深入解析ACPL - 355JC:10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 在電力電子領(lǐng)域,IGBT和SiC MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,其可靠驅(qū)動(dòng)至關(guān)重要。今天我們要詳細(xì)探討
2025-12-30 15:40:03
280 R2A25110KSP:智能IGBT驅(qū)動(dòng)的理想之選 在高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)至關(guān)重要。R2A25110KSP作為一款智能功率器件,專(zhuān)為IGBT柵極驅(qū)動(dòng)而設(shè)
2025-12-29 16:00:06
74 探索GD3162:先進(jìn)IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越性能 作為電子工程師,在設(shè)計(jì)xEV牽引逆變器時(shí),選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天,我們就來(lái)深入了解一下NXP的GD3162——一款先進(jìn)的單通道
2025-12-24 14:25:02
222 2ED4820-EM EB2 2HSV48評(píng)估板:靈活測(cè)試48V高端柵極驅(qū)動(dòng)器的利器 在電子工程領(lǐng)域,對(duì)高端柵極驅(qū)動(dòng)器的性能評(píng)估至關(guān)重要。今天要給大家介紹的是英飛凌科技的2ED4820-EM EB2
2025-12-21 09:40:12
501 6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關(guān)鍵組件。今天我們來(lái)詳細(xì)探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02
655 2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域,對(duì)于IGBT或SiC MOSFET功率器件的高效控制一直是工程師們關(guān)注的焦點(diǎn)。今天,我們就來(lái)
2025-12-20 11:30:02
1308 探索EVAL-2EP130R-VD評(píng)估板:全橋變壓器驅(qū)動(dòng)的新選擇 在電子工程師的日常工作中,評(píng)估板是驗(yàn)證和測(cè)試新器件性能的重要工具。今天,我們就來(lái)深入了解一下英飛凌(Infineon)的EVAL
2025-12-19 16:20:12
288 探索EVAL-2EP130R-PR-SiC評(píng)估板:隔離柵極驅(qū)動(dòng)器電源的理想之選 在電子工程師的日常工作中,評(píng)估板就像是我們探索新技術(shù)、驗(yàn)證新設(shè)計(jì)的得力助手。今天,我們就來(lái)深入了解一下英飛凌
2025-12-19 16:20:09
231 探索EVAL-2EP130R-PR評(píng)估板:IGBT與MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電源的理想之選 在電子工程領(lǐng)域,對(duì)于IGBT和MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì),合適的評(píng)估板至關(guān)重要。今天,我們就來(lái)深入
2025-12-19 16:20:06
781 英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開(kāi)關(guān)板:技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03
226 6EDL04家族——高性能三相柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電子工程領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于控制功率設(shè)備起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來(lái)深入探討英飛凌(Infineon)的6EDL04家族柵極驅(qū)動(dòng)器,看看
2025-12-19 14:50:06
183 EVAL-1ED3330MC12M-SiC評(píng)估板:助力SiC柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估與設(shè)計(jì) 在電力電子領(lǐng)域,對(duì)于柵極驅(qū)動(dòng)器的評(píng)估和設(shè)計(jì)是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。今天,我們就來(lái)詳細(xì)探討一下Infineon
2025-12-18 14:20:18
273 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)在電機(jī)控制、逆變電源等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。為了實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的IGBT驅(qū)動(dòng),AT314光耦作為一種優(yōu)秀的隔離器件,在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中發(fā)
2025-12-15 13:28:04
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在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC MOSFET等功率開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵組件。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的NCP51563隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板(NCP51563 EVB),了解其特性、操作方法以及性能表現(xiàn)。
2025-12-08 14:20:24
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在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的應(yīng)用極為廣泛,而其柵極驅(qū)動(dòng)器的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著關(guān)鍵作用。今天我們就來(lái)深入探討安森美(onsemi)的NCx575y0系列隔離式雙通道IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,包括NCD57530、NCV57530、NCD57540和NCV57540這幾款產(chǎn)品。
2025-12-05 11:18:25
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在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,柵極驅(qū)動(dòng)器起著至關(guān)重要的作用,它能夠有效地驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT,確保設(shè)備的高效穩(wěn)定運(yùn)行。今天我們要探討的是安森美(onsemi)推出的NCP51105單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,它具備諸多出色的特性和功能,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-04 09:58:48
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在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,其驅(qū)動(dòng)電路的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天,我們就來(lái)深入探討一下安森美(onsemi)推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-01 14:29:16
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中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,分銷(xiāo)代理BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)
2025-11-28 07:54:04
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在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色,它直接影響著功率開(kāi)關(guān)器件的性能和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的NCP51152,一款具有出色性能和豐富功能的隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。
2025-11-27 10:52:53
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onsemi FAD8253MX-1半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC是一款單片式器件,專(zhuān)為高壓、高速驅(qū)動(dòng)、工作電壓高達(dá)+1200V的IGBT而設(shè)計(jì)。onsemi的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可使高驅(qū)動(dòng)器在高dV
2025-11-25 16:50:18
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在追求更高效率、更高功率密度的電力電子系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動(dòng)器的性能至關(guān)重要。川土微電子全新推出 CA-IS3214 系列——一款基于先進(jìn)電容隔離技術(shù)的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。它集10A峰值驅(qū)動(dòng)能力、超強(qiáng)隔離
2025-11-21 17:42:06
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文章大綱IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU”·IGBT是功率器件中的“結(jié)晶”·IGBT技術(shù)不斷迭代,產(chǎn)品推陳出新IGBT搭乘新能源快車(chē)打開(kāi)增長(zhǎng)空間天花板·新能源汽車(chē)市場(chǎng)成為IGBT增長(zhǎng)最充足動(dòng)力
2025-11-21 12:21:24
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有沒(méi)有在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源設(shè)計(jì)中被隔離驅(qū)動(dòng)問(wèn)題而困擾許久的,直到看到了SiLM5350SABCA-DG這款單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器能同時(shí)駕馭MOSFET、IGBT和SiC/GaN器件。
一、特性:
驅(qū)動(dòng)
2025-11-15 10:00:15
為EliteSiC匹配柵極驅(qū)動(dòng)器指南旨在針對(duì)各類(lèi)高功率主流應(yīng)用,提供為 SiC MOSFET匹配柵極驅(qū)動(dòng)器的專(zhuān)業(yè)指導(dǎo),同時(shí)探索減少導(dǎo)通損耗與功率損耗的有效方法,以最大限度提升SiC器件在導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程中的電壓與電流效率。
2025-11-13 09:46:33
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IV曲線測(cè)試儀:電子器件的“性能解碼師” 柏峰【BF-CV1500】在半導(dǎo)體研發(fā)的實(shí)驗(yàn)室、光伏組件的生產(chǎn)車(chē)間,或是電子設(shè)備的故障診斷現(xiàn)場(chǎng),IV曲線測(cè)試儀都是不可或缺的“核心工具”。它通過(guò)精準(zhǔn)調(diào)控電壓、采集電流,繪制出電子器件的電流-電壓(IV)特性曲線
2025-11-12 14:51:52
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近日,南京大學(xué)張榮院士、葉建東教授與美國(guó)弗吉尼亞理工張宇昊教授、賈曉婷教授聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì),在第 70 屆國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM 2024,國(guó)際電子器件領(lǐng)域權(quán)威會(huì)議)上以
2025-10-24 18:01:47
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STMicroelectronics EVSTGAP2GSN演示板全面評(píng)估STGAP2GSN隔離式單柵極驅(qū)動(dòng)器。STGAP2GSN具有2A拉電流和3A灌電流能力以及軌對(duì)軌輸出,適合用于中等和大功率逆變器應(yīng)用。該器件使用專(zhuān)用柵極電阻器獨(dú)立優(yōu)化導(dǎo)通和關(guān)斷。
2025-10-24 14:33:14
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STMicroelectronics EVALSTGAP4S演示板用于評(píng)估 STGAP4S先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,用于IGBT和SiC MOSFET。該演示板驅(qū)動(dòng)電源開(kāi)關(guān),額定電壓高達(dá)650V
2025-10-24 10:44:52
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傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):核心原理與未來(lái)趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)
2025-10-18 21:22:45
403 
評(píng)論