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　　英飛凌科技推出采用先進溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)，再次強化了英飛凌在未來汽車應(yīng)用電源管理方面的領(lǐng)導(dǎo)地位。

　　英飛凌新型P通道40V MOSFET列產(chǎn)品具備業(yè)界最低的RDS(on)，并提供電流范圍50A至180A的各種標(biāo)準(zhǔn)封裝方式，衍生出30多款系列產(chǎn)品。180A是P通道技術(shù)發(fā)展的1項標(biāo)竿。由于P通道40V OptiMOS P2產(chǎn)品是用作汽車橋式應(yīng)用產(chǎn)品的高壓側(cè)開關(guān)，因此不需要額外的電荷泵裝置，可大幅節(jié)省成本并提升EMI效能。新產(chǎn)品整合脈沖寬頻調(diào)變(PWM)控制功能，相較于N通道MOSFET，具備更佳的散熱與雪崩能量表現(xiàn)，因此非常適用于電池反接保護及汽車馬達控制應(yīng)用，例如電子動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)馬達控制、三相與H型橋式 (H-bridge)馬達 (雨刷、電子式駐煞車)、HVAC風(fēng)扇控制以及電動泵。

　　基于成本與效能上的優(yōu)勢，業(yè)界趨勢明顯地朝向溝槽式MOSFET概念發(fā)展。以英飛凌第2代溝槽技術(shù)為基礎(chǔ)，OptiMOS P2具備低閘極電荷、低電容、低切換損失、高電流及絕佳的優(yōu)值數(shù)(FoM;即 RDSon x Qg)規(guī)格，為電動馬達提供更高的效能，還能將EMC降至最低。舉例來說，其業(yè)界! 最低的RDS(on) 2.4mΩ(采用D2PAK封裝，10V)較市場上其他類型的MOSFET低了3分之1。

　　英飛凌借由推出新型P通道40V產(chǎn)品，擴展其廣獲汽車系統(tǒng)采用的馬達控制與橋式配置產(chǎn)品系列。橋式配置的高壓側(cè)與低壓側(cè)皆需要 MOSFET。相較于N通道MOSFET，新型P通道裝置不需要額外的電荷泵，即可支援驅(qū)動直流刷馬達或無刷三相直流馬達= 高壓側(cè)開關(guān)。同時由于P通道可透過簡單的驅(qū)動電路加以驅(qū)動，因此也可節(jié)省成本。若采用H型橋式馬達，平均可節(jié)省約5%至10%的成本。

　　舉例來說，傳統(tǒng)液壓動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(hydraulic power steering)是由引擎提供動力，意謂著馬達必須持續(xù)運轉(zhuǎn)。若采用 EPS，只有在需要輔助時才使用馬達，可減少燃油消耗。再者，透過使用電動控制水泵和油泵取代液壓水泵和油泵，也可將汽車的重量減輕達4公斤，有效提升燃油效率。從環(huán)境觀點來看，電動泵也有助于環(huán)保，因為在回收汽車時不需廢棄任何油料。此外，電動水泵對油電混合車來說，是不可或缺的要件。

　　OptiMOS P2裝置采用堅固的封裝，可承受在濕度敏感等級 1(Moisture Sensitivity Level 1;MSL1)熔焊時260 ℃的高溫，并使用符合 RoHS規(guī)范的無鉛電鍍。功率MOSFET完全符合汽車電子協(xié)會(AEC-Q101)所制定的規(guī)格。