（1）產(chǎn)品的額定電壓是固定的，MOSFET的耐壓選取也就比較容易，由于BVdss具有正溫度系數(shù)，在實(shí)際的應(yīng)用中要結(jié)合這些因素綜合考慮。
（2）VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss，即便這個(gè)尖峰
2025-12-23 08:37:26
MOSFET能夠承受最大的電流值。
（3）Id電流具有負(fù)溫度系數(shù)，電流值會(huì)隨著結(jié)溫度升高而降低，因此應(yīng)用時(shí)需要考慮的其在高溫時(shí)的 Id值能否符合要求。
2025-12-23 08:22:48
（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
（1）Vth是指當(dāng)源極與漏極之間有指定電流時(shí)，柵極使用的電壓；
（2）Vth具有負(fù)溫度系數(shù)，選擇參數(shù)時(shí)需要考慮。
（3）不同電子系統(tǒng)選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)
2025-12-16 06:02:32
在電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為開關(guān)元件，負(fù)責(zé)電池充放電、均衡、過(guò)流保護(hù)和溫度控制等功能的實(shí)現(xiàn)。MOSFET的性能直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和安全性。因此，在選擇
2025-12-15 10:24:57
238 
：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級(jí)超級(jí)結(jié)功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40376 
安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來(lái)突破。這款新品為電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能基礎(chǔ)設(shè)施及儲(chǔ)能系統(tǒng)等市場(chǎng)的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性。
2025-12-11 17:48:49736 威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 09:44:34249 
Diodes 公司（Diodes）（納斯達(dá)克代碼：DIOD）推出AL3069Q，一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高效率 60V 升壓控制器，適用于背光應(yīng)用。該器件包含四個(gè)80V高精度灌電流（Current
2025-12-01 16:15:311023 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性直接影響著整個(gè)電路的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 這款 100V、3.9mΩ、138A 的單 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-01 15:35:07232 
℃，250uA電流，溫度越高，VGS(th)值會(huì)越低。
問(wèn)題31：VDS超過(guò)最大額定電壓，但通過(guò)電流很小，會(huì)使損壞器件嗎？
回復(fù)：要計(jì)算功率損耗，同時(shí)，校核安全工作區(qū)。
問(wèn)題32：封裝對(duì)結(jié)電容、開關(guān)時(shí)間
2025-11-19 06:35:56
/11.5V欠壓保護(hù)
雙輸入設(shè)計(jì)，靈活配置同相或反相驅(qū)動(dòng)
工業(yè)級(jí)溫度范圍（-40°C~140°C），SOT23-5小封裝
優(yōu)勢(shì)解析：
-之前用NPN+PNP搭驅(qū)動(dòng)電路，光是匹配器件、布局布線就煩惱了
2025-11-12 08:27:29
仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器
2025-11-05 15:28:39205 
中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G05T，以150V耐壓、51A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝為核心標(biāo)簽，精準(zhǔn)匹配3-8kW級(jí)中壓場(chǎng)景的功率控制需求，其參數(shù)設(shè)計(jì)與應(yīng)用表現(xiàn)，為理解中壓小功率器件的適配性發(fā)展邏輯提供了典型樣本。
2025-11-04 16:27:15481 
Diodes 公司（Nasdaq： DIOD）宣布推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的PI2DPT1021Q，這是一款全新的比特級(jí)重定時(shí)器，設(shè)計(jì)用于滿足汽車市場(chǎng)的嚴(yán)格要求。該器件支持 USB Type-C
2025-11-03 17:14:40674 在中小型功率電子設(shè)備朝著“小型化、低功耗、高可靠性”升級(jí)的進(jìn)程中，MOSFET作為電能控制的核心器件，其性能與尺寸的平衡成為設(shè)計(jì)關(guān)鍵。中科微電推出的ZK100G08TN溝道MOSFET，以100V
2025-10-21 10:54:37320 
Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq：DIOD）宣布推出PI7C9X762Q，這是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的高性能 I2C/SPI 總線至雙通道 UART 網(wǎng)橋。該器件在工作狀態(tài)和睡眠模式下
2025-10-17 17:51:131015 圣邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導(dǎo)通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過(guò)壓保護(hù)開關(guān)、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關(guān)及 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2025-10-14 17:34:482209 
，Wolfspeed 面向汽車和工業(yè)市場(chǎng)發(fā)布商業(yè)化量產(chǎn)的頂部散熱U2封裝器件，來(lái)擴(kuò)展系統(tǒng)設(shè)計(jì)選項(xiàng)。U2封裝可作為對(duì)其他供應(yīng)商生產(chǎn)的 MOSFET 的直接替代，為客戶成熟的設(shè)計(jì)提供了采購(gòu)靈活性，并改善了封裝爬電距離，以支持 650 V 至 1200 V 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。符合車
2025-10-13 05:17:006242 PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關(guān)器件能夠提供增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個(gè)匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計(jì)。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動(dòng)滑板車、代步設(shè)備等電動(dòng)交通工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，或高功率工業(yè)電機(jī)。
2025-10-10 11:22:27700 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141109 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合，該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂(lè)、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-09-12 09:38:45630 Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）宣布推出符合車用規(guī)范*的全新矩陣式LED驅(qū)動(dòng)器AL5958Q，具備48通道恒定電流源，支持最多32組掃描。該器件為車用動(dòng)態(tài)照明帶來(lái)變革，提升全新汽車平臺(tái)的安全、個(gè)性與美學(xué)。
2025-09-11 17:17:31693 新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ，TO247-4引腳IMZA封裝，確保安裝兼容性并可輕松替換現(xiàn)有
2025-09-08 17:06:34931 
SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高壓和低壓應(yīng)用是有所不同的，在耐受時(shí)間上通常在?2-7μs?范圍內(nèi)。多數(shù)規(guī)格書標(biāo)稱的短路時(shí)間是供應(yīng)商在評(píng)估器件初期，使用單管封裝測(cè)試的，2-3μs;到模塊
2025-09-02 14:56:561098 
Diodes公司（Nasdaq：DIOD）推出四款符合車用規(guī)范*的異步降壓轉(zhuǎn)換器，適用于48V 低電壓軌負(fù)載點(diǎn)（PoL）應(yīng)用。
2025-09-01 17:26:591933 ]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-09-01 16:33:492081 
電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換與功率控制的核心載體，正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件的迭代升級(jí)，功率二極管、IGBT、MOSFET等器件的集成化與高性能化發(fā)展，推動(dòng)著封裝技術(shù)向高密度集成、高可靠性與高效散熱方向突破。
2025-08-25 11:28:122524 
新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺(tái)推出耐壓30V 1mΩ級(jí)別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:351527 
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AP7372低噪聲低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器，用于為數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 (ADC、DAC)、電壓控制振蕩器 (VCO) 和鎖相環(huán) (PLL) 等精密元器件供電。
2025-08-18 09:32:25892 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154 
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
(Wafer Sort)，剔除不良品，提升后端封裝良率。 功率器件研發(fā)與特性分析：全面表征器件靜態(tài)參數(shù)（IV特性：BVdss, Rds(on), Vth, Igss等）和動(dòng)態(tài)參數(shù)研究器件在不同溫度下的性能表現(xiàn)
2025-07-29 16:21:17
全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE) 新推出的ELCON Micro線到板電源解決方案升級(jí)系統(tǒng)載流能力，該解決方案采用3.0mm的標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)封裝，各引腳提供的電流高達(dá)
2025-07-21 12:51:25
隨著云服務(wù)、AI訓(xùn)練、超大規(guī)模分布式存儲(chǔ)的興起，大型數(shù)據(jù)中心對(duì)時(shí)鐘源提出更高標(biāo)準(zhǔn)：需要支持超高頻率、極低抖動(dòng)、寬溫運(yùn)行與高可靠性。FCO 系列差分晶體振蕩器提供完整封裝（25207050）、電壓兼容
2025-07-16 11:32:26
圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無(wú)線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計(jì)方面的進(jìn)展，重點(diǎn)關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗方面的作用，以及開爾文源極連接結(jié)構(gòu)對(duì)高頻應(yīng)用效率的優(yōu)化效果。同時(shí)分析了
2025-07-08 10:28:25552 
碳化硅MOSFET和肖特基二極管產(chǎn)品，通過(guò)頂部散熱（TSC）封裝，可以顯著提升系統(tǒng)功率密度和效率，同時(shí)優(yōu)化熱管理性能并增強(qiáng)電路板布局靈活性。 ? 本次新推出的U2系列產(chǎn)品全系采用頂部散熱封裝，提供650 V 至 1200 V 多種電壓選項(xiàng)，面向電動(dòng)汽車車載充電機(jī)及快速充電基礎(chǔ)設(shè)
2025-07-08 00:55:003493 
UPS的“芯”動(dòng)力在數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化等關(guān)鍵領(lǐng)域，不間斷電源(UPS)如同“電力衛(wèi)士”，保障著系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。而作為UPS核心“開關(guān)”的功率器件——MOSFET，其性能直接影響著整機(jī)
2025-07-01 17:41:351173 
隨著全球?qū)δ茉葱逝c低碳技術(shù)的需求日益增長(zhǎng)，商空熱泵(Commercial HVAC)作為大型建筑供暖、通風(fēng)與空調(diào)系統(tǒng)的核心設(shè)備，亟需更高性能的功率器件以提升能效與可靠性。BASiC
2025-06-19 16:44:44676 
隨著工業(yè)領(lǐng)域的不斷發(fā)展，大型工業(yè)設(shè)備的運(yùn)行診斷和優(yōu)化變得至關(guān)重要。為了確保工業(yè)生產(chǎn)的高效性和可靠性，需要一種先進(jìn)的大型工業(yè)設(shè)備運(yùn)行診斷系統(tǒng)。 針對(duì)大型機(jī)器設(shè)備的運(yùn)行進(jìn)行監(jiān)測(cè)，監(jiān)測(cè)其運(yùn)行狀態(tài)下的震動(dòng)
2025-06-18 15:43:38522 面對(duì)大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開關(guān)速度以及超強(qiáng)的短路耐受性，是電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)的不二選擇。
2025-06-14 14:56:401365 
作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:592500 
Diodes 公司擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合，推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FOM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。
2025-06-06 16:09:51867 
糕的是：這種缺點(diǎn)在工作溫度更高的情況下會(huì)加重。另外一個(gè)結(jié)果是需要能夠快速泵出和吸收電流的相當(dāng)復(fù)雜的基極驅(qū)動(dòng)電路。相比之下，(MOS)FET 這種器件在柵極實(shí)際上消耗的電流為零；甚至在 125°C 的典型柵極電流
2025-06-03 15:39:43
通過(guò)并聯(lián)SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項(xiàng)。
2025-05-23 10:52:481552 
”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-05-22 14:51:22901 
在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
電子元器件封裝大全,附有詳細(xì)尺寸
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2025-05-15 13:50:12
，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET，為電動(dòng)汽車行業(yè)注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
2025-05-14 17:55:021060 納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301341 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合，推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管
2025-05-12 16:06:34897 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件
2025-05-09 19:42:5351531 圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971 
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)* 的 3D 線性霍爾效應(yīng)傳感器。AH4930Q 可檢測(cè) X、Y、Z 軸的磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)可靠且高精度的非接觸旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)與接近檢測(cè)。產(chǎn)品應(yīng)用包括信息娛樂(lè)系統(tǒng)上的按壓旋鈕、換擋撥片、門把手和門鎖，以及電動(dòng)座椅調(diào)角器。
2025-04-23 17:01:41961 ，其中， Tj 表示 MOSFET 的結(jié)溫，最大能承受 150℃Tc 表示 MOSFET 的表面溫度通過(guò)上面公式可以計(jì)算一下，表面溫度在 25℃的情況下，管子能承
2025-04-22 13:29:18
5 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 首次推出先進(jìn)的銻化銦 (InSb) 霍爾器件傳感器系列，可檢測(cè)旋轉(zhuǎn)速度和測(cè)量電流，適用于筆記本電腦、手機(jī)、游戲手柄等消費(fèi)產(chǎn)品應(yīng)用
2025-04-14 15:19:07880 引言
隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2]，已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場(chǎng)合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場(chǎng)合但快速性較好的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡(jiǎn)述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11963 
中國(guó)上海–2025年3月13日–近日，全球知名的電子元器件授權(quán)代理商富昌電子（Future Electronics）榮獲Diodes 公司頒發(fā)的“2024年度亞洲最佳分銷商獎(jiǎng)（Asia Best
2025-03-18 09:29:46409 
2025-03-14 14:14:082251 
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出兩款先進(jìn)的表面貼片封裝選項(xiàng)，擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的高功率MOSFET產(chǎn)品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305 
英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡(jiǎn)述Power MOSFET
2025-03-06 15:59:14
RS-232接口及Ethernet接口，可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程自動(dòng)控制。
可針對(duì)以下封裝的半導(dǎo)體器件進(jìn)行高精度自動(dòng)溫度實(shí)驗(yàn)測(cè)量
(1)石英晶體諧振器、振蕩器
(2)電阻、電容、電感
(3)二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管
2025-03-06 10:48:56
無(wú)法在 OVMS 上運(yùn)行來(lái)自 Meta 的大型語(yǔ)言模型 （LLM），例如 LLaMa2。
從 OVMS GitHub* 存儲(chǔ)庫(kù)運(yùn)行 llama_chat Python* Demo 時(shí)遇到錯(cuò)誤。
2025-03-05 08:07:06
隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng)，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動(dòng)、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
進(jìn)入2025年以來(lái)，全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象，比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn)：SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開始低于IGBT！主要源于技術(shù)突破、產(chǎn)能
2025-03-03 16:28:221386 
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
在現(xiàn)代智能電子設(shè)備中，體積與效率的博弈從未停止。為應(yīng)對(duì)5G、新能源、汽車電子對(duì)高密度設(shè)計(jì)的需求，其中，MOSFET作為電源管理的核心器件,我們KUU原廠推出全新產(chǎn)品——MOSFET
2025-02-27 12:02:084596 
記GaNPX?封裝器件的熱設(shè)計(jì).pdf 應(yīng)用筆記--GaNPX?封裝器件的熱設(shè)計(jì) 1. 控制器件溫度的重要性 ? 溫度對(duì)電氣參數(shù)的影響 ?：Rds(on)（導(dǎo)通電阻）和跨導(dǎo)gm隨溫度升高而增加，導(dǎo)致導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗增加。 ? 熱設(shè)計(jì)目標(biāo) ?：通過(guò)良好的熱設(shè)計(jì)降低結(jié)溫Tj，防止熱失衡，提
2025-02-26 18:28:471205 電池，無(wú)需額外的預(yù)穩(wěn)壓電路。該系列LDO集成了短路保護(hù)、過(guò)流保護(hù)及熱關(guān)斷等保護(hù)功能，并可在-40℃到125℃（環(huán)境溫度）或-40℃到150℃（結(jié)溫）范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。此外，該系列中的部分器件配備Power
2025-02-26 11:01:33
公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)，有效應(yīng)對(duì)關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來(lái)越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運(yùn)行頻率更高
2025-02-20 10:08:051343 
DLPA3005工作溫度范圍是0℃以上，在低于0℃工作會(huì)有什么問(wèn)題以及怎樣解決低溫工作這個(gè)問(wèn)題呢？
2025-02-19 08:17:30
Diodes公司近日推出其首款自我保護(hù)型且符合汽車規(guī)范的高側(cè)IntelliFET產(chǎn)品——DIODES ZXMS81045SPQ。這款小型化設(shè)備不僅能提供高功率電源，還集成了保護(hù)和診斷功能，專為驅(qū)動(dòng)
2025-02-18 11:49:32
IGBT的溫度及安全運(yùn)行 IGBT的溫度可由下圖描述： 溫差 (平均值)和熱阻關(guān)系如下式： Rthjc = ΔTjc ÷ 損耗 Rthch = ΔTch ÷ 損耗 Rthha = ΔTha ÷ 損耗
2025-02-14 11:30:5933047 
近日，Diodes公司宣布推出全新85V、符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的LED驅(qū)動(dòng)器——AL8866Q，進(jìn)一步擴(kuò)展了其汽車級(jí)產(chǎn)品組合。這款直流開關(guān)LED驅(qū)動(dòng)控制器專為高功率LED照明系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能夠驅(qū)動(dòng)外部
2025-02-06 11:08:321623 射頻電路中常見的元器件封裝類型有以下幾種： 表面貼裝技術(shù)（SMT）封裝 方型扁平式封裝（QFP/PFP）：引腳間距小、管腳細(xì)，適用于大規(guī)模或超大型集成電路，可降低寄生參數(shù)，適合高頻應(yīng)用，外形尺寸
2025-02-04 15:22:001351 在射頻電路這片對(duì)性能要求極高的領(lǐng)域中，元器件封裝絕非簡(jiǎn)單的物理包裹，而是關(guān)乎電路整體性能優(yōu)劣的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。恰當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">封裝選擇與處理，能讓射頻電路在高頻環(huán)境下穩(wěn)定、高效地運(yùn)行，反之則可能引發(fā)一系列棘手
2025-02-04 15:16:00972 碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù)，從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開探討。
2025-02-03 14:21:001292 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
Diodes公司（納斯達(dá)克代碼：DIOD）近日正式宣布推出其最新的AL8866Q LED驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步豐富了其符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品線。這款直流開關(guān)LED驅(qū)動(dòng)控制器專為外部MOSFET設(shè)計(jì)，能夠支持降壓
2025-01-23 15:44:402758 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AL8866Q LED 驅(qū)動(dòng)器，擴(kuò)大符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的產(chǎn)品組合。這款直流開關(guān) LED 驅(qū)動(dòng)控制器可驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET，支持
2025-01-23 13:53:231245 全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE) 新推出的ELCON Micro線到板電源解決方案升級(jí)系統(tǒng)載流能力，該解決方案采用3.0mm的標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)封裝，各引腳提供的電流高達(dá)
2025-01-23 11:42:26
隨著半導(dǎo)體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來(lái)越高，器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問(wèn)題導(dǎo)致的失效占了總失效的一半以上，而通過(guò)封裝技術(shù)升級(jí)，是提高器件散熱能力的有效途徑之一。
2025-01-23 11:13:441955 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）都是重要的半導(dǎo)體功率器件，它們?cè)陔娮与娐分邪l(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和MOSFET的特性及用途的介紹：IGBT的特性
2025-01-23 08:20:361161 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《常用電子元器件的物理封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-21 14:56:012 大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572634 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AL8891Q LED 驅(qū)動(dòng)器，擴(kuò)大符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的產(chǎn)品組合。這款同步降壓 LED 驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)單易用，具有高側(cè)電流感測(cè)功能
2025-01-17 13:51:28907 BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級(jí)拓?fù)鋵?shí)測(cè)效率高于進(jìn)口器件
2025-01-13 09:58:291463 
Diodes 公司 (Diodes)(Nasdaq：DIOD)推出新款符合汽車規(guī)格*的 36 通道線性 LED 電流驅(qū)動(dòng)器。AL5887Q 具備驅(qū)動(dòng) RGB 配置及單獨(dú) LED 的能力，可幫助設(shè)計(jì)人
2025-01-09 16:17:481039 圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導(dǎo)通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過(guò)電壓保護(hù)開關(guān)，電池充放電開關(guān)和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
2025-01-08 16:34:241182
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