飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出功率級(jí)非對(duì)稱雙MOSFET模塊FDMS36xxS

　　為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級(jí)非對(duì)稱雙 MOSFET模塊。

　　FDMS36xxS系列器件在PQFN封裝中結(jié)合了控制和同步MOSFET，以及一個(gè)肖特基體二極管。這些器件的開關(guān)節(jié)點(diǎn)已獲內(nèi)部連接，能夠輕易進(jìn)行同步降壓轉(zhuǎn)換器的布局和走線?？刂芃OSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET)(Q2)經(jīng)專門設(shè)計(jì)，為高達(dá)30A的輸出電流實(shí)現(xiàn)最佳功效。FDMS36xxS系列將上述器件集成在一個(gè)模塊中，可替代兩個(gè)或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝，有效減少線路板空間。

　　FDMS36XXS系列產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的電荷平衡架構(gòu)(屏蔽柵極技術(shù))和先進(jìn)封裝技術(shù)，可在高性能計(jì)算的額定擊穿電壓下，獲得低于2mΩ的業(yè)界領(lǐng)先低端RDS(ON) 。該系列產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化，以便最大限度地減小300kHz至600KHz范圍的綜合傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，為負(fù)載點(diǎn)和多相同步降壓DC-DC應(yīng)用帶來可靠的最高功效。

　　FDMS36xxS系列功率級(jí)非對(duì)稱雙MOSFET使用獨(dú)特的屏蔽電壓調(diào)制架構(gòu)和超低源極電感封裝設(shè)計(jì)，具有低開關(guān)噪聲、低設(shè)計(jì)變化敏感度和較高的設(shè)計(jì)可靠性。低開關(guān)噪聲可以省去需要外部緩沖器或柵極電阻的緩減設(shè)計(jì)，從而降低設(shè)計(jì)BOM成本并且節(jié)省額外的線路板空間。

　　FDMS36xxS系列器件目前包括：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench功率級(jí)非對(duì)稱N溝道雙MOSFET。飛兆半導(dǎo)體將會(huì)根據(jù)研究和客戶需求增添更多的器件。兩款FDMS36xxS系列器件均滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)要求。

　　這些非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設(shè)計(jì)人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計(jì)的全面解決方案。

　　價(jià)格(訂購1,000個(gè)):

　　FDMS3602S的單價(jià)為1.86美元

　　FDMS3604AS的單價(jià)為1.62美元

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Telechips推出系統(tǒng)級(jí)封裝模塊產(chǎn)品

專業(yè)車載系統(tǒng)半導(dǎo)體無晶圓企業(yè)Telechips正式推出集成半導(dǎo)體芯片與內(nèi)存的系統(tǒng)級(jí)封裝（SIP，System-in-Package）模塊產(chǎn)品，加速車載半導(dǎo)體市場(chǎng)的革新。Telechips計(jì)劃超越單一芯片供應(yīng)模式，通過提供軟硬件結(jié)合的高附加值解決方案，同時(shí)為客戶實(shí)現(xiàn)成本降低、開發(fā)周期縮短與品質(zhì)提升。

2025-11-05 16:05:23

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傾佳電子全面分析在高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價(jià)值主張

傾佳電子全面分析在高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價(jià)值主張傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國

2025-11-02 12:20:38

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華大半導(dǎo)體旗下飛锃半導(dǎo)體獲評(píng)國家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)

近日，工業(yè)和信息化部正式公布第七批國家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)名單，華大半導(dǎo)體旗下飛锃半導(dǎo)體（上海）有限公司憑借在寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的突出技術(shù)創(chuàng)新能力、深厚產(chǎn)業(yè)積累與廣闊市場(chǎng)前景成功入選

2025-10-27 15:44:58

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功率半導(dǎo)體晶圓級(jí)封裝的發(fā)展趨勢(shì)

在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。

2025-10-21 17:24:13

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傾佳電子混合逆變器拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)及基于非對(duì)稱碳化硅器件的T型三電平技術(shù)應(yīng)用價(jià)值分析

傾佳電子混合逆變器Hybrid Inverter拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)及基于非對(duì)稱碳化硅器件的T型三電平技術(shù)應(yīng)用價(jià)值分析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商

2025-10-19 09:04:06

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傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命：基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊

行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)

2025-10-11 10:56:37

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BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)---精準(zhǔn)洞察，卓越測(cè)量

器件都承載著巨大的科技使命，它的穩(wěn)定性和壽命直接決定著設(shè)備的整體壽命與系統(tǒng)安全的保障，而半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備正是守護(hù)這些芯小小器件品質(zhì)的關(guān)鍵利器，為半導(dǎo)體制造企業(yè)及應(yīng)用終端行業(yè)為半導(dǎo)體核心功率轉(zhuǎn)換元件

2025-10-10 10:35:17

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制技術(shù)：機(jī)理深度解析與基本半導(dǎo)體系級(jí)解決方案

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制技術(shù)：機(jī)理深度解析與基本半導(dǎo)體系級(jí)解決方案傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)

2025-10-02 09:29:39

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傾佳電子超越100kW：用于兆瓦級(jí)儲(chǔ)能直掛充電樁電源的SiC功率模塊CLLC隔離DC-DC變換設(shè)計(jì)

傾佳電子超越100kW：用于兆瓦級(jí)儲(chǔ)能直掛充電樁電源的SiC功率模塊,CLLC隔離DC-DC變換設(shè)計(jì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于

2025-09-24 18:13:05

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三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)

鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。

2025-09-23 09:26:33

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SiC碳化硅功率半導(dǎo)體：電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì)

茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！傾佳電子

2025-09-21 20:41:13

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BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET特點(diǎn)及設(shè)計(jì)要點(diǎn)

電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和

2025-09-19 17:34:56

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基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。

2025-09-15 16:53:03

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傾佳電子功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)深度解析：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)挑戰(zhàn)與可靠性實(shí)現(xiàn)

2025-09-14 22:59:12

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瑞能半導(dǎo)體亮相SEMI-e 2025深圳國際半導(dǎo)體展

在全球“雙碳”目標(biāo)與智能出行浪潮的雙重驅(qū)動(dòng)下，功率半導(dǎo)體正成為新能源汽車產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心引擎。作為專注于功率半導(dǎo)體的領(lǐng)軍企業(yè)，瑞能半導(dǎo)體攜重磅產(chǎn)品，特別是最新一代車規(guī)級(jí)SiC技術(shù)解決方案，亮相

2025-09-12 15:10:52

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一文讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊

前言功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分，在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。而IGBT模塊作為其中一個(gè)極其高效、聽話且力量巨大的”電能開關(guān)“被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，是現(xiàn)代工業(yè)社會(huì)從“用電”邁向

2025-09-10 18:04:01

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一文讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊

功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分，在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。本文將簡單講解何為功率半導(dǎo)體IGBT模塊，和其結(jié)構(gòu)組成，介紹其應(yīng)用場(chǎng)景并例出部分實(shí)際產(chǎn)品。

2025-09-10 17:57:47

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傾佳電子SiC模塊(碳化硅MOSFET功率模塊)產(chǎn)品介紹及市場(chǎng)應(yīng)用前景深度解析

傾佳電子SiC模塊(碳化硅MOSFET功率模塊)產(chǎn)品介紹及市場(chǎng)應(yīng)用前景深度解析前言隨著“雙碳”戰(zhàn)略目標(biāo)推動(dòng)和新一輪能源革命浪潮席卷全球，功率半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)成為新能源、工業(yè)自動(dòng)化、智能交通以及高端

2025-09-07 09:26:14

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傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面替代

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面升級(jí)替代傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源

2025-09-05 08:36:44

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傾佳電子固態(tài)變壓器SST在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用及SiC MOSFET功率模塊的關(guān)鍵作用

傾佳電子固態(tài)變壓器SST在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用及SiC MOSFET功率模塊的關(guān)鍵作用傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力

2025-09-01 18:23:35

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非對(duì)稱密鑰生成和轉(zhuǎn)換規(guī)格詳解

生成以字符串參數(shù)生成RSA密鑰，具體的“字符串參數(shù)”由“RSA密鑰類型”和“素?cái)?shù)個(gè)數(shù)”使用符號(hào)“|”拼接而成，用于在創(chuàng)建非對(duì)稱密鑰生成器時(shí)，指定密鑰規(guī)格。說明：生成RSA非對(duì)稱密鑰時(shí)，默認(rèn)素?cái)?shù)為2

2025-09-01 07:50:53

引領(lǐng)高效能新紀(jì)元：基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊，賦能尖端工業(yè)應(yīng)用

引領(lǐng)高效能新紀(jì)元：傾佳力推基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊，賦能尖端工業(yè)應(yīng)用在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，對(duì)高效、高功率密度、高可靠性電源解決方案的需求日益迫切?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體（BASiC

2025-08-25 18:07:22

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一文了解功率半導(dǎo)體的可靠性測(cè)試

功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng)，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉(zhuǎn)換。這種

2025-08-25 15:30:17

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如何在 MA35 系列微處理器（MPU）上開發(fā) AMP（非對(duì)稱多處理）應(yīng)用程序？

如何在 MA35 系列微處理器（MPU）上開發(fā) AMP（非對(duì)稱多處理）應(yīng)用程序，并通過建立多個(gè)端點(diǎn)的過程促進(jìn)與其他內(nèi)核的多通道數(shù)據(jù)傳輸。

2025-08-19 06:11:45

森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。

2025-08-16 13:50:09

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基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。

2025-08-01 10:25:14

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RIGOL功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)性能測(cè)試解決方案

功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。

2025-07-29 11:15:20

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深愛半導(dǎo)體代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊）是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB

2025-07-23 14:36:03

國內(nèi)最大！長飛先進(jìn)武漢基地投產(chǎn)，明治傳感助力半導(dǎo)體智造升級(jí)

近日，總投資超200億元的長飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項(xiàng)目正式運(yùn)營投產(chǎn)。該項(xiàng)目是目前國內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地，年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓，可滿足144萬輛新能源汽車制造需求，推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)

2025-07-22 07:33:22

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現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

目錄第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容第6章?MOSFET晶體管第7章?IC中的MOSFET

2025-07-12 16:18:42

功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體

2025-07-11 14:49:36

從原理到應(yīng)用，一文讀懂半導(dǎo)體溫控技術(shù)的奧秘

無機(jī)械傳動(dòng)部件可減少因機(jī)械磨損帶來的故障。行業(yè)內(nèi)的半導(dǎo)體溫控產(chǎn)品擁有多樣化的產(chǎn)品線，能適配不同的溫控需求場(chǎng)景。其中，半導(dǎo)體 TEC 溫控驅(qū)動(dòng)模塊是具有代表性的產(chǎn)品類型，部分單通道、大電流、多通道大功率

2025-06-25 14:44:54

Littelfuse非對(duì)稱TVS二極管在SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器中的應(yīng)用

碳化硅（SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，開關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計(jì)人員應(yīng)更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路，確保

2025-06-24 09:20:47

998

選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊，賦能盤式電機(jī)驅(qū)動(dòng)新紀(jì)元

傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開關(guān)損耗和頻率瓶頸，而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢(shì)，成為理想選擇?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體推出的BMF240R12E2G3與BMF008MR12E2G3兩款SiC MOSFET模塊，憑借其高性能與高可靠性，為盤式電機(jī)驅(qū)動(dòng)器帶來革新突破。

2025-06-19 16:59:06

728

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代：能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

傳統(tǒng)IGBT，成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場(chǎng)變革不僅意味著能效的躍升，更將重塑產(chǎn)業(yè)競爭格局。傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)

2025-06-09 07:07:17

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國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless

2025-06-07 06:17:30

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初級(jí)元器件知識(shí)之功率MOSFET

氧化物半導(dǎo)體 FET)主要被用于線性或開關(guān)電源應(yīng)用。他們?yōu)槭裁匆l(fā)明功率MOSFET？當(dāng)把雙極型三極管按照比例提高到功率應(yīng)用的時(shí)候，它顯露出一些惱人的局限性。確實(shí)，你仍然可以在洗衣機(jī)、空調(diào)機(jī)

2025-06-03 15:39:43

國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC

2025-05-18 14:52:08

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基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日，全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會(huì)展中心盛大開幕?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相，并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET

2025-05-09 09:19:10

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基本半導(dǎo)體碳化硅（SiC）MOSFET低關(guān)斷損耗（Eoff）特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗（Eoff）特性，在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)：傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅

2025-05-04 09:42:31

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電力電子新未來：珠聯(lián)璧合，基本半導(dǎo)體SiC模塊及SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商

2025-05-03 15:29:13

627

納微半導(dǎo)體推出全新SiCPAK功率模塊

納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計(jì)和驗(yàn)證，適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境，重點(diǎn)確?？煽啃耘c耐高溫

2025-04-22 17:06:39

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會(huì)展動(dòng)態(tài)｜TMC2025車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇「初步日程+展覽」首發(fā)

將聚焦車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體前沿技術(shù)，匯聚全球頂尖企業(yè)與行業(yè)領(lǐng)袖。兩天議程覆蓋四大核心板塊： >第三、四代車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體全球發(fā)展趨勢(shì) >主驅(qū)功率半導(dǎo)體應(yīng)用需求 >SiC/GaN模塊封裝技術(shù)革命 >SiC器件創(chuàng)新設(shè)計(jì)與制造創(chuàng)新比亞迪、吉利、匯川、舍弗勒、采埃孚、

2025-04-17 13:50:46

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TLVM14404 36V 輸入，雙 2A 輸出功率模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

TLVM1440x 是一款高度集成的 36V 輸入型 DC/DC 設(shè)計(jì)，將功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無源器件組合在增強(qiáng)型 HotRod? QFN 封裝中。該器件采用交錯(cuò)式、可堆疊電流模式控制

2025-04-16 17:02:39

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功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管

2025-04-16 08:06:43

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先楫半導(dǎo)體MCU具有哪些優(yōu)勢(shì)？

能變流器、充電樁功率模塊。AI與機(jī)器人：語音識(shí)別、視覺SLAM、機(jī)器人運(yùn)動(dòng)控制、協(xié)作機(jī)器人。生態(tài)與市場(chǎng)戰(zhàn)略開發(fā)工具鏈：提供兼容Segger、IAR的商用開發(fā)環(huán)境，支持FreeRTOS、Zephyr等

2025-04-14 10:04:58

強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合！兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作，打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源解決方案

，打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源產(chǎn)品，并配合兆易創(chuàng)新的全產(chǎn)業(yè)鏈的管理能力與納微對(duì)系統(tǒng)應(yīng)用的深刻理解，加速在AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、儲(chǔ)能、充電樁和電動(dòng)汽車商業(yè)化布局。作為戰(zhàn)略合作的重要組成部分，兆易創(chuàng)新還將與納微半導(dǎo)體攜手共建聯(lián)合

2025-04-09 09:30:43

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兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作高算力MCU+第三代功率半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案

? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合，打造智能、高效、高功率

2025-04-08 18:12:44

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碳化硅VS硅基IGBT：誰才是功率半導(dǎo)體之王？

在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上

2025-04-02 10:59:41

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創(chuàng)新非對(duì)稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護(hù)中的應(yīng)用

保護(hù)半導(dǎo)體設(shè)備和電子設(shè)備是任何穩(wěn)健的電源管理和電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹非對(duì)稱瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管系列，這些二極管非常適合用于硅碳化物(SiC)MOSFET的門保護(hù)。瞬態(tài)保護(hù)

2025-03-27 11:48:51

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MOSFET與IGBT的區(qū)別

飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率

2025-03-25 13:43:17

ROHM推出超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。

2025-03-13 15:08:04

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全球功率半導(dǎo)體變革：SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必

2025-03-13 00:27:37

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請(qǐng)問OpenVINO?工具套件是否支持使用非對(duì)稱卷積的支持模型？

無法確定使用非對(duì)稱卷積的模型是否受 OpenVINO? Toolkit 的支持

2025-03-06 07:58:52

LT3810FR 雙不對(duì)稱N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT3810FR 雙不對(duì)稱N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-28 18:05:44

瑞芯微RK3568正式開放RISC-V核心啦，也支持非對(duì)稱AMP雙系統(tǒng)！

在嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展進(jìn)程中，多核異構(gòu)架構(gòu)的出現(xiàn)為滿足復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景的需求提供了新的可能。其中，瑞芯微RK3568J國產(chǎn)平臺(tái)的非對(duì)稱AMP（Asymmetric Multi-Processing）架構(gòu)

2025-02-27 10:36:48

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功率半導(dǎo)體展聚焦 APSME 2025，共探功率半導(dǎo)體發(fā)展新征程

2025 亞洲國際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購及技術(shù)交流平臺(tái)，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品

2025-02-13 11:49:01

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意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。

2025-02-07 10:38:50

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“國產(chǎn)雙系統(tǒng)”出爐！復(fù)旦微FMQL20SM非對(duì)稱AMP:Linux + 裸機(jī)

“非對(duì)稱AMP”雙系統(tǒng)是什么 AMP(Asymmetric Multi-Processing)，即非對(duì)稱多處理架構(gòu)?！?b class="flag-6" style="color: red">非對(duì)稱AMP”雙系統(tǒng)是指多個(gè)核心相對(duì)獨(dú)立運(yùn)行不同的操作系統(tǒng)或裸機(jī)應(yīng)用程序，如

2025-01-24 13:46:04

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ARM + RISC-V核間通信方案，基于全志T113-i的OpenAMP非對(duì)稱架構(gòu)

)，即非對(duì)稱多處理架構(gòu)。“非對(duì)稱AMP”雙系統(tǒng)是指多個(gè)核心相對(duì)獨(dú)立運(yùn)行不同的操作系統(tǒng)或裸機(jī)應(yīng)用程序，如Linux + RTOS/裸機(jī)，但需

2025-01-24 09:30:16

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革新電源體驗(yàn)！基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊強(qiáng)勢(shì)來襲

、高頻和高溫性能，正在成為光伏逆變器、電動(dòng)汽車充電樁等領(lǐng)域的核心技術(shù)。今天，我們?yōu)槟鷰硪豢铑嵏矀鹘y(tǒng)的產(chǎn)品——基本半導(dǎo)體面向工業(yè)應(yīng)用開發(fā)的PcoreTM2E2B工業(yè)級(jí)

2025-01-21 16:39:42

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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱

2025-01-13 17:36:11

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