產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現(xiàn)，在高頻高功率場(chǎng)景中讓傳統(tǒng)硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54
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雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無(wú)需工藝調(diào)整和 MASK 變動(dòng)，通過(guò)合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實(shí)現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
超小型氮化鎵模塊電源，正式上市！這不僅是一次產(chǎn)品升級(jí)，更是為高密度、高性能應(yīng)用量身打造的動(dòng)力解決方案，重新定義15W級(jí)電源的尺寸、效率與可靠性標(biāo)準(zhǔn)。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:0298 
CHA8107-QCB兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
30W氮化鎵全電壓認(rèn)證方案1.方案介紹及產(chǎn)品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW
2025-11-28 17:18:042035 
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來(lái)正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-24 16:47:18
1 一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導(dǎo)體（禁帶寬度 1.1 eV），二者在功放芯片
2025-11-14 11:23:573097 現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
前言消費(fèi)者在選購(gòu)第三方充電器時(shí)都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。華碩旗下a豆品牌推出了一款100W氮化鎵充電器
2025-11-13 10:27:082781 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿(mǎn)足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計(jì)。該系
2025-11-03 18:18:052813 
STMicroelectronics STWLC99符合Qi標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線電源接收器設(shè)計(jì)用于輸出功率高達(dá)100W的應(yīng)用。該芯片支持Qi規(guī)范1.2.4和1.3，用于具有擴(kuò)展功率曲線(EPP) 的電感
2025-10-22 10:54:28386 
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化鎵充電器芯片
2025-09-26 11:36:58
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化電源芯片的引腳在布局布線時(shí)，應(yīng)當(dāng)避免與其他信號(hào)線路平行敷設(shè)，以降低電磁干擾。根據(jù)芯片引腳功能和信號(hào)流向合理安排位置，減少交叉和迂回，降低布線
2025-08-28 16:18:507131 氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。
2025-08-26 10:24:432669 
氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。
2025-08-25 17:41:157434 
景無(wú)線通訊：作為驅(qū)動(dòng)放大器，提高通信基站、中繼器等設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸距離與質(zhì)量。衛(wèi)星通信：在C 波段 VSAT 系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高頻信號(hào)放大，支持寬帶數(shù)據(jù)傳輸。機(jī)載雷達(dá)：為雷達(dá)發(fā)射機(jī)提供高功率、高效率的射頻信號(hào)，增強(qiáng)探測(cè)能力。無(wú)線電設(shè)備：用于高頻無(wú)線通訊收發(fā)器，實(shí)現(xiàn)信號(hào)調(diào)制與解調(diào)的關(guān)鍵功能。
2025-08-25 10:06:43
氮化鎵（GaN）技術(shù)為電源行業(yè)提供了進(jìn)一步改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換的機(jī)會(huì)，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來(lái)，硅基半導(dǎo)體一直主導(dǎo)著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解，使其成為電子行業(yè)
2025-08-21 06:40:348321 
隨著芯片尺寸的逐漸縮小，電場(chǎng)強(qiáng)度卻隨距離的減小而線性增加。若電源電壓保持不變，產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度將足以擊穿芯片，這無(wú)疑對(duì)電子系統(tǒng)的電源電壓提出了更為嚴(yán)苛的要求。銀聯(lián)寶氮化鎵電源ic U8726AHE集成高壓E-GaN、集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，減少外圍元件，適配快速充電器和適配器等電源設(shè)備。
2025-08-19 17:38:341597 
磁芯飽和會(huì)導(dǎo)致變壓器線圈感抗變小，回路電流大增，從而引起開(kāi)關(guān)管的損壞。想要避免這些后果，就必須確保開(kāi)關(guān)電源主變壓器在工作過(guò)程中不會(huì)進(jìn)入磁飽和狀態(tài)。氮化鎵電源ic U8732內(nèi)部集成有軟啟動(dòng)功能，在
2025-08-18 16:30:465763 
芯片的腳位是指芯片與電路板或其他芯片之間進(jìn)行連接的引腳。引腳可以傳輸數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)，還用于為芯片提供電源和接地。今天重點(diǎn)介紹的是深圳銀聯(lián)寶氮化鎵電源ic U8731的腳位特征！
2025-07-29 14:07:594016 氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8723AH
2025-07-28 11:38:063811 
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個(gè)頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗！
2025-07-18 16:08:412963 
在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)，專(zhuān)注于滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及電動(dòng)交通應(yīng)用對(duì)高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383206 
需求主要集中在內(nèi)置的LED燈耳勺、續(xù)航及APP連接上，一顆小功率的電源管理芯片即可滿(mǎn)足。關(guān)注這個(gè)品類(lèi)的小伙伴，可以了解下深圳銀聯(lián)寶的氮化鎵電源管理芯片U8722SP！
2025-07-09 18:13:243450 炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜?？蛻?hù)最近熱賣(mài)的制冷杯，被稱(chēng)為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶(hù)外一族的喜愛(ài)，充電部分采用的正是我們深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003435 PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時(shí)，需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，則無(wú)需更改PCB設(shè)計(jì)，否則就要重新設(shè)計(jì)PCB板
2025-06-26 16:11:111776 氮化鎵電源IC U872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗
2025-06-20 17:26:561416 
A+C口兼容雙接口電路，可滿(mǎn)足多設(shè)備充電需求，還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備，接口互補(bǔ)，場(chǎng)景覆蓋廣，依然是當(dāng)前充電市場(chǎng)不可忽略的中堅(jiān)力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 CGH40120P 是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專(zhuān)為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計(jì)。這款晶體管適用于多種射頻和微波應(yīng)用，如雙向無(wú)線電、寬帶放大器、蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施和測(cè)試儀器等
2025-06-17 15:58:01
同一套電源芯片方案，可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間，使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問(wèn)題，通過(guò)了認(rèn)證測(cè)試，低耗高效，值得推薦！
2025-06-16 15:40:171592 氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
2025-06-13 14:25:181361 
設(shè)備充電、大型電力傳輸系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)充電、醫(yī)療設(shè)備無(wú)線供電、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備無(wú)線供電以及航空航天等領(lǐng)域。 功率放大器在無(wú)線電能傳輸中的關(guān)鍵作用 高效驅(qū)動(dòng)發(fā)射端電路：在無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)中，發(fā)射端電路由高頻交流信
2025-06-12 18:06:13672 
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化打嗝模式本質(zhì)為電源保護(hù)機(jī)制（如短路保護(hù)），優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進(jìn)行。高頻噪聲問(wèn)題需協(xié)同芯片設(shè)計(jì)、封裝工藝及PCB布局綜合解決。氮化鎵
2025-06-12 15:46:16962 摘要
本文闡釋了在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開(kāi)關(guān)所涉及的獨(dú)特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專(zhuān)用GaN驅(qū)動(dòng)器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計(jì)。此外，本文還建議將
2025-06-11 10:07:24
45W單壓?jiǎn)蜟氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201070 前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502384 
恒功率控制方式通過(guò)精確的控制策略和先進(jìn)的電子技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過(guò)調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)（如電壓、電流等），使得系統(tǒng)在負(fù)載變化時(shí)能夠維持輸出功率不變。銀聯(lián)寶氮化鎵
2025-05-29 16:53:04911 開(kāi)關(guān)損耗。氮化鎵快充電源ic U8765采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化！
2025-05-26 18:02:421062 LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （GaN FET） 驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為超高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側(cè)低側(cè)匹配，可優(yōu)化系統(tǒng)效率。該器件還具有一個(gè)內(nèi)部 LDO，無(wú)論電源電壓如何，都能確保 5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。
2025-05-24 15:53:00891 
氮化鎵器件開(kāi)關(guān)頻率升級(jí)，同步整流芯片需具備高速響應(yīng)能力，確保高頻工況下精準(zhǔn)控制同步整流管的開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)。同步整流芯片U7106應(yīng)用在氮化鎵電源芯片U8766中可顯著減少功率損耗，提升轉(zhuǎn)換效率！
2025-05-23 17:49:301310 充電器都能輕松應(yīng)對(duì)，一充搞定。充電器自然離不開(kāi)芯片的支持，今天主推的就是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！
2025-05-23 14:21:36883 電源方案全電壓認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B方案來(lái)咯！主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片
2025-05-22 15:41:26734 CS管腳通常用于采樣電感電流，實(shí)現(xiàn)峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)功能。?此外，CS管腳還可以用于設(shè)定系統(tǒng)的最高工作頻率。通過(guò)連接不同阻值的RSEL電阻，可以設(shè)定不同的系統(tǒng)工作頻率上限。氮化鎵電源ic U8724AH復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。
2025-05-22 11:33:48752 
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開(kāi)通速度減半（如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)），減緩開(kāi)關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化，從而減小次級(jí)側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過(guò)分壓電
2025-05-19 17:29:50735 
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠，可滿(mǎn)足更高性能要求、更低成本需求！
2025-05-13 16:28:041036 
英諾賽科針對(duì)48V架構(gòu)開(kāi)發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案（四相2kW交錯(cuò)降壓電源方案），為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。
英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方案利用氮化鎵高頻高效的優(yōu)勢(shì)和四相交錯(cuò)Buck
2025-05-12 14:00:001145 
芯片?恒功率控制，意味著無(wú)論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測(cè)到系統(tǒng)溫度過(guò)高時(shí)，主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng)，以降低系統(tǒng)溫度，防止過(guò)熱。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動(dòng)降功率控制功能，一起來(lái)看看！
2025-05-10 14:22:16871 ℃，被迫使用暴力扇散熱，噪音高達(dá)55dB；體積桎梏：磁性元件體積占比超60%，制約機(jī)架密度提升。仁懋氮化鎵（GaN）解決方案，以“高頻高效、極寒運(yùn)行”重構(gòu)AI電源
2025-05-10 12:06:39984 
深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
全集成保護(hù)型氮化鎵功率芯片搭配雙向無(wú)損耗電流檢測(cè)，效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導(dǎo)體今日正式宣布推出 全新專(zhuān)為電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2025-05-09 13:58:181258 
在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過(guò)壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級(jí)電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 關(guān)鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵諧振柵極驅(qū)動(dòng)器。該方案不僅能實(shí)現(xiàn)高效率，還能在高開(kāi)關(guān)頻率下保持良好控制的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換特性。諧振柵極驅(qū)動(dòng)器原理轉(zhuǎn)換器
2025-05-08 11:08:401153 
恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過(guò)載保護(hù)等特性，適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景，如充電器、LED驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS，不僅可以提高電路的穩(wěn)定性和可靠性，同時(shí)也可以提高能源利用效率，使優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到最大！
2025-05-07 17:58:32673 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過(guò)集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等問(wèn)題?，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！
2025-04-29 18:17:541107 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02942 EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。
2025-04-28 16:07:21719 
銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。U8723AH集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)E
2025-04-24 16:20:38593 700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率(限12V最大輸出)，集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。但參數(shù)性能略有不同，今天就為各位小伙伴詳細(xì)拆解一下兩者不同之處!
2025-04-23 16:18:51944 通過(guò)重新設(shè)計(jì)基于氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車(chē)輛逆變器性能使開(kāi)關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了98.5%的效率。在DRS，我們
2025-04-22 11:35:39866 
氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動(dòng)時(shí)，U8722BAS通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動(dòng)都伴隨一次判定。
2025-04-18 17:06:54837 ? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動(dòng)汽車(chē)所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車(chē)載充電機(jī)（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現(xiàn) 加利福尼亞州托倫斯 2025年4月15
2025-04-17 15:09:264296 
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào)功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58665 深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過(guò)EMC,原裝現(xiàn)貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件
2025-03-31 14:26:10
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能，通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來(lái)了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時(shí)通過(guò)?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無(wú)PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動(dòng)和工作電流，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗，勢(shì)如破竹！?
2025-03-20 17:41:40835 微波、低頻無(wú)線電波和高頻光波都是電磁波譜中的不同部分，它們?cè)陬l率范圍、波長(zhǎng)、傳播特性、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些區(qū)別。
2025-03-14 18:13:272967 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054783 
唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請(qǐng)，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進(jìn)展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅堋?b class="flag-6" style="color: red">高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點(diǎn)，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261526 電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)師致力于通過(guò)提升功率、縮小系統(tǒng)尺寸并減少散熱需求，使電動(dòng)汽車(chē)更輕量化、自動(dòng)化，并配備更小電池。借助氮化鎵(GaN)汽車(chē)級(jí)功率器件在功率轉(zhuǎn)換、高頻開(kāi)關(guān)和熱管理領(lǐng)域的突破性進(jìn)展，電動(dòng)汽車(chē)的能
2025-03-03 11:41:561005 
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?：并聯(lián)開(kāi)關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場(chǎng)合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334528 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491181 海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優(yōu)點(diǎn)，轉(zhuǎn)換效率高達(dá)91%，應(yīng)用廣泛，性?xún)r(jià)比高。一、產(chǎn)品介紹40WACDC系列氮化鎵電源
2025-02-24 12:02:321020 CSBA系列通過(guò)采用低損耗金屬磁粉芯材料和優(yōu)化的線圈結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低磁芯損耗和電阻損耗，從而提升氮化鎵電源的整體效率。例如，在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源中，低損耗電感可減少能源浪費(fèi)，符合綠色節(jié)能的發(fā)展趨勢(shì)。
2025-02-20 10:50:171008 
UM2060-30 是一款 30W 應(yīng)用頻率 2～6GHz 的氮化鎵射頻功率放大管芯片。這款芯片具有高效 率、高增益的特性。主要用于收發(fā)組件，無(wú)線電通信等，工作在 28V 供電模式。關(guān)鍵
2025-02-19 18:20:06
過(guò)去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí)，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣(mài)盤(pán)，這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來(lái)的擔(dān)憂(yōu)。為此，在本文中，我們先對(duì)氮化鎵未來(lái)的發(fā)展進(jìn)行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開(kāi)發(fā)的最新進(jìn)展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:362014 
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過(guò)控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測(cè)
2025-02-13 16:22:261075 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高級(jí)SPICE模型.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 15:23:257 氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少
2025-02-07 16:01:021105 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力氮化鎵芯片YLB銀聯(lián)寶/YINLIANBAO無(wú)線通信領(lǐng)域，設(shè)備往往需要在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的信號(hào)傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿(mǎn)足其功率需求的同時(shí)
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081231 
在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個(gè)隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 
在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開(kāi)拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場(chǎng)景中嶄露頭角，成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對(duì)于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時(shí)優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對(duì)默契的搭檔，通過(guò)緊密配合，顯著提升電源效率。在開(kāi)關(guān)電源的工作過(guò)程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開(kāi)關(guān)速度和高頻率的開(kāi)關(guān)能力，能夠迅速地切換電路狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)
2025-01-15 16:08:501733 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN138-無(wú)線電源用戶(hù)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-12 11:23:480 東科半導(dǎo)體集成雙氮化鎵功率管的不對(duì)稱(chēng)半橋AC-DC-100W電源管理芯片-DK8710AD一、產(chǎn)品概述DK87XXAD是一顆基于不對(duì)稱(chēng)半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片
2025-01-08 15:33:07
集成雙氮化鎵功率管的不對(duì)稱(chēng)半橋120W-AC-DC電源管理芯片-DK8712AD一、產(chǎn)品概述DK87XXAD電源管理芯片是一顆基于不對(duì)稱(chēng)半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片
2025-01-08 15:29:04
場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)
2025-01-08 13:44:213 集成雙氮化鎵功率管的不對(duì)稱(chēng)半橋AC-DC-180W電源管理芯片-DK8718AD一、產(chǎn)品概述：DK87XXAD是一顆基于不對(duì)稱(chēng)半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率電源管理芯片
2025-01-08 10:53:32
帶恒功率、底部無(wú)PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號(hào)分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內(nèi)阻1.0--1.2R。封裝類(lèi)型ASOP-7-T4。
2025-01-06 15:52:201000
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