WD6208A是一款專為安防攝像頭設(shè)計(jì)的IR-CUT驅(qū)動(dòng)芯片，集成雙向馬達(dá)驅(qū)動(dòng)功能。支持TTL邏輯控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)、強(qiáng)制制動(dòng)及待機(jī)模式，提供200mA持續(xù)/500mA峰值驅(qū)動(dòng)電流，適配2V-18V寬
2025-12-31 16:18:39
214 
IR21592和IR21593是集調(diào)光鎮(zhèn)流器控制和600V半橋驅(qū)動(dòng)功能于一體的集成電路。其獨(dú)特的架構(gòu)采用了無(wú)變壓器的燈功率傳感和調(diào)節(jié)相位控制
2025-12-30 17:25:19422 紅外(IR)是一種波長(zhǎng)大于780nm的不可見(jiàn)光。IRLED已廣泛應(yīng)用于安全監(jiān)控，一般信號(hào)傳輸，新興應(yīng)用包括家居、臉部與虹膜辨識(shí)、生物感測(cè)及醫(yī)療、虛擬實(shí)鏡(AR)、無(wú)人駕駛、工業(yè)檢測(cè)等。
2025-12-30 11:16:25
0 自適應(yīng)鎮(zhèn)流器控制IC，深入了解它的特性、參數(shù)、工作模式以及保護(hù)功能。 文件下載： IR2520DSTRPBF.pdf 一、產(chǎn)品特性概述 IR2520D(S)是將完整的自適應(yīng)鎮(zhèn)流器控制器和600V半橋驅(qū)動(dòng)器
2025-12-28 15:50:12404 （International IOR Rectifier）的IR2166系列芯片，看看它如何在PFC和鎮(zhèn)流器控制領(lǐng)域發(fā)揮獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。 文件下載： IR2166PBF.pdf 一、芯片概述 IR2166是一款全面集成且具備
2025-12-24 17:25:09474 WH3620是一款數(shù)字RGBW-IR顏色傳感器，集成了光電二極管、電流放大器、模擬電路和數(shù)字信號(hào)處理器，支持紅、綠、藍(lán)、白（RGBW）及紅外光（IR）的多通道并行傳感。
2025-12-24 10:04:11211 
IR2166：集成PFC與鎮(zhèn)流器控制的高性能IC深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，高效且可靠的鎮(zhèn)流器控制和功率因數(shù)校正（PFC）電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入探討一款功能強(qiáng)大的集成
2025-12-23 17:45:15506 DP83867IR/CR：高性能以太網(wǎng)物理層收發(fā)器的深度解析 在工業(yè)自動(dòng)化、通信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域，可靠且高效的以太網(wǎng)通信至關(guān)重要。德州儀器（TI）的DP83867IR/CR系列以太網(wǎng)物理層收發(fā)器，憑借
2025-12-22 15:15:13219 DP83867IR/CR：穩(wěn)健型以太網(wǎng)物理層收發(fā)器的卓越之選 在當(dāng)今高速發(fā)展的工業(yè)和通信領(lǐng)域，以太網(wǎng)技術(shù)的應(yīng)用愈發(fā)廣泛，對(duì)以太網(wǎng)物理層收發(fā)器的性能和可靠性也提出了更高的要求。德州儀器（TI
2025-12-19 16:30:20433 氛圍燈方案PMOS管HC030P04M 溝槽工藝 -40V 惠海 低內(nèi)阻 皮實(shí)
2025-12-19 09:24:26
? 7優(yōu)化40V功率MOSFET.pdf 一、產(chǎn)品概述 英飛凌的OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET系列，采用了最新的電機(jī)驅(qū)動(dòng)優(yōu)化技術(shù)。該系列產(chǎn)品主要面
2025-12-18 14:30:06185 在紅外熱成像技術(shù)與低空經(jīng)濟(jì)深度融合的今天，搭載高性能機(jī)芯的吊艙設(shè)備正成為突破環(huán)境限制、提升作業(yè)效率的核心裝備。KC-2IR10AN熱成像機(jī)芯集成的吊艙系統(tǒng)，憑借其高靈敏度探測(cè)、全天候適應(yīng)及智能化集成
2025-12-09 14:34:10246 普冉PY25Q512HB-WXH-IR存儲(chǔ)芯片以512Mbit容量與WSQN8微型封裝，支持133MHz高速讀寫(xiě)與10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命，低功耗特性延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航，為智能手表、手環(huán)等產(chǎn)品提供高可靠性存儲(chǔ)解決方案。
2025-12-08 09:42:00506 
請(qǐng)問(wèn)一下，芯源的IR調(diào)制器怎么使用？什么場(chǎng)合使用？
2025-12-03 06:04:36
芯源IR調(diào)制器都有哪些具體使用？以及使用方法是怎樣的？
2025-12-02 06:33:11
請(qǐng)問(wèn)，IR 調(diào)制器是不是復(fù)用串口的啊？
2025-11-26 06:36:39
近紅外CCD相機(jī) CONTOUR-IRCONTOUR-IR近紅外相機(jī)，設(shè)計(jì)用于取景，存儲(chǔ)和記錄通過(guò)紅外光源發(fā)出的光線，例如砷化鎵、紅外發(fā)光二極管功能的相機(jī)，二極管或者電晶體激光發(fā)出的紅外光線，同時(shí)
2025-10-23 13:43:18
-30V，柵源電壓 (VGS) 最大為 ±12V，適用于低壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。它基于先進(jìn)的溝槽 (Trench) 技術(shù)制造，具備高效的導(dǎo)通和關(guān)斷性能，并能顯著降低導(dǎo)
2025-09-02 15:57:19
### IR8342-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IR8342-VB是一款采用DFN6(2x2)封裝的單N溝道MOSFET，具有30V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS）。其低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)能力
2025-09-02 15:50:43
### 一、IR6242-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IR6242-VB 是一款采用 DFN6 (2x2) 封裝的單一 N 溝道 MOSFET，專為高效率和低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。其主要特性包括 30V 的漏源電壓
2025-09-02 15:45:18
30V 的漏源電壓 (VDS)，以及較高的 30A 連續(xù)漏極電流 (ID)，可確保在高功率應(yīng)用中的可靠性。此器件適用于對(duì)電流密度要求較高的應(yīng)用，具備較低的柵極驅(qū)動(dòng)電
2025-09-02 15:42:42
### IR3702-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IR3702-VB 是一款采用 DFN8 (3x3) 封裝的單N溝道MOSFET，專為高效能電源管理應(yīng)用設(shè)計(jì)。它的額定擊穿電壓為30V，導(dǎo)通電阻極低，在VGS
2025-09-02 14:14:34
代替IR2186，為600V以下的MOSFET和IGBT應(yīng)用提供高性價(jià)比的單芯片驅(qū)動(dòng)方案。核心優(yōu)勢(shì)：高壓驅(qū)動(dòng)與可靠保護(hù)的完美結(jié)合SiLM2186CA-DG的核心價(jià)值在于其卓越的電氣性能和強(qiáng)大的系統(tǒng)保護(hù)
2025-08-23 09:36:06
HCB444-8008051220.3217
HCB444-10110064170.3213說(shuō)明：所有型號(hào)的 DCR 均為 0.32 mΩ（±9%）。電感量測(cè)試條件：25℃，100 kHz，1 V。Isat：電感量下降到最小值時(shí)的電流。Ir：溫升電流，通常指表面溫升約 40°C 時(shí)的電流。
2025-08-15 09:45:13
西門子數(shù)字化工業(yè)軟件宣布，半導(dǎo)體晶圓代工廠聯(lián)華電子 (United Microelectronics Corporation, UMC) 目前已部署西門子的 mPower 軟件，用于電遷移 (EM) 和電壓降 (IR) 分析，助力芯片設(shè)計(jì)人員優(yōu)化性能并提升可靠性。
2025-08-07 11:03:49992 IR900 AAA 配置Radius為什么登錄不到路由器？
2025-08-07 07:41:14
IR900撥號(hào)電信4G專網(wǎng)卡遇到問(wèn)題及解決方法：目前在使用IR900(包括IR912L-TL00和915L-TL00)時(shí)，若遇到使用電信4G專網(wǎng)卡撥號(hào)撥不上的時(shí)候，可參照以下解決方法：網(wǎng)絡(luò)-撥號(hào)接口
2025-08-07 07:13:19
如何刪除IR900 已經(jīng)安裝的sdk和已經(jīng)安裝的程序？
2025-08-07 06:49:51
IR915L-W 如何進(jìn)入Wi-Fi板卡升級(jí)固件？
2025-08-07 06:39:54
IR900 路由器如何做端口映射？
2025-08-06 08:29:00
當(dāng)IR900不具備上網(wǎng)條件時(shí)，不能通過(guò)Open Device Package Tool 安裝模塊，如何本地安裝模塊？
2025-08-06 08:25:33
IR611 Web配置頁(yè)面是否可以看到SIM卡信息？
2025-08-06 08:17:12
想請(qǐng)問(wèn)一下IR915L的路由器訪問(wèn)服務(wù)器的IP地址是固定的幾個(gè)還是隨機(jī)的
2025-08-06 08:14:55
請(qǐng)問(wèn)IR600系列路由器、IR700系列路由器、IR900系列路由器的恢復(fù)出廠設(shè)置分別是如何操作的？
2025-08-06 08:02:08
IR600 CLI 如何保存配置？
2025-08-06 07:51:09
現(xiàn)場(chǎng)有多個(gè)AP，用相同的SSID，沒(méi)有使用AC，現(xiàn)場(chǎng)IR615S WiFi橋接AP WiFi時(shí)，當(dāng)連接的AP關(guān)閉后，不能切換到到其他AP上，需要注意哪些設(shè)置？
2025-08-06 07:39:58
IR611S固件升級(jí)
2025-08-06 07:34:24
IR302的路由器 怎么遠(yuǎn)程連接PLC下載程序呢？
2025-08-06 07:32:42
現(xiàn)有多臺(tái)IR615路由器，希望將其配置為vpn客戶端，連接云服務(wù)器的vpn服務(wù)端
工程師遠(yuǎn)程連接云服務(wù)器對(duì)IR615進(jìn)行管理
在IR615中可以選用哪種vpn協(xié)議？如何進(jìn)行配置？
服務(wù)端搭建需要做哪些兼容配置？
2025-08-06 07:21:22
我想通過(guò)IR915L與plc連接 plcIO點(diǎn)狀態(tài)為1時(shí) 發(fā)送短信
2025-08-06 06:46:05
IR615使用VPN連到云平臺(tái)，最近發(fā)現(xiàn)4G流量使用激增，估計(jì)其它設(shè)備在蹭網(wǎng)，怎么設(shè)置一下防止其它設(shè)備通過(guò)路由器訪問(wèn)外網(wǎng)，多謝
2025-08-06 06:31:10
有一臺(tái)IR615S-L7 的設(shè)備，版本R452232M的，想連連InConnect，但沒(méi)有這個(gè)選項(xiàng)，只能上Device Manager(DM)這個(gè)。升級(jí)最新固件是否支持inconnect？
2025-08-06 06:20:46
原網(wǎng)絡(luò)在華為路由器（接廠區(qū)局域網(wǎng)）下的設(shè)備IP地址：192.168.1.10~21，現(xiàn)希望能通過(guò)615模塊Lan來(lái)讀取原網(wǎng)絡(luò)10~21中的設(shè)備數(shù)值（Modbus TCP），IR615的Lan網(wǎng)段也被
2025-08-06 06:15:55
IR915L升級(jí)IR9-V1.0.0.r20030固件后連不上管理頁(yè)面了，telnet也連不上了，1.1和2.1可以PING通，路由器隔幾分鐘還會(huì)重啟，嘗試用論壇上的RESET鍵重置過(guò)也不行，有什么好的辦法解決嗎。
2025-08-05 08:02:28
手上有一臺(tái)IR912l路由器，恢復(fù)出廠設(shè)置后，插卡可以聯(lián)網(wǎng)，兩個(gè)網(wǎng)口的網(wǎng)段也復(fù)位了（1網(wǎng)段和2網(wǎng)段），但是進(jìn)不了后臺(tái)，無(wú)論是登錄192.168.1.1還是192.168.2.1均不能進(jìn)入，請(qǐng)教各位大神，怎么才能進(jìn)入后臺(tái)，我想升級(jí)一下固件，看效果能不能好點(diǎn)。
2025-08-05 07:49:40
通過(guò)IR615遠(yuǎn)程連接西門子S71200PLC，不知道怎樣設(shè)置，怎樣使用
2025-08-05 07:38:31
IR611如何恢復(fù)出廠設(shè)置，斷電按住RESET按鍵上電，也不行，還有別的方法恢復(fù)出廠設(shè)置嗎？謝謝
2025-08-05 07:12:28
深信服防火墻與映翰通9臺(tái)IR615建立IPSec VPN，其中4臺(tái)IR615 站點(diǎn)子網(wǎng)無(wú)法主動(dòng)訪問(wèn)，其中4臺(tái) 總部防火墻無(wú)法ping通分支IR615，分支IR615可以ping總部，分支執(zhí)行ping
2025-08-05 06:27:19
IR302靜態(tài)路由配置上不生效是什么原因？需要怎么處理？
2025-08-05 06:20:49
Texas Instruments DP83867IR/DP83867CR以太網(wǎng)PHY收發(fā)器是堅(jiān)固耐用的全功能物理層 (PHY) 收發(fā)器，集成了PMD子層，支持1000BASE-T
2025-07-17 09:14:56749 
（IR-drop）問(wèn)題日益成為制約其性能、能效與可靠性的關(guān)鍵瓶頸，而傳統(tǒng)電路級(jí)優(yōu)化方法往往需在功耗、性能或面積上做出妥協(xié)，難以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)化解決。
2025-07-11 15:11:031052 
高效可靠的 40V 降壓恒壓電源芯片 SL3061，重新定義工業(yè)與消費(fèi)電子電源解決方案在工業(yè)自動(dòng)化、汽車電子及智能家居等領(lǐng)域，對(duì)寬輸入電壓、高精度輸出的電源管理芯片需求日益增長(zhǎng)。森利威爾推出
2025-06-20 17:26:07
作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列
2025-06-11 08:59:592500 
IR-CUT的直接驅(qū)動(dòng)，使得電路應(yīng)用非常簡(jiǎn)單。單個(gè)達(dá)林頓管在輸入電壓低至?1.8V?狀態(tài)下支持電流?300mA?輸出，將達(dá)林頓管并聯(lián)可以得到更大輸出電流能力。D6212的每一路達(dá)林頓管內(nèi)部串聯(lián)一個(gè)基極電阻，5V?工作電壓以下可直接與?TTL/CMOS?電路連接，可直接處理原先需要標(biāo)準(zhǔn)邏
2025-06-06 14:06:471016 
在近期舉辦的各大專業(yè)展會(huì)上，紅外熱成像技術(shù)領(lǐng)域群雄逐鹿，各類先進(jìn)產(chǎn)品爭(zhēng)奇斗艷。而IR - TM52 - RG/C紅外熱成像產(chǎn)品憑借其卓越的性能和緊湊的設(shè)計(jì)，在眾多紅外熱成像設(shè)備中脫穎而出，成為展會(huì)
2025-05-27 14:33:33735 XD08M3232接近感應(yīng)單片機(jī)的接近感應(yīng)模塊基于電容式感應(yīng)原理，通過(guò)硬件電路與軟件配置實(shí)現(xiàn)對(duì)物體接近的檢測(cè)。以下是其工作原理的詳細(xì)解析：
一、硬件架構(gòu)與核心組件
1. 核心電路組成
接近感應(yīng)模塊由
2025-05-14 11:07:36
IR3883MTRPBF 在 3.3V/3.6V 時(shí)爆炸 降壓調(diào)節(jié)器
2025-04-21 07:41:49
這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET
2025-04-16 10:54:00755 
這款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18512Q5B 40 V N 溝道 NexFET
2025-04-16 10:20:33784 
這款 40V、1.4mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18510KCS 40V N 溝道 NexFETTM 功率
2025-04-16 10:13:57763 
這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07663 
這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18511KCS 40V N 溝道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11772 
反向耐壓應(yīng)在500V～600V，工作電流在30A～40A。由于IR代理商確認(rèn)了這兩種大功率電源主板上使用的大號(hào)高頻開(kāi)關(guān)管，是為軍用裝備特制的高檔產(chǎn)品，為了保密才改用假代號(hào)。因此，值得下功夫認(rèn)真細(xì)致
2025-04-02 15:29:20
電容器940μF/450V4只，220μF/450V2只，以及多個(gè)CBB高頻、高壓、無(wú)感、無(wú)極性聚丙烯大電容器，都是優(yōu)質(zhì)的突波吸收元件。2.1 IR公司的功率器件 首先，讓我意外新奇的是：均為IR公司
2025-04-02 15:19:38
TX Module<----> Arduino Uno
GND-GND
3.3V - 3.3V
DAT - D3
IR 發(fā)射器 LED 連接到 Arduino Uno
2025-03-24 06:20:58
CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級(jí)全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21
DS(ON) < 35mΩ @ V GS =10V（類型：28mΩ）vds = -40v I d = -6.1aR DS(ON) <75mΩ @ V
2025-03-14 09:17:411 穩(wěn)壓二極管(&lt;40V);高壓穩(wěn)壓二極管(&gt;200V) 從材料分:N型;P型
C.主要參數(shù) ①穩(wěn)定電壓VZ:在規(guī)定的穩(wěn)壓管,反向工作電流IZ下,所對(duì)應(yīng)的反向工作電壓
2025-03-13 13:39:27
將 ONNX* 模型轉(zhuǎn)換為中間表示 （IR） 格式，并收到了錯(cuò)誤的推斷輸出。自定義模型使用動(dòng)態(tài)形狀。
2025-03-07 08:20:24
將 SSD300 模型轉(zhuǎn)換為 IR 時(shí)收到錯(cuò)誤：
[ FRAMEWORK ERROR ] Model Optimizer is not able to parse /OpenVINO
2025-03-07 07:58:18
使用命令將更快的R ACCENT-10.onnx 模型轉(zhuǎn)換為 IR：python ./mo_onnx.py --input_model FasterRCNN-10.onnx
2025-03-07 07:43:02
遵照 將 YOLOv4 模型轉(zhuǎn)換為 IR 的 說(shuō)明，但無(wú)法將模型轉(zhuǎn)換為 TensorFlow2* 格式。
將 YOLOv4 darknet 轉(zhuǎn)換為 Keras 模型時(shí)，收到 TypeError: buffer is too small for requested array 錯(cuò)誤。
2025-03-07 07:14:29
使用轉(zhuǎn)換命令 mo --saved_model_dir /home/obs-56/effi/saved_model 將 TensorFlow* efficientdet-d0 模型轉(zhuǎn)換為 IR
2025-03-06 08:18:50
使用 Google Colab OpenVINO? 2022.2 將 yolov5 模型轉(zhuǎn)換為 IR v11：
!git clone https://github.com/ultralytics
2025-03-06 07:14:13
無(wú)法將中間表示 （IR） 模型轉(zhuǎn)換為 TensorFlow* 格式
2025-03-06 06:51:40
使用以下命令將 ONNX* 模型轉(zhuǎn)換為 IR：mo --input_model model.onnx
該模型無(wú)法轉(zhuǎn)換為 IR v10，而是轉(zhuǎn)換為 IR v11。
2025-03-06 06:32:59
將Yolo V3-Tiny 模型轉(zhuǎn)換為 IR 格式。
遇到錯(cuò)誤：
Error: Exception occurred during running replacer \"
2025-03-05 09:57:07
使用模型優(yōu)化器命令將 ONNX 模型轉(zhuǎn)換為 OpenVINO? IR 格式：
--input_model \"{onnx_path}
--input_shape [1,512, 896
2025-03-05 09:41:15
將 TensorFlow saved_model格式轉(zhuǎn)換為 IR。
遇到錯(cuò)誤： FrontEnd API failed with OpConversionFailure: :
No translator found for TensorListFromTensor node.
2025-03-05 09:12:08
運(yùn)行模型優(yōu)化器，以將 ONNX 模型轉(zhuǎn)換為 IR。
收到錯(cuò)誤：[ ERROR ] The ExpandDims node Unsqueeze_333 has more than 1 input
2025-03-05 09:11:19
無(wú)法在 ONNX運(yùn)行時(shí)加載OpenVINO?中間表示 （IR）
2025-03-05 09:07:39
，請(qǐng)使用“output_blobs”屬性。
detections = exec_net.requests[cur_request_id]。outputs[out_blob]
該模型的 IR 文件（MobileNetSSD_deploy）是使用 OpenVINO 工具套件 2019.1 生成的。
2025-03-05 09:04:11
使用 OpenVINO? 2021.4 將經(jīng)過(guò)訓(xùn)練的自定義 PyTorch 模型加載為 IR 格式時(shí)遇到錯(cuò)誤：
RuntimeError: [ GENERAL_ERROR ]
Failed
2025-03-05 08:40:43
使用模型優(yōu)化器將自定義 TensorFlow* 2 模型轉(zhuǎn)換為中間表示 （IR）。
使用 myriad_compile 將 IR 模型轉(zhuǎn)換為 blob 并收到錯(cuò)誤： 遇到未知輸入類型的循環(huán) v5
2025-03-05 08:27:46
將 TensorFlow* 自定義模型轉(zhuǎn)換為 IR 格式： mo --data_type FP16 --saved_model_dir--input_shape (1,150,150,3
2025-03-05 07:26:22
推斷 Caffe 模型直接基于 英特爾? 神經(jīng)電腦棒 2 （英特爾? NCS2）。
無(wú)法確定為什么 Caffe 模型可以直接與OpenVINO?工具套件推斷引擎 API 一起使用，而無(wú)法轉(zhuǎn)換為中間表示 （IR）。
2025-03-05 06:31:08
將自定義 EfficientDet 模型從 TensorFlow* 2 轉(zhuǎn)換 為 IR 時(shí)遇到錯(cuò)誤：
[ ERROR ] Exception occurred during running replacer \"REPLACEMENT_ID\" ()
2025-03-05 06:29:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQJ 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:58:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SQ 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 16:32:210 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK9M8R5-40HN溝道40V、8.5mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:16:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK9M3R3-40H N溝道40V、3.3 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 11:31:090 近期，芯?？萍荚贛CU領(lǐng)域邁出了重要的一步，全新推出了CS8M321（簡(jiǎn)稱M321）與CS8M326（簡(jiǎn)稱M326）系列ADC模塊經(jīng)濟(jì)型MCU。這兩款MCU專為滿足各種信號(hào)測(cè)量需求而設(shè)計(jì)，集成了多種高性能的信號(hào)鏈模塊，為用戶提供了精準(zhǔn)且可靠的解決方案。
2025-02-06 17:49:051737
請(qǐng)問(wèn)例程中的Ambient data和RED - Ambient以及IR - Ambient Data數(shù)據(jù)指的是什么呢？如何使用這些數(shù)據(jù)？
2025-01-16 08:29:06
近日，“中國(guó)卓越IR年度評(píng)選”結(jié)果在“2025上市公司投資者關(guān)系創(chuàng)新峰會(huì)暨第八屆中國(guó)卓越IR頒獎(jiǎng)盛典”上隆重揭曉。成都華微電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“成都華微”）在該評(píng)選中榮膺“最佳年度新銳公司”。
2025-01-15 14:41:28866 近日，上海概倫電子股份有限公司（688206.SH）在第八屆中國(guó)卓越IR評(píng)選中榮膺“最佳資本市場(chǎng)溝通獎(jiǎng)”、“35 UNDER 35”等三大獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)評(píng)選結(jié)果于2025年1月7日舉行的“路演中國(guó)
2025-01-09 19:12:081088
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