退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，通過(guò)控制加熱和冷卻過(guò)程，退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)。這些改進(jìn)對(duì)于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過(guò)程中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-08-01 09:35:232024 
鍵合技術(shù)是通過(guò)溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué)鍵，實(shí)現(xiàn)不同材料（如硅-硅、硅-玻璃）原子級(jí)結(jié)合的核心工藝，起源于MEMS領(lǐng)域并隨SOI制造、三維集成需求發(fā)展，涵蓋直接鍵合（如SiO
2025-08-01 09:25:591760 
在新能源行業(yè)飛速發(fā)展的今天，產(chǎn)品更新迭代的的速度越來(lái)越快，制作工藝的要求也越來(lái)越高。市場(chǎng)要求我們“快速上線、高效生產(chǎn)”，那我們?nèi)绾尾拍茏?b class="flag-6" style="color: red">制造流程中的工藝環(huán)節(jié)變得更智能，更高效？
2025-07-30 10:18:38891 切割工藝參數(shù)以實(shí)現(xiàn)晶圓 TTV 均勻性有效控制，為晶圓切割工藝改進(jìn)提供新的思路與方法。
一、引言
在半導(dǎo)體晶圓切割工藝中，晶圓 TTV 均勻性是影響芯片制造質(zhì)量與良
2025-07-25 10:12:24420 
在半導(dǎo)體制造流程中，每一塊納米級(jí)芯片的誕生，背后都是一場(chǎng)在原子層面展開(kāi)的極致精密較量。而在這場(chǎng)微觀世界的“精密之戰(zhàn)”中，刻蝕機(jī)堪稱光刻機(jī)的最佳搭檔，二者協(xié)同發(fā)力，推動(dòng)著芯片制造的精密進(jìn)程。它們的性能
2025-07-17 10:00:29605 
這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見(jiàn)的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術(shù)（光刻）?摻雜技術(shù)?鍍膜技術(shù)和刻蝕技術(shù)。
2025-07-16 13:52:553321 
在指甲蓋大小的芯片上，數(shù)百億晶體管需要通過(guò)比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。當(dāng)制程進(jìn)入130納米節(jié)點(diǎn)時(shí)，傳統(tǒng)鋁互連已無(wú)法滿足需求——而銅（Cu） 的引入，如同一場(chǎng)納米級(jí)的“金屬革命”，讓芯片性能與能效實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍。
2025-07-09 09:38:411599 
在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓：先打地基（晶體管層），再逐層搭建電路網(wǎng)絡(luò)（金屬互連），最后封頂防護(hù)（封裝層）。這種將芯片分為FEOL（前道工序） 與 BEOL（后道工序） 的智慧，正是半導(dǎo)體工業(yè)的基石。
2025-07-09 09:35:342008 
在芯片的納米世界中，多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡(jiǎn)稱Poly-Si） 。這種由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的材料，憑借其可調(diào)的電學(xué)性能與卓越的工藝兼容性，成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的“多面手”。
2025-07-08 09:48:112965 
在指甲蓋大小的芯片上集成數(shù)百億晶體管，需要經(jīng)歷數(shù)百道嚴(yán)苛工藝的淬煉。每一道工序的參數(shù)波動(dòng)，都可能引發(fā)蝴蝶效應(yīng)，最終影響芯片的良率與可靠性。半導(dǎo)體制造的本質(zhì)，是物理、化學(xué)與材料科學(xué)的交響曲，而測(cè)量技術(shù)則是這場(chǎng)精密演奏的指揮棒——它通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)、分析工藝數(shù)據(jù)，確保每個(gè)環(huán)節(jié)都精準(zhǔn)卡在納米級(jí)的“黃金區(qū)間”。
2025-07-02 10:14:222275 
前言：什么是燒錄-義嘉泰帶你深度了解IC燒錄服務(wù)： https://bbs.elecfans.com/jishu_2491063_1_1.html
1. 為什么需要存儲(chǔ)芯片？
計(jì)算機(jī)和人腦一樣，需要
2025-06-24 09:09:39
在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm，1nm甚至0.7nm等節(jié)點(diǎn)以后，晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環(huán)柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過(guò)，產(chǎn)業(yè)對(duì)其可制造
2025-06-20 10:40:07
的問(wèn)題，還存在工藝復(fù)雜度大幅增加的瓶頸。而納米壓印技術(shù)憑借其在高分辨率加工、低成本生產(chǎn)以及高量產(chǎn)效率等方面的顯著優(yōu)勢(shì)，正逐步成為下一代微納制造領(lǐng)域的核心技術(shù)之一。 （注：圖片來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)） 一、納米壓?。?b class="flag-6" style="color: red">芯片制造領(lǐng)域的
2025-06-19 10:05:36767 
2025年6月16日，江波龍與全球知名的存儲(chǔ)解決方案提供商Sandisk（閃迪）在中山存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)園簽署合作備忘錄（BindingMOU）。此次合作將深度整合雙方優(yōu)勢(shì)資源，為客戶帶來(lái)高品質(zhì)的UFS存儲(chǔ)
2025-06-16 19:41:521283 
在5納米以下的芯片制程中，晶體管柵極介質(zhì)層的厚度已縮至1納米以下（約5個(gè)原子層）。此時(shí)，傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?）如同漏水的薄紗，電子隧穿導(dǎo)致的漏電功耗可占總功耗的40%。
2025-06-12 14:11:582386 
劃片機(jī)（DicingSaw）在半導(dǎo)體制造中主要用于將晶圓切割成單個(gè)芯片（Die），這一過(guò)程在內(nèi)存儲(chǔ)存卡（如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等）的生產(chǎn)中至關(guān)重要。以下是劃片機(jī)在存儲(chǔ)芯片制造中的關(guān)鍵
2025-06-03 18:11:11843 
在電子制造與半導(dǎo)體設(shè)備追求“微米級(jí)工藝、納米級(jí)控制”的賽道上，滾珠導(dǎo)軌憑借高剛性、低摩擦與高潔凈特性，成為精密運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的核心載體。
2025-05-29 17:46:30532 
服務(wù)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)恢復(fù)環(huán)境：
EMC某型號(hào)存儲(chǔ)中有一組由8塊硬盤(pán)組建的raid5磁盤(pán)陣列。
服務(wù)器存儲(chǔ)故障：
raid5陣列中有2塊硬盤(pán)離線，存儲(chǔ)不可用，上層應(yīng)用崩了。
2025-05-29 10:50:11434 1. ?芯片概述? AT2401C是一款專為?2.4GHz頻段無(wú)線通信?設(shè)計(jì)的全集成射頻前端芯片，采用?CMOS工藝?制造，集成功率放大器（PA）、低噪聲放大器（LNA）、收發(fā)開(kāi)關(guān)、匹配電路和諧
2025-05-27 15:00:011773 
芯片制造設(shè)備的精度要求達(dá)到了令人驚嘆的程度。以光刻機(jī)為例，它的光刻分辨率可達(dá)納米級(jí)別，在如此高的精度下，哪怕是極其微小的震動(dòng)，都可能讓設(shè)備部件產(chǎn)生位移或變形。這一細(xì)微變化，在芯片制造過(guò)程中卻會(huì)被放大
2025-05-21 16:51:03823 
封裝工藝正從傳統(tǒng)保護(hù)功能向系統(tǒng)級(jí)集成演進(jìn)，其核心在于平衡電氣性能、散熱效率與制造成本?。 一、封裝工藝的基本概念 芯片封裝是將半導(dǎo)體芯片通過(guò)特定工藝封裝于保護(hù)性外殼中的技術(shù)，主要功能包括： 物理保護(hù)
2025-04-16 14:33:342231 資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書(shū)籍，作者是美國(guó)人Michael Quirk?？赐晗嘈拍銓?duì)整個(gè)芯片制造流程會(huì)非常清晰地了解。從硅片制造，到晶圓廠芯片工藝的四大基本類
2025-04-15 13:52:11
二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見(jiàn)沉積方法與應(yīng)用場(chǎng)景，解析SiO?在柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。
2025-04-10 14:36:414403 
3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì)，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:392037 
光掩膜版
光掩膜版使芯片設(shè)計(jì)與芯片制造之間的數(shù)據(jù)中介，可以看作芯片設(shè)計(jì)公司傳遞給芯片制造廠的用于制造芯片的“底片”或“母版”。
光掩膜版主要由基板和不透光材料組成?；迨且?b class="flag-6" style="color: red">塊光學(xué)性能非常好的適應(yīng)
2025-04-02 15:59:44
工藝流程: 芯片設(shè)計(jì)，光掩模版制作，晶圓上電路制造，(薄膜氧化，平坦化，光刻膠涂布，光刻，刻蝕，離子注入擴(kuò)散，裸片檢測(cè))
2025-03-27 16:38:20
本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進(jìn)柵極工藝技術(shù)。
2025-03-27 16:07:411958 
隨著科技的不斷進(jìn)步，全球芯片產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入一個(gè)全新的競(jìng)爭(zhēng)階段，2納米制程技術(shù)的研發(fā)和量產(chǎn)成為了各大芯片制造商的主要目標(biāo)。近期，臺(tái)積電、三星、英特爾以及日本的Rapidus等公司紛紛加快了在2納米
2025-03-25 11:25:481285 
在我用photodiode工具選型I/V放大電路的時(shí)候，系統(tǒng)給我推薦了AD8655用于I/V，此芯片為CMOS工藝
但是查閱資料很多都是用FET工藝的芯片，所以請(qǐng)教下用于光電信號(hào)放大轉(zhuǎn)換（主要考慮信噪比和帶寬）一般我們用哪種工藝的芯片，
CMOS,Bipolar，F(xiàn)ET這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？
2025-03-25 06:23:13
在科技日新月異的今天，芯片作為數(shù)字時(shí)代的“心臟”，其制造過(guò)程復(fù)雜而精密，涉及眾多關(guān)鍵環(huán)節(jié)。提到芯片制造，人們往往首先想到的是光刻機(jī)這一高端設(shè)備，但實(shí)際上，芯片的成功制造遠(yuǎn)不止依賴光刻機(jī)這一單一工具。本文將深入探討芯片制造的五大關(guān)鍵工藝，揭示這些工藝如何協(xié)同工作，共同鑄就了現(xiàn)代芯片的輝煌。
2025-03-24 11:27:423167 
本文主要介紹CMOS集成電路基本制造工藝，特別聚焦于0.18μm工藝節(jié)點(diǎn)及其前后的變化，分述如下：前段工序（FrontEnd）；0.18μmCMOS前段工序詳解；0.18μmCMOS后段鋁互連工藝；0.18μmCMOS后段銅互連工藝。
2025-03-20 14:12:174132 
2025年3月17日，上海 – Sandisk閃迪公司于近日正式發(fā)布了首款采用UFS 4.1標(biāo)準(zhǔn)的車規(guī)級(jí)產(chǎn)品Sandisk? iNAND? AT EU752 UFS4.1 嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器（EFD
2025-03-17 17:27:171072 報(bào)價(jià)，小容量eMMC以及部分渠道SSD已經(jīng)開(kāi)始上揚(yáng)，部分渠道低價(jià)資源已經(jīng)率先啟動(dòng)。 ? 前不久，Sandisk（閃迪）發(fā)布漲價(jià)通知函顯示，Sandisk計(jì)劃從4月1日起對(duì)所有面向渠道和消費(fèi)者客戶的產(chǎn)品漲價(jià)，漲幅將超過(guò)10%。 ? Sandisk在通知函中表示，存儲(chǔ)芯片
2025-03-15 00:52:002318 
半導(dǎo)體芯片集成電路（IC）工藝是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心，涉及從硅材料到復(fù)雜電路制造的多個(gè)精密步驟。以下是關(guān)鍵工藝的概述：1.晶圓制備材料：高純度單晶硅（純度達(dá)99.9999999%），通過(guò)直拉法
2025-03-14 07:20:001441 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中，無(wú)論是臺(tái)積電還是三星都在積極布局，或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋(píng)果A19 或A20 芯片采用臺(tái)
2025-03-14 00:14:002486 本文介紹了集成電路制造工藝中的電鍍工藝的概念、應(yīng)用和工藝流程。
2025-03-13 14:48:272307 
本文概述了集成電路制造中的劃片工藝，介紹了劃片工藝的種類、步驟和面臨的挑戰(zhàn)。
2025-03-12 16:57:582794 
2025年3月12日，上海– 全球閃存及先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新企業(yè)Sandisk閃迪公司（NASDAQ：SNDK）于今日亮相CFMS | MemoryS 2025（展位號(hào)：T07），展示了其覆蓋數(shù)據(jù)中心
2025-03-12 12:48:401227 
圓不僅是芯片制造的基礎(chǔ)材料，更是連接設(shè)計(jì)與現(xiàn)實(shí)的橋梁。在這張畫(huà)布上，光刻、刻蝕、沉積等工藝如同精妙的畫(huà)筆，將虛擬的電路圖案轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)的功能芯片。 晶圓：從砂礫到硅片 晶圓的起點(diǎn)是普通的砂礫，其主要成分是二氧化硅（SiO?
2025-03-10 17:04:251542 芯片制造難，真的很難。畢竟這個(gè)問(wèn)題不是一朝一夕，每次都是涉及不少技術(shù)。那么，我們說(shuō)到這里也得提及的就是芯片清洗機(jī)工藝。你知道在芯片清洗機(jī)中涉及了哪些工藝嗎？ 芯片清洗機(jī)的工藝主要包括以下幾種，每種
2025-03-10 15:08:43857 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的“寫(xiě)入”周期。AD7524 采用先進(jìn)的基于 CMOS 的薄膜制造工藝，可提供 1/8LSB 的精度，典型功耗小于 10 毫瓦。新改進(jìn)的設(shè)計(jì)消除了肖特基
2025-03-10 11:05:42
示，存儲(chǔ)芯片行業(yè)很快將過(guò)渡到供不應(yīng)求狀態(tài)，再加上近期的關(guān)稅變化，將影響供應(yīng)的可用性并增加Sandisk的業(yè)務(wù)成本。因此決定從4月1日起開(kāi)始實(shí)施價(jià)格上漲，漲幅將超過(guò)10%，并適用于所有面向渠道和消費(fèi)者客戶的產(chǎn)品。同時(shí)，還將繼續(xù)進(jìn)行頻繁的定價(jià)審查，預(yù)計(jì)在接下來(lái)的季度會(huì)有額
2025-03-10 09:10:07811 
10納米甚至更小。這種技術(shù)進(jìn)步使得每個(gè)芯片可以容納更多的器件，從而實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的運(yùn)算能力、更高的存儲(chǔ)容量以及更快的運(yùn)行速度。
2025-03-04 09:43:084281 
淺溝道隔離（STI）是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域，防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡(jiǎn)單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。
2025-03-03 10:00:473388 
和2x2802.11acWi-Fi收發(fā)器,支持USB2.0、SPI、UART、I2C、PWM和RGMI等多種接口。SF19A2890為Wi-FiAP路由器應(yīng)用提供了單芯片解決方案，適用于120
2025-02-28 12:09:113329 
本文論述了芯片制造中薄膜厚度量測(cè)的重要性，介紹了量測(cè)納米級(jí)薄膜的原理，并介紹了如何在制造過(guò)程中融入薄膜量測(cè)技術(shù)。
2025-02-26 17:30:092660 
質(zhì)量控制設(shè)備是芯片制造的關(guān)鍵核心設(shè)備之一，對(duì)于確保芯片生產(chǎn)的高良品率起著至關(guān)重要的作用。集成電路制造流程復(fù)雜，涉及眾多工藝步驟，每一道工序都需要達(dá)到近乎“零缺陷”的高良品率，才能最終保證芯片的整體質(zhì)量。因此，質(zhì)量控制貫穿集成電路制造的全過(guò)程，是保障芯片生產(chǎn)良品率的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-02-20 14:20:554315 
NAND閃存和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的特性，能更好地滿足AI推理的需求。 ? HBF的堆疊設(shè)計(jì)類似于HBM，通過(guò)硅通孔（TSVs）將多個(gè)高性能閃存核心芯片堆疊，連接到可并行訪問(wèn)閃存子陣列的邏輯芯片上。也就是基于 SanDisk的 BICS 3D NAND 技術(shù)，采用CMOS直接鍵合到陣列（CBA）設(shè)計(jì)，將3D NA
2025-02-19 00:51:004561 
逐漸形成了精細(xì)的分工協(xié)作格局。
還介紹了芯片家族的眾多成員，從常見(jiàn)的MCU、CPU、SoC到各類存儲(chǔ)芯片如ROM、SRAM、DRAM、Flash等。芯片的制造工藝尺寸不斷縮小，如今已達(dá)到納米
2025-02-17 15:43:33
智能數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)NetApp?，近日宣布對(duì)其企業(yè)存儲(chǔ)產(chǎn)品組合進(jìn)行了重大更新，以更好地滿足現(xiàn)代工作負(fù)載的多樣化需求。此次更新重點(diǎn)擴(kuò)充了NetApp ASA A系列，推出了一系列專為加速
2025-02-17 10:07:25738 ? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn)，并分析
2025-02-14 10:24:401442 
光刻技術(shù)對(duì)芯片制造至關(guān)重要，但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制，摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸，下一代光刻（NGL）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。本文將介紹納米壓印技術(shù)（NIL）的原理、發(fā)展、應(yīng)用及設(shè)備，并探討其在半導(dǎo)體制造中
2025-02-13 10:03:503708 
通常，我們將芯片的生產(chǎn)過(guò)程劃分為前端制程和后端制程兩大階段，其中前端制程專注于芯片的制造，而后端制程則關(guān)注于芯片的封裝。
2025-02-12 11:27:572635 
英飛凌科技股份公司在電容式微機(jī)械超聲波傳感器(CMUT)技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。基于這一先進(jìn)技術(shù)，公司成功推出了首款高度集成的單芯片解決方案，為超聲波應(yīng)用的開(kāi)發(fā)注入了新的活力。 這款單芯片解決方案
2025-02-08 13:59:36998 德國(guó)通快集團(tuán)(TRUMPF)與SCHMID集團(tuán)近期宣布了一項(xiàng)重大合作，旨在為全球芯片行業(yè)帶來(lái)革命性的制造工藝升級(jí)。雙方正攜手開(kāi)發(fā)最新一代微芯片的創(chuàng)新制造流程，旨在提升智能手機(jī)、智能手表及人
2025-02-06 10:47:291119 光刻是芯片制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過(guò)程的詳細(xì)介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻的核心工具包括光掩膜、光刻機(jī)
2025-01-28 16:36:003583 
晶圓，作為芯片制造的基礎(chǔ)載體，其表面平整度對(duì)于后續(xù)芯片制造工藝的成功與否起著決定性作用。
2025-01-24 10:06:022134 本文介紹了FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）制造過(guò)程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。
2025-01-20 11:02:395360 
光耦的制造工藝 1. 材料選擇 光耦的制造首先需要選擇合適的半導(dǎo)體材料，如硅、鍺等。這些材料需要具有優(yōu)良的光電特性，以確保光耦的高性能。 2. 芯片制備 光耦的芯片制備包括發(fā)光二極管和光敏元件的制造
2025-01-14 16:55:081780 近日，據(jù)最新報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電已正式在美國(guó)亞利桑那州的工廠啟動(dòng)了先進(jìn)的4納米芯片的生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著臺(tái)積電在美國(guó)市場(chǎng)的進(jìn)一步拓展，也預(yù)示著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的深刻變化。 1月11
2025-01-13 14:42:16934 。然而，我們不能忘記的是，這些設(shè)備所代表的納米技術(shù)，實(shí)際上根植于幾千年來(lái)發(fā)展起來(lái)的經(jīng)驗(yàn)知識(shí)和工藝。 納米技術(shù)是如何誕生的？ 納米技術(shù)是指使用具有納米尺寸或其特性依賴于納米級(jí)結(jié)構(gòu)組織的材料，它的誕生通常與兩個(gè)事件有關(guān)：
2025-01-13 09:10:191505 
在芯片制造領(lǐng)域，鍵合技術(shù)是一項(xiàng)至關(guān)重要的工藝，它直接關(guān)系到芯片的性能、可靠性以及生產(chǎn)成本。本文將深入探討芯片制造技術(shù)中的鍵合技術(shù)，包括其基本概念、分類、工藝流程、應(yīng)用實(shí)例以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2025-01-11 16:51:564228 
近日，據(jù)日媒報(bào)道，日本半導(dǎo)體新興企業(yè)Rapidus正與全球知名芯片制造商博通(Broadcom)展開(kāi)合作，共同致力于2納米尖端芯片的量產(chǎn)。Rapidus計(jì)劃在今年6月向博通提供試產(chǎn)芯片，以驗(yàn)證其技術(shù)
2025-01-10 15:22:001051 鉭電容的制造工藝是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過(guò)程，以下是對(duì)其制造工藝的詳細(xì)解析： 一、原料準(zhǔn)備 鉭粉制備 ： 鉭粉是鉭電容器的核心材料，通常通過(guò)粉末冶金工藝制備。 將鉭金屬熔化，然后通過(guò)噴霧干燥技術(shù)制成粉末
2025-01-10 09:39:412746 近日，有消息稱日本半導(dǎo)體制造商Rapidus正與博通展開(kāi)合作，計(jì)劃在今年6月向博通提供其2納米制程芯片原型。這一合作標(biāo)志著Rapidus在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的又一重要進(jìn)展。 Rapidus作為日本
2025-01-09 13:38:21936 來(lái)源：John Boyd IEEE電氣電子工程師學(xué)會(huì) 9月，佳能交付了一種技術(shù)的首個(gè)商業(yè)版本，該技術(shù)有朝一日可能顛覆最先進(jìn)硅芯片的制造方式。這種技術(shù)被稱為納米壓印光刻技術(shù)（NIL
2025-01-09 11:31:181277 本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造的7個(gè)前道工藝。 ? 在探索現(xiàn)代科技的微觀奇跡中，芯片制造無(wú)疑扮演著核心角色，它不僅是信息技術(shù)飛速發(fā)展的基石，也是連接數(shù)字世界與現(xiàn)實(shí)生活的橋梁。本文將帶您深入芯片制造的前道工藝
2025-01-08 11:48:344037 
近日，據(jù)外媒最新報(bào)道，聯(lián)發(fā)科正在積極籌備下一代旗艦級(jí)芯片——天璣9500，并計(jì)劃在今年末至明年初正式推出這款備受期待的芯片。 原本，聯(lián)發(fā)科有意采用臺(tái)積電最先進(jìn)的2nm工藝來(lái)制造天璣9500，以期在
2025-01-06 13:48:231130 近日，據(jù)SamMobile的最新消息，英偉達(dá)和高通兩大芯片巨頭正在考慮對(duì)其2納米工藝芯片的生產(chǎn)策略進(jìn)行調(diào)整。具體來(lái)說(shuō)，這兩家公司正在評(píng)估將部分原計(jì)劃在臺(tái)積電生產(chǎn)的2納米工藝訂單轉(zhuǎn)移至三星的可能性
2025-01-06 10:47:24694
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