解決這些問(wèn)題來(lái)的。這款600V、4A輸出的驅(qū)動(dòng)器，用更強(qiáng)的抗干擾、更高的效率以及更簡(jiǎn)潔的高邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，能讓高壓驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)變得更省心、更可靠。它主要有哪些特點(diǎn)？
扛得住干擾，穩(wěn)得住高壓：能承受600V
2026-01-04 08:59:29
邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，以更少的元件實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定高效的高壓驅(qū)動(dòng)。核心特性
高集成度設(shè)計(jì)：芯片內(nèi)部集成了自舉二極管，省去了外部添加該分立器件的需要，簡(jiǎn)化了電路布局并提升了可靠性。
高壓耐受與強(qiáng)抗擾：支持最高600V
2025-12-31 08:22:18
TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET：高效開(kāi)關(guān)的理想之選 在電子工程師的日常工作中，不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設(shè)計(jì)水平的關(guān)鍵。今天，我們就來(lái)深入
2025-12-29 14:45:10
77 至關(guān)重要。氮化鎵（GaN）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)異的性能，在功率電子領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力。今天，我們就來(lái)深入了解一下Transphorm公司的TP65H070G4RS 650V SuperGaN
2025-12-29 10:05:2289 終止（TrenchFSII）技術(shù)的600V、7AIGBT。該器件集低損耗、高開(kāi)關(guān)頻率與良好的溫度穩(wěn)定性于一身，為各類(lèi)中功率變頻與能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了優(yōu)質(zhì)解決方案。核
2025-12-25 16:57:49687 
在工業(yè)自動(dòng)化升級(jí)浪潮下，變頻器作為核心控制設(shè)備，對(duì)關(guān)鍵元器件的穩(wěn)定性、適配性提出更高要求。其中，600V快恢復(fù)二極管作為變頻器整流、續(xù)流回路的核心器件，長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口型號(hào)，BYV26C便是該領(lǐng)域的傳統(tǒng)
2025-12-23 14:43:34948 
在工業(yè)電機(jī)、新能源逆變器或大功率電源中，驅(qū)動(dòng)電路的可靠性直接決定整體性能。面對(duì)高壓環(huán)境下的噪聲干擾、開(kāi)關(guān)損耗以及高邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)復(fù)雜等實(shí)際挑戰(zhàn)，SiLM22868提供了一種扎實(shí)的解決方案。這款600V
2025-12-23 08:36:15
——DPF120C600HB，看看它有哪些獨(dú)特的特性和應(yīng)用場(chǎng)景。 文件下載： Littelfuse DPF120C600HB快速恢復(fù)二極管.pdf 一、產(chǎn)品概述 DPF120C600HB是一款耐壓600V、電流2
2025-12-15 17:20:02352 頻段（2.2-12GHz）GaN HPA，輸出功率 12W，但工作電壓固定為 28V，靈活性略低。Wolfspeed CGHV1J025D：覆蓋 0.8-2.5GHz，輸出功率 25W，適合更低
2025-12-12 09:40:25
高壓濾波車(chē)規(guī)電容在600V耐壓條件下的應(yīng)用與換電站接口電壓穩(wěn)定性保障 隨著新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，換電模式作為重要的能源補(bǔ)給方式正獲得廣泛應(yīng)用。在換電站系統(tǒng)中，高壓濾波電容作為關(guān)鍵電子元件，其性能
2025-12-05 15:11:03269 在工業(yè)電機(jī)、新能源逆變器等高功率應(yīng)用的設(shè)計(jì)中，你是否也在高壓驅(qū)動(dòng)的門(mén)檻前反復(fù)權(quán)衡？
如果你的電路需要在最高600V的母線電壓下工作，驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET或IGBT，什么樣的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器才能在高頻開(kāi)關(guān)
2025-12-03 08:25:35
今日，南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出 700V 高壓 GaN 半橋功率芯片 SC3610，可實(shí)現(xiàn)高精度電壓驅(qū)動(dòng)、更優(yōu)的通道延時(shí)匹配和更好的 EMI 性能。SC3610 特別適用于高頻軟
2025-11-28 17:49:371531 了電源轉(zhuǎn)換器的濾波元件尺寸，提升充電效率與功率密度，但在汽車(chē)核心動(dòng)力總成，此前尚未有成熟應(yīng)用案例。 ? 最近浩思動(dòng)力發(fā)布的Gemini 微型增程器搭載自研 “冰刃” 系列氮化鎵功率模塊，成為全球首款將 GaN 技術(shù)規(guī)?；瘧?yīng)用于汽車(chē)增程器的混動(dòng)系統(tǒng)
2025-11-27 08:44:004003 鈞敏科技主推之一的PT5606/PT5607 600V 高壓柵極驅(qū)動(dòng) IC，憑借高耐壓、強(qiáng)驅(qū)動(dòng)、全保護(hù)的核心優(yōu)勢(shì)，成為高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)選方案。
2025-11-24 15:55:201808 。
SLM2181CA-DG通過(guò)其600V高耐壓、非對(duì)稱(chēng)驅(qū)動(dòng)、豐富的集成保護(hù)（如欠壓鎖定、負(fù)壓耐受）以及緊湊的SOP-8封裝，為工業(yè)與能源領(lǐng)域的功率驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)提供了一個(gè)高可靠性且易于使用的解決方案。它在簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、提升系統(tǒng)魯棒性方面表現(xiàn)突出。
#SLM2181 #高低邊門(mén)極驅(qū)動(dòng)器 #門(mén)極驅(qū)動(dòng)
2025-11-21 08:35:25
的可靠性600V耐壓為380V工業(yè)母線系統(tǒng)提供充足余量，其負(fù)壓耐受能力可抑制寄生電感引起的電壓尖峰。2.集成化與成本優(yōu)化相比分立方案，單芯片集成高低邊驅(qū)動(dòng)可減少光耦或隔離電源數(shù)量，降低BOM復(fù)雜度和布板
2025-11-20 08:47:23
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開(kāi)關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計(jì)用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開(kāi)關(guān)或諧振設(shè)計(jì)的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離，有助于構(gòu)建常見(jiàn)散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224 
芯品發(fā)布高可靠GaN專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器，便捷GaN電源設(shè)計(jì)GaN功率器件因?yàn)槠涓吖ぷ黝l率和高轉(zhuǎn)化效率的優(yōu)勢(shì)，逐漸得到電源工程師的青睞。然而增強(qiáng)型GaN功率器件的驅(qū)動(dòng)電壓一般在5~7V，驅(qū)動(dòng)窗口相較于傳統(tǒng)
2025-11-11 11:46:33687 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，安森美發(fā)布器垂直GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)，憑借 GaN-on-GaN 專(zhuān)屬架構(gòu)與多項(xiàng)性能突破，為全球高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來(lái)革命性解決方案，重新定義了行業(yè)在能效、緊湊性與耐用性上
2025-11-10 03:12:005650 2025年，“2000V”成為光伏與儲(chǔ)能領(lǐng)域的熱詞。繼600V、1000V、1500V之后，行業(yè)正加速邁向更高電壓平臺(tái)。隨著器件耐壓、絕緣與標(biāo)準(zhǔn)體系的完善，更高母線電壓正成為提升功率密度與系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性的關(guān)鍵方向。
2025-11-05 09:26:136221 
最大額定值：查看I/O引腳電壓是否標(biāo)注為5.5V?！馡/O結(jié)構(gòu)描述：尋找"5VTolerant"或"FT"等關(guān)鍵字眼。掌握這兩點(diǎn)，30秒內(nèi)即可完成MCU的5V耐壓
2025-11-04 11:31:12284 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:28:48199 
STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允許用戶評(píng)估STDRIVEG600高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。STDRIVEG600經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可驅(qū)動(dòng)高壓增強(qiáng)模式GaN HEMT。該器件具有集成自舉二極管，可提供高達(dá)20V的外部開(kāi)關(guān)，并具有專(zhuān)為GaN HEMT定制的欠壓保護(hù)。
2025-10-24 14:11:19397 
STMicroelectronics STSPIN32G060x 600V三相BLDC控制器 采用一體化封裝，用于驅(qū)動(dòng)三相應(yīng)用。STMicro STSPIN32G060x包括一個(gè)帶32位Arm
2025-10-22 11:29:194442 
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過(guò)材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價(jià)值在于為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車(chē)等空間受限
2025-10-22 09:09:58
600V、4A/4A 半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)SiLM2285，超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢(shì)，解決工業(yè)開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題，實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
包括PSS30SF1F6（額定電流30A / 額定電壓600V）和PSS50SF1F6（額定電流50A / 額定電壓600V）。
2025-09-24 10:39:48916 
隔離拓?fù)?，需注意熱設(shè)計(jì)）。
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
非隔離Buck降壓 ：需配合整流橋和濾波電容，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)但無(wú)隔離保護(hù)。
內(nèi)置高壓MOSFET ：集成700V耐壓開(kāi)關(guān)管，減少外圍元件數(shù)量。
保護(hù)功能
過(guò)流保護(hù)
2025-09-12 09:37:00
“超結(jié)”技術(shù)憑借其優(yōu)異的性能指標(biāo)，長(zhǎng)期主導(dǎo)著耐壓超過(guò)600V的功率MOSFET市場(chǎng)。本文闡述了工程師在應(yīng)用超結(jié)功率器件時(shí)需關(guān)注的關(guān)鍵問(wèn)題，并提出了一種優(yōu)化解決方案，可顯著提升電源應(yīng)用的效率、功率密度及可靠性。
2025-09-11 16:21:5144299 
SiLM2234 600V半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專(zhuān)為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成自舉二極管，顯著簡(jiǎn)化外部電路設(shè)計(jì)，具備優(yōu)異的抗負(fù)向
2025-09-11 08:34:41
在工業(yè)電機(jī)控制、新能源逆變器及大功率開(kāi)關(guān)電源等高壓應(yīng)用領(lǐng)域，系統(tǒng)設(shè)計(jì)長(zhǎng)期面臨著高壓干擾、驅(qū)動(dòng)效率低下以及高邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)復(fù)雜的核心痛點(diǎn)。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，600V半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片SiLM2285
2025-09-05 08:31:35
三方面展開(kāi)分析： 一、高耐壓特性：材料與結(jié)構(gòu)的雙重保障 1、核心材料選擇 采用聚丙烯(PP)薄膜作為介質(zhì)，其分子結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，介電常數(shù)低(約2.2)，但耐壓強(qiáng)度高(可達(dá)600V/μm以上)。PP薄膜的熱穩(wěn)定性?xún)?yōu)異，可在-55℃至+125℃環(huán)境下長(zhǎng)期工作，且
2025-09-04 14:32:12590 國(guó)硅集成NSG2153D 600V自振蕩半橋MOSFET/IGBT電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片一、概述NSG2153D是一款高壓、高速功率MOSFET自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)芯片。NSG2153D其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高低側(cè)N
2025-09-04 10:10:41
SMDJ18A單向TVS瞬態(tài)抑制二極管：3000W功率高耐壓18V精準(zhǔn)電壓參數(shù)規(guī)格
2025-09-03 10:33:45624 
在工業(yè)高壓電源系統(tǒng)中，電解電容作為關(guān)鍵元器件，其性能直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。冠坤電解電容600V高耐壓系列憑借其卓越的性能和穩(wěn)定的表現(xiàn)，成為高壓電路中的"扛把子"，為工業(yè)高壓電源系統(tǒng)提供
2025-09-02 15:44:42630 在跨國(guó)工業(yè)供電、數(shù)據(jù)中心及精密設(shè)備場(chǎng)景中，電壓不匹配與電網(wǎng)干擾是核心痛點(diǎn)——美國(guó)本土常見(jiàn)的600V級(jí)電網(wǎng)（480V線電壓）與全球通用的380V工業(yè)電機(jī)、208V服務(wù)器、220V精密儀器存在電壓壁壘
2025-08-27 10:42:19800 
： SLM2184SCA-13GTR的核心價(jià)值在于其高集成度（SOP8小封裝）、高壓能力（600V）、強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)電流（950mA） 以及內(nèi)置的智能保護(hù)功能（死區(qū)時(shí)間、UVLO、關(guān)斷引腳）。它為開(kāi)發(fā)緊湊、可靠的高壓功率驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提供了一個(gè)高效的單芯片解決方案。#SLM2184 #高壓半橋驅(qū)動(dòng) #半橋驅(qū)動(dòng) #門(mén)極驅(qū)動(dòng)
2025-08-26 09:15:40
逆變器、UPS不間斷電源
工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率驅(qū)動(dòng)部分
總結(jié)SiLM2186CA-DG (SOP8) 是一款在性能、可靠性和兼容性方面表現(xiàn)均衡的高壓半橋驅(qū)動(dòng)器，600V耐壓、3A灌電流能力
2025-08-23 09:36:06
600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱(chēng)Si 超結(jié)MOS)，SiC MOS和GaN HEMT競(jìng)爭(zhēng)最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間，其典型應(yīng)用為高頻高效高功率密度電力電子。通過(guò)對(duì)比分析Infineon
2025-08-16 16:29:143561 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過(guò)將GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
結(jié)構(gòu)。
總結(jié)：SiLM2285 600V/4A半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，通過(guò)超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)三大核心優(yōu)勢(shì)，有效解決了高壓高功率應(yīng)用中的關(guān)鍵痛點(diǎn)。其寬電壓兼容、精準(zhǔn)時(shí)序、多重保護(hù)特性，為工業(yè)自動(dòng)化
2025-08-08 08:46:25
。LMG2100R044在半橋配置中集成了兩個(gè)100V GaN FET，由一個(gè)高頻90V GaN FET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。GaN FET為功率轉(zhuǎn)換提供了顯著優(yōu)勢(shì)，例如零反向恢復(fù)和最小輸入電容CISS和輸出電容COSS。
2025-08-04 10:00:30861 
：SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)半橋或類(lèi)似拓?fù)渲械母哌吅偷瓦呴_(kāi)關(guān)而設(shè)計(jì)。其最大亮點(diǎn)在于直接兼容替代IRS21867S，且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
、接觸器、電機(jī)控制器等多種場(chǎng)景，為電路提供可靠的保護(hù)。該產(chǎn)品具備快速響應(yīng)特性，能在電路出現(xiàn)過(guò)載或短路情況時(shí)迅速切斷電路，有效保障用電安全。其額定電壓為 600V A
2025-07-16 08:48:52
具備快速響應(yīng)特性，能在電路出現(xiàn)過(guò)載或短路情況時(shí)迅速切斷電路，有效保障用電安全。其額定電壓涵蓋 600V AC 和 600V DC，額定電流范圍為 0.1-30A，分
2025-07-14 11:34:41
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級(jí)集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈沖、53A半橋功率級(jí)包含兩個(gè)GaN FET，由
2025-07-11 14:40:22677 
的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2024 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模為 4.85 億美元，預(yù)計(jì)到 2030 年將達(dá)到 43.76 億美元，期間年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）高達(dá) 49%。 ? GaN 器件最初主要應(yīng)用于消費(fèi)電子等低功率領(lǐng)域，例如智能手機(jī)快充適配器、LED 照明驅(qū)動(dòng)等。隨著材料工藝和器件架構(gòu)的創(chuàng)新，G
2025-07-09 00:18:006973 Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計(jì)用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器，從而減少了元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。可編程的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44656 
SGK5872-20A
類(lèi)別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無(wú)線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
捷捷微電其核心產(chǎn)品BTA16-600CW雙向可控硅成功應(yīng)用于徠芬新一代高速電吹風(fēng)SE02，成為該產(chǎn)品功率控制模塊的關(guān)鍵組件。該可控硅額定參數(shù)為16A/600V，采用TO-220封裝，具備高耐壓、強(qiáng)
2025-06-11 14:19:33940 
? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出一款適用于600V級(jí)高耐壓GaN HEMT驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC“ BM6GD11BFJ-LB ”。通過(guò)與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件
2025-06-04 14:11:4646772 
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 揚(yáng)杰科技近日推出了一款TO-220AB-1 600V 小功率可控硅產(chǎn)品。 核心優(yōu)勢(shì)： 1.低導(dǎo)通壓降（VTM ：減少功率損耗，提高能效，降低溫升
2025-06-04 12:05:4446169 
? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:03
1 Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm飽和輸出功率（P ~OUT~ ），功率附加效率（PAE）為40%，輸入功率（P ~IN~ ）為16.0dBm時(shí)，功率
2025-05-27 09:56:01664 
MOSFET高輸入阻抗與BJT低導(dǎo)通壓降，形成四層半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)（PNPN排列），支持600V以上高壓場(chǎng)景 ? 功能特性 ?：兼具高頻開(kāi)關(guān)與高電流承載能力，導(dǎo)通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC（碳化硅）功率器件 ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的代表： ? 材料優(yōu)勢(shì) ?：禁帶寬度達(dá)3.3eV（硅的3倍）
2025-05-26 14:37:052284 E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號(hào)，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝。
2025-05-26 11:43:50647 在GaN功率器件場(chǎng)景化爆發(fā)的關(guān)鍵窗口期，京東方華燦以消費(fèi)類(lèi)GaN功率器件通過(guò)1000H可靠性為起點(diǎn)，正式開(kāi)啟“消費(fèi)級(jí)普及、工業(yè)級(jí)深化、車(chē)規(guī)級(jí)突破”的三級(jí)躍遷戰(zhàn)略。作為全球化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)先驅(qū)，我們以標(biāo)準(zhǔn)化能力為根基，以IDM全鏈創(chuàng)新為引擎，為全球客戶提供覆蓋全場(chǎng)景的“中國(guó)芯”解決方案。
2025-05-23 14:10:17736 內(nèi)容概要：HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，采用專(zhuān)有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)，能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計(jì)、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門(mén)
2025-05-19 11:33:300 本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對(duì)市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺(tái)的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:571759 
風(fēng)華104的電容，即指風(fēng)華品牌下標(biāo)稱(chēng)電容量為100nF(0.1uF)的瓷片電容器，其耐壓值可能因具體型號(hào)而異。以下是一些風(fēng)華104電容的耐壓值信息： CS1-F6Y5V2B104ZSPW型號(hào)：該
2025-05-15 14:15:471289 
電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開(kāi)關(guān)，即GaN BDS（Bidirectional Switch，雙向開(kāi)關(guān)）。這是一種較為新型的GaN功率器件產(chǎn)品，顧名思義，雙向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348 新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級(jí)中提供15A、20A和30A三個(gè)型號(hào)，額定功率高達(dá)
2025-04-01 17:34:231257 
歐規(guī)電源適配器的耐壓標(biāo)準(zhǔn)是由歐洲標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CENELEC）發(fā)布的EN 60335-2-29標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的。具體來(lái)說(shuō)，對(duì)充電器（包括電源適配器）耐壓測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)為： 耐壓試驗(yàn)電壓應(yīng)為符號(hào)電壓加上2kV
2025-03-15 11:50:17
描述:PC1011是一款單節(jié)鋰電池恒流/恒壓線性充電器，采用SOT23-5封裝以及簡(jiǎn)單的外部應(yīng)用電路，適合便攜式設(shè)備應(yīng)用。PC1011輸入電壓最高可以耐壓 36V, 集成了6.5V 過(guò)壓保護(hù)功能
2025-03-13 15:02:26
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET），具有高柵極電壓額定值，DFN 封裝使其可靠且易用。 *附件：GNE1040TB柵極耐壓高達(dá)8V的15
2025-03-07 15:19:09977 
擬選用的元器件規(guī)格:
MOS: 600V
輸出二極管耐壓：150V
開(kāi)關(guān)頻率：100KHz
輸入輸出參數(shù)如下：
輸入：交流 185 - 265V
輸出： 12V 2A
2025-03-06 09:34:27
在工業(yè)生產(chǎn)和半導(dǎo)體設(shè)備運(yùn)行中，電網(wǎng)中的雜質(zhì)和諧波問(wèn)題常常導(dǎo)致設(shè)備運(yùn)行不穩(wěn)定，甚至引發(fā)安全隱患。為了解決這一問(wèn)題，卓爾凡電力科技有限公司推出600V變380V加拿大三相隔離變壓器，為您的設(shè)備提供高效
2025-03-05 08:58:06577 
卓爾凡電力科技變壓器，當(dāng)進(jìn)口的加拿大380V半導(dǎo)體設(shè)備在國(guó)內(nèi)600V電網(wǎng)環(huán)境下運(yùn)行時(shí)，電壓不匹配問(wèn)題常常導(dǎo)致設(shè)備無(wú)法正常工作，甚至可能損壞設(shè)備。為解決這一難題，卓爾凡電力科技有限公司推出了600V變
2025-03-05 08:50:52547 
。加拿大作為重要的工業(yè)市場(chǎng)，對(duì)電氣設(shè)備的安全性和可靠性有著嚴(yán)格要求。卓爾凡電力科技有限公司推出的600V變380V CSA認(rèn)證變壓器，憑借其卓越的性能和權(quán)威認(rèn)證，為工業(yè)設(shè)備出口加拿大提供了有力支持。 ### 一、CSA認(rèn)證：開(kāi)啟加拿大市場(chǎng)大門(mén) CSA（加拿大標(biāo)
2025-03-03 15:30:41698 
設(shè)計(jì)和卓越的性能，為工業(yè)電力系統(tǒng)帶來(lái)了新的安全標(biāo)準(zhǔn)。 一、無(wú)零線設(shè)計(jì)：安全與穩(wěn)定的雙重保障 傳統(tǒng)的變壓器設(shè)計(jì)中，零線的使用雖然可以提供接地保護(hù)，但也可能引入額外的電氣干擾和安全隱患。卓爾凡的600V變380V變壓器采用無(wú)零線設(shè)計(jì)，通
2025-03-03 15:25:48674 在全球化背景下，工業(yè)設(shè)備的國(guó)際化適配成為企業(yè)拓展海外市場(chǎng)的重要挑戰(zhàn)之一。尤其是在電力系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)差異顯著的地區(qū)，如北美、歐洲和亞洲，電壓不匹配問(wèn)題常常阻礙設(shè)備的順利出口。600V變380V變壓器憑借其
2025-03-03 15:23:03628 LMG5200器件是一個(gè) 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí)，使用增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET 提供集成功率級(jí)解決方案。該器件由兩個(gè) 80V GaN FET 組成，由一個(gè)采用半橋配置
2025-02-26 14:11:121051 
LMG341xR070 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 13:44:16615 
LMG341xR070 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 11:33:591089 
UCC27714 是一款 600V 高側(cè)、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 4A 灌電流能力，旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。該器件由一個(gè)以地為參考的通道 （LO） 和一個(gè)浮動(dòng)通道
2025-02-26 10:52:531307 
LMG341xR050 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 09:23:45978 
精確的電機(jī)扭矩、速度或位置控制提供了緊湊高效的電流傳感解決方案。逆變器功率級(jí)由 600V LMG3411氮化鎵 （GaN） 功率模塊組成，可進(jìn)一步減小尺寸并提高下一代電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的效率。
2025-02-25 16:10:43969 
LMG341xR050 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)包括：超低輸入和輸出
2025-02-25 15:36:121006 
此參考設(shè)計(jì)是一款三相逆變器，在 50°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 1.25 kW，在 85°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 550 W，用于驅(qū)動(dòng) 200 V 交流伺服電機(jī)。它采用 600V
2025-02-25 15:22:311061 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
LMG342xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)
2025-02-25 14:07:161148 
德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動(dòng)器集成氮化鎵（GaN）功率級(jí)產(chǎn)品系列已在一個(gè)低成本、緊湊的四扁平無(wú)引腳（QFN）封裝中實(shí)現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x 12mm。這種擴(kuò)大的QFN封裝可以從GaN
2025-02-25 10:36:391037 
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28987 
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:21:011089 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 17:46:47744 
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) GaN FET 組成，由一個(gè)采用半橋配置的高頻
2025-02-21 17:17:561047 
600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器，憑借卓越性能與可靠品質(zhì)，成為眾多行業(yè)的理想選擇。 CSA 認(rèn)證：品質(zhì)與安全的堅(jiān)實(shí)背書(shū) CSA，即加拿大標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)認(rèn)證，在加拿大電氣設(shè)備市場(chǎng)擁有至高權(quán)威性。對(duì)于變壓器而言，獲得 CSA 認(rèn)證絕非易事。從設(shè)計(jì)
2025-02-21 14:56:40797 
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23727 
LMG342XEVM-04X具有兩個(gè)LMG342XR0X0 600-V GaN FET，采用半橋配置，具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，并具有所有所需的偏置電路和邏輯/功率電平轉(zhuǎn)換。基本的功率級(jí)和柵極驅(qū)動(dòng)
2025-02-21 11:10:42822 
CERNEX窄帶高功率放大器（GaN）
CERNEX推出的CNP GaN系列窄帶高功率放大器專(zhuān)為多種通用應(yīng)用場(chǎng)景而設(shè)計(jì)，涵蓋實(shí)驗(yàn)室測(cè)試設(shè)備、儀器儀表及高功率輸出需求的其他領(lǐng)域。CNP GaN系列窄帶
2025-02-21 10:39:06
BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙 N 型 MOS 半橋。
BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03
具有廣泛的應(yīng)用前景。ROHM此次量產(chǎn)的“GNP2070TD-Z”正是基于TOLL封裝的650V耐壓GaN HEMT，為市場(chǎng)提供
2025-02-18 10:03:531191 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT *1 “GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱
2025-02-17 15:42:22673 
~同時(shí)加快車(chē)載GaN器件的開(kāi)發(fā)速度，以盡快投入量產(chǎn)~ ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1
2025-02-13 14:29:18779 
用于 GaN 功率開(kāi)關(guān)的高壓和高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品說(shuō)明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是兩款用于 N 溝道增強(qiáng)型 GaN 的新型高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:160 具有150V、600V、1.200V，三種電壓范圍，功率范圍由2kW至24kW，單一臺(tái)的zui大電流可達(dá)2000A;透過(guò)并聯(lián)，zui大功率更可達(dá)240kW、大功率的電子負(fù)載主要可應(yīng)用于測(cè)試車(chē)用直流
2025-02-10 17:28:18794 
垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問(wèn)題的方法
2025-01-16 10:55:521228 
CERNEX寬帶高功率放大器（GaN）CERNEX的CBP GaN系列放大器通常用作各種類(lèi)型通用性技術(shù)應(yīng)用，如實(shí)驗(yàn)測(cè)試設(shè)備、儀表設(shè)備和其他需要高功率輸出的應(yīng)用。使用穩(wěn)固的帶狀線邏輯電路和指定的GaN
2025-01-08 09:31:22
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD006H060CX1R3 (600V/6A) 芯達(dá)茂IBGT管，原裝現(xiàn)貨 XDM芯達(dá)茂 IGBT單管 - XD006H060CX1R3 (600V
2025-01-06 15:25:07
電壓范圍 : 150V、600V、1200V 電流范圍：達(dá)2000A 定電流、定電阻、定電壓及定功率操作模式 定電阻+定電流、定電阻+定電壓、定電流+定電壓等進(jìn)階操作模式 主/從并聯(lián)控制，并聯(lián)
2025-01-06 15:04:16953 
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