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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>英飛凌推出車用全新650V CoolMOS CFDA整合高速本體二極體

英飛凌推出車用全新650V CoolMOS CFDA整合高速本體二極體

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合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65的特性和應(yīng)用

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STDRIVEG60015演示板技術(shù)解析:650V E模式GaN半橋驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)指南

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2025-10-24 14:11:19397

龍騰半導(dǎo)體推出四款650V F系列IGBT新品

隨著便攜儲(chǔ)能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對(duì)高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)器件,其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877

龍騰半導(dǎo)體650V 99mΩ超結(jié)MOSFET重磅發(fā)布

龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET,其內(nèi)置FRD,適應(yīng)LLC應(yīng)用,并適合多管應(yīng)用,具有更快的開(kāi)關(guān)速度,更低的導(dǎo)通損耗;極低的柵極電荷(Qg),大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
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肖特基二極管怎么+原理

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為什么開(kāi)關(guān)二極管速度不夠快?

在電子電路設(shè)計(jì)中,二極管不僅用作整流和限幅,還常常作為開(kāi)關(guān)元件應(yīng)用在高頻和高速電路里。此類二極管被稱為開(kāi)關(guān)二極管。它們的核心特性是能夠快速完成導(dǎo)通與關(guān)斷,從而不影響電路的工作速度。然而,在實(shí)際應(yīng)用中
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整流二極管的選型和代換問(wèn)題

通時(shí)的壓降,通常硅管為0.6~0.8V,肖特基二極管為0.2~0.4V。 影響:低Vf可減少功耗,提高效率(如開(kāi)關(guān)電源、高頻電路)。 2、反向耐壓(Vr) 指二極管能承受的最大反向電壓,需高于電路實(shí)際工作電壓的1.5~2倍。 影響:耐壓不足會(huì)導(dǎo)致?lián)舸p壞。
2025-09-05 14:53:551779

東芝推出三款最新650V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492081

英飛凌CoolGaN BDS 650V G5雙向開(kāi)關(guān)產(chǎn)品介紹

CoolGaN BDS 650V G5雙向開(kāi)關(guān)。這款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的單片雙向開(kāi)關(guān),憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì),正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:113434

都是整流作用,肖特基二極管與整流二極管有什么區(qū)別呢?

由此可知,肖特基二極管和整流二極管是互補(bǔ)的二極管。肖特基憑借其超低正向壓降和超快開(kāi)關(guān)速度在低壓、高頻、高效率領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。整流二極管則憑借其高反向電壓、低反向漏電流和低成本在高壓和工頻整流應(yīng)用中
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森國(guó)科650V/10A SiC二極管的七大封裝形態(tài)

第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍企業(yè)森國(guó)科推出的碳化硅二極管 KS10065(650V/10A),針對(duì)不同場(chǎng)景的散熱、空間及絕緣要求,提供7種封裝形態(tài),靈活覆蓋車規(guī)、工業(yè)電源、消費(fèi)電子三大領(lǐng)域。通過(guò)
2025-08-16 15:55:442377

新品 | 英飛凌CoolSiC? 第五代1200 V碳化硅肖特基二極

新品第五代碳化硅CoolSiC肖特基二極管1200VCoolSiC1200V肖特基二極管采用TO-247-2封裝,可實(shí)現(xiàn)高效緊湊設(shè)計(jì),具有增強(qiáng)的魯棒性和可靠性。該產(chǎn)品通過(guò)了雪崩測(cè)試驗(yàn)證,電流等級(jí)高達(dá)
2025-08-07 17:06:13833

洲光源貼片式光電二極管概述

ZPD-Z5042C-A10-Z1是一種高速高靈敏度PIN光電二極管,采用標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝,該器件與紅外發(fā)射二極管匹配使用。
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輸入邏輯電平。LPD2106具有高可靠性和抗干擾能力,高壓耐壓達(dá)650V,開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)動(dòng)態(tài)能力支持達(dá)50V/ns,瞬態(tài)耐壓能力達(dá)-60V (100ns)。LPD2106集成了完善的保護(hù)功能,集成了輸入最小
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GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2025-03-07 16:45:55748

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909

內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812

內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
2025-03-05 10:09:23890

輸出二極管選?。上螺d)

管的封裝首先我們的清楚二極管的類型有一下幾種1、普通二極管2、快恢復(fù)二極管3、超快恢復(fù)二極管4、肖特基二極管優(yōu)缺點(diǎn):1、普通二極管的特性都是單一導(dǎo)通,是一個(gè) P
2025-03-04 14:02:490

超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

隨著B(niǎo)ASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441053

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過(guò)了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行等特性,正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04899

SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:52:15811

SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正
2025-02-28 17:21:08850

SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:12:48792

自研二極管技術(shù)如何改寫(xiě)戶儲(chǔ)MOS游戲規(guī)則?

或體二極管反向恢復(fù)失效。傳統(tǒng)MOS器件在戶用場(chǎng)景下面臨雙重暴擊:*開(kāi)關(guān)損耗困局:Qg與Coss失衡導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)延遲,20kHz工況下?lián)p耗激增40%;*二極管“反殺”
2025-02-28 15:44:19702

SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正溫度系數(shù)
2025-02-27 18:25:13833

SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06713

SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220I - 2,具有超
2025-02-27 17:32:44805

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220 - 2,具備超快速
2025-02-27 17:11:28674

Vishay推出多款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管,提升高頻應(yīng)用效率

40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,QC僅為56 nC 威世科技宣布,推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基
2025-02-27 12:49:35763

SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 252 - 2。具備超快速
2025-02-26 18:01:16854

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速
2025-02-26 17:40:46774

SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:25:48806

SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:07:13727

SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52783

SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過(guò) UIS
2025-02-25 18:13:42813

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-25 17:44:07772

SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 17:23:30763

SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流
2025-02-25 17:03:23871

SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻
2025-02-25 16:01:30888

SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。產(chǎn)品具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)
2025-02-25 15:44:15791

SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性

P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58844

技術(shù)資料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋,具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)功能

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用中的 75W 有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器<。該LMG2610通過(guò)在 9mm x 7mm QFN 封裝
2025-02-24 15:07:01964

技術(shù)文檔:LMG3616 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 270mΩ GaN FET

LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28987

技術(shù)資料#LMG2650 650V 95mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

LMG2650 是一個(gè) 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2650通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器
2025-02-24 09:37:33810

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758

LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過(guò)在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),減少了元件數(shù)量并減少了電路板空間。
2025-02-21 14:14:05805

51V 精準(zhǔn)擊穿 30KPA58A 單向二極管參數(shù)詳情

51V 精準(zhǔn)擊穿 30KPA58A 單向二極管參數(shù)詳情
2025-02-21 13:35:33841

LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

LMG2652 是一個(gè) 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),減少了元件數(shù)量,并減少了電路板空間。
2025-02-21 10:46:25772

TI LMG2610用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成 650V GaN 半橋技術(shù)文檔

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于 開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器。LMG2610 通過(guò)在 9mm x 7mm QFN
2025-02-20 16:04:13779

ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:531191

BAS16LD-Q單個(gè)高速開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BAS16LD-Q單個(gè)高速開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-14 15:24:320

二極管為什么單向?qū)?/a>

服務(wù)器電源B3M040065Z替代英飛凌COOLMOS的分析

的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化
2025-02-10 09:44:58582

BAV70QB高速開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BAV70QB高速開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 16:42:430

RB751V45通肖特基二極管規(guī)格書(shū)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《RB751V45通肖特基二極管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 11:47:130

如何測(cè)試二極管是否工作正常

個(gè)PN結(jié)組成,它允許電流從陽(yáng)極(P型半導(dǎo)體)流向陰極(N型半導(dǎo)體),但阻止電流反向流動(dòng)。這種單向?qū)щ娦允?b class="flag-6" style="color: red">二極管的基本特性。 測(cè)試前的準(zhǔn)備 萬(wàn)表 :測(cè)試二極管最常用的工具是數(shù)字萬(wàn)表(DMM),它可以用來(lái)測(cè)量二極管的正向
2025-02-07 09:43:271686

二極管的溫度特性影響

二極管作為一種常用的電子元件,在各種電子設(shè)備中扮演著重要角色。它們?cè)谡?、開(kāi)關(guān)、信號(hào)調(diào)制等多種應(yīng)用中都有廣泛的應(yīng)用。 二極管的基本工作原理 在討論溫度特性之前,簡(jiǎn)要回顧一下二極管的基本工作原理是有
2025-02-07 09:41:463479

Zener二極管的作用與應(yīng)用

Zener二極管的作用 Zener二極管的主要作用是提供穩(wěn)定的電壓參考。在正常的二極管中,電流只能從陽(yáng)極流向陰極,而在Zener二極管中,當(dāng)反向電壓達(dá)到或超過(guò)Zener電壓時(shí),電流可以從陰極流向
2025-02-07 09:38:311963

二極管的故障診斷方法

在現(xiàn)代電子設(shè)備中,二極管扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅用于電源整流,還廣泛應(yīng)用于信號(hào)處理、保護(hù)電路等。因此,掌握二極管的故障診斷方法對(duì)于電子工程師和技術(shù)人員來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。 二極管的基本工作原理 在
2025-02-07 09:35:541546

如何辨別共陰二極管與共陽(yáng)二極

在電子領(lǐng)域中,二極管作為一種基礎(chǔ)且重要的電子元件,被廣泛應(yīng)用于各類電路中。其中,共陰二極管與共陽(yáng)二極管在外觀上極為相似,然而其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作特性卻存在差異。
2025-02-05 17:35:535258

二極管反接有電壓?jiǎn)?反接二極管工作原理介紹

在電子電路中,二極管是一種具有單向?qū)щ娦缘陌雽?dǎo)體器件。正常情況下,二極管正向偏置時(shí)允許電流通過(guò),而反向偏置時(shí)電流很難通過(guò)。當(dāng)二極管反接時(shí),情況會(huì)變得較為復(fù)雜,是否有電壓取決于具體的電路條件和二極
2025-02-05 16:36:003573

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081124

整流二極管和穩(wěn)壓二極管的區(qū)別

整流二極管和穩(wěn)壓二極管是電子電路中兩種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,它們雖基于PN結(jié)的基本工作原理,但因設(shè)計(jì)目的和應(yīng)用場(chǎng)景不同,具有顯著差異。1.功能區(qū)別整流二極管整流二極管的主要作用是進(jìn)行電流的單向?qū)ǎ糜?/div>
2025-01-15 09:54:452056

如何測(cè)試整流二極管性能

整流二極管是電子電路中不可或缺的組件,它們?cè)陔娫?、信?hào)處理和電源管理等領(lǐng)域扮演著重要角色。為了確保整流二極管的性能和可靠性,必須進(jìn)行一系列的性能測(cè)試。 整流二極管的基本原理 在開(kāi)始測(cè)試之前,了解
2025-01-15 09:30:502249

整流二極管電壓范圍

整流二極管是一種用于將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC)的半導(dǎo)體器件。在這篇文章中,我們將探討整流二極管的電壓范圍,以及影響其性能的各種因素。 1. 整流二極管的工作原理 整流二極管的核心原理是單向
2025-01-15 09:12:182267

整流二極管與穩(wěn)壓二極管的區(qū)別

在現(xiàn)代電子技術(shù)中,半導(dǎo)體二極管是不可或缺的基礎(chǔ)元件之一。它們以其獨(dú)特的單向?qū)щ娞匦?,在各種電路中發(fā)揮著重要作用。整流二極管和穩(wěn)壓二極管是兩種常見(jiàn)的二極管類型,它們雖然都屬于二極管家族,但在功能、結(jié)構(gòu)
2025-01-14 18:11:082658

二極管的作用和工作原理

星海二極管SF16 1A 400V DO-41 ? 二極管FR107 SOD-123FL 1A 1000V 一、二極管的作用 二極管是一種具有單向?qū)щ娦缘碾娮釉?,廣泛應(yīng)用于電子電路中。它的主要作用
2025-01-10 15:20:394686

NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能,防止高低側(cè)直通。具有較強(qiáng)的VS負(fù)偏壓、負(fù)過(guò)沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
2025-01-07 10:58:261543

ADS1298前端的過(guò)壓保護(hù)電路,二極管只需要使用0.7V導(dǎo)通電壓的普通二極管嗎?

使用0.7V導(dǎo)通電壓的普通二極管嗎? 2.按照原理圖,如果二極管壓降是0.7V,那么輸入信號(hào)的范圍則被限制在AVDD+0.7V和AVSS-0.7V之間,這樣的話到AD輸入端的電壓超過(guò)了AVDD,AVSS的范圍
2025-01-06 06:27:03

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