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　　賽威科技(SiFirst Technology)繼在離線式(AC/DC)小功率充電器領域推出驅動MOSFET的SF5920系列之后，近期又推出兩款全新的驅動功率BJT的PSR架構芯片SF6010和SFL658。其中，SF6010適用于充電器領域，可以實現30mW的超低待機功耗和小于±5%的高精度恒壓恒流(CV/CC)特性; SFL658適用于小功率LED照明領域，可以實現小于±4%的高精度恒流。賽威這次發(fā)布的PSR控制器SF6010和SFL658分別采用新穎的“多模式控制”和“智能短路保護”技術，大大提高了系統可靠性。

　　眾所周知，原邊反饋(PSR)控制架構由于其可省去傳統反激架構中的光耦和輔助元件而成為小功率充電器領域的主流架構。近年來，驅動功率BJT的PSR架構由于其系統成本低，因而受到了電源廠家和LED照明驅動廠家的青睞。然而由于功率BJT的耐壓比功率MOSFET要低，在極端情況下諸如短路或這過載時容易發(fā)生擊穿現象從而導致系統損壞。

　　賽威科技這次發(fā)布的SF6010和SFL658采用了專利的 “多模式控制”和“智能短路保護”技術，克服了目前驅動BJT的PSR技術的缺陷，大大提高了系統的可靠性。賽威科技IC研發(fā)總監(jiān)林官秋指出：目前的模擬類PSR系統大都采用PFM控制，PFM控制的好處是其優(yōu)異的EMI性能。然而在小功率充電器領域，純粹PFM架構容易導致變壓器發(fā)生飽和現象，從而導致系統在過載時損壞。賽威發(fā)布的SF6010和SFL658采用“多模式”控制，通過在滿載附近采用PWM+PFM控制，從而防止變壓器發(fā)生飽和現象，大大提高了系統可靠性。林官秋還指出，傳統PFM架構的PSR系統在短路時，容易發(fā)生頻率“誤觸發(fā)”現象，一方面容易導致系統短路功耗大，另一方面容易導致功率管電壓沖高而炸機，尤其是在LED照明領域。當LED進行板端短路測試時，功率BJT由于其耐壓值相對較低，從而相對于功率MOS更容易發(fā)生炸機現象。賽威科技這次發(fā)布的SFL658徹底解決了這個問題，通過采用專利的“智能短路保護”技術，自動檢測識別系統短路情況，同時采用多種手段降低短路功率管的短路沖高電壓，測試結果表明采用“智能短路保護”能夠使系統短路時功率管的沖高電壓至少降低100V以上，從而大大提高了系統可靠性。

　　SF6010內部恒壓比較器參考電壓精度為+/1%，因而可以實現±5%的高精度恒壓。同時SF6010還內置線損補償(cable drop compensation)， 并且無需外部環(huán)路補償電容，降低了系統成本。SF6010用在充電器領域時，可以實現30mW的超低待機功耗，達到“五星級”充電器標準。SFL658適用于LED照明領域， 包括小功率GU10和PAR燈應用。SF658內部恒流比較器參考電壓誤差為+/1%，為業(yè)內同類產品最高精度。同時SFL658還采用了專利的恒流控制與修正技術，結合內置的系統恒流點溫度補償功能，可以實現量產4%的恒流精度。此外，SF6010和SFL658還集成了諸多完善的保護，諸如軟啟動保護，VDD過壓保護，輸出過壓保護，管腳浮空保護等等，這些保護功能大大提高了系統可靠性，優(yōu)化了系統性能。SF6010和SFL658提供SOT23-5封裝。