在半導(dǎo)體制造邁向先進(jìn)制程的今天，濕法清洗技術(shù)作為保障芯片良率的核心環(huán)節(jié)，其重要性愈發(fā)凸顯。RCA濕法清洗設(shè)備憑借其成熟的工藝體系與高潔凈度表現(xiàn)，已成為全球半導(dǎo)體廠商的首選方案。本文將從設(shè)備工藝
2025-12-24 10:39:08
135 無(wú)線充磁片 無(wú)線快充納米屏蔽片 高磁導(dǎo)率納米晶軟磁 無(wú)線充電器作為一種時(shí)尚便捷的充電方式，越來(lái)越受到廣大消費(fèi)者的青睞，在手機(jī)、游戲機(jī)等消費(fèi)類電子產(chǎn)品
2025-12-20 16:58:40
在7納米、3納米等先進(jìn)芯片制造中，光刻機(jī)0.1納米級(jí)的曝光精度離不開高精度石英壓力傳感器的支撐，其作為“隱形功臣”，是保障工藝穩(wěn)定、設(shè)備安全與產(chǎn)品良率的核心部件。本文聚焦石英壓力傳感器在光刻機(jī)中
2025-12-12 13:02:26423 隨著芯片制程不斷微縮，先進(jìn)封裝中的離子遷移問題愈發(fā)凸顯。傳統(tǒng)微米級(jí)添加劑面臨分散不均、影響流動(dòng)性等挑戰(zhàn)。本文將深度解析日本東亞合成IXEPLAS納米級(jí)離子捕捉劑的技術(shù)突破，及其在解決高密度封裝可靠性難題上的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
2025-12-08 16:06:48313 
移動(dòng)電源應(yīng)用里，國(guó)產(chǎn)電容有沒有成功取代日系品牌（如松下、貴彌功）同尺寸高容值電容的案例？
2025-12-06 13:22:08
在IC芯片制造的檢驗(yàn)工藝中，全數(shù)檢查原則貫穿于關(guān)鍵工序的缺陷篩查，而老化測(cè)試作為可靠性驗(yàn)證的核心手段，通過高溫高壓環(huán)境加速潛在缺陷的暴露，確保芯片在生命周期內(nèi)的穩(wěn)定運(yùn)行。以邏輯芯片與存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試
2025-12-03 16:55:45678 
納米晶軟磁材料 電動(dòng)汽車充電樁用隔磁材料 產(chǎn)品特點(diǎn)：納米材料為磁材經(jīng)過特殊的工藝而形成非常細(xì)小的晶粒組織， 其晶粒尺寸僅有10 - 20納米；納米材料具有高飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度、高導(dǎo)磁率、低損耗
2025-11-25 14:40:47
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:341116 在電子制造的高精度領(lǐng)域中，芯片引腳的處理工藝對(duì)最終產(chǎn)品的連接質(zhì)量與長(zhǎng)期可靠性具有決定性影響。引腳成型與引腳整形作為兩個(gè)關(guān)鍵工序，名稱相近，卻在功能定位與應(yīng)用環(huán)節(jié)上存在本質(zhì)區(qū)別。準(zhǔn)確把握二者差異
2025-10-30 10:03:58
，憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景，成為了納米加工領(lǐng)域的明星技術(shù)。FIB結(jié)合掃描電子顯微鏡（ScanningElectronMicroscopy，SEM）形成的雙束系
2025-10-29 14:29:37251 
? 高通發(fā)布云端AI芯片 近日，美國(guó)高通公司宣布推出兩款新型人工智能芯片AI200和AI250，面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)。 ? 這兩款芯片均基于高通的Hexagon神經(jīng)處理單元技術(shù)，該技術(shù)最初應(yīng)用于智能手機(jī)芯片
2025-10-28 10:43:33901 集創(chuàng)北方隆重推出首款12納米AI-PQ畫質(zhì)增強(qiáng)獨(dú)顯芯片。該芯片聚焦移動(dòng)終端用戶對(duì)高畫質(zhì)、高幀率、低功耗的核心訴求，融合了集創(chuàng)北方在多媒體AI處理、畫質(zhì)提升、低功耗芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的核心技術(shù)。
2025-10-23 11:32:07507 在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法：傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合（Die Bonding）和引線鍵合（Wire
2025-10-21 17:36:162052 
優(yōu)化工藝、提升良率的關(guān)鍵。一、核心功能：從“從無(wú)到有”到“從有到精”1. 引腳成型：引腳的“精準(zhǔn)塑造”
引腳成型設(shè)備的核心使命，是完成引腳的初次定型。在芯片制造的后段或封裝環(huán)節(jié)，它負(fù)責(zé)將原始的、平直
2025-10-21 09:40:14
。 ? 英特爾18A工藝堪稱芯片制造領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破，處于業(yè)界2納米級(jí)節(jié)點(diǎn)水平。它采用了兩項(xiàng)極具創(chuàng)新性的基礎(chǔ)技術(shù)——RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)和PowerVia背面供電技術(shù)
2025-10-21 08:52:004858 臺(tái)積電2nm 制程試產(chǎn)成功 近日，晶圓代工龍頭臺(tái)積電（TSMC）正式宣布其2納米制程技術(shù)試產(chǎn)成功，這一重大里程碑標(biāo)志著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式邁入全新的制程時(shí)代。隨著試產(chǎn)工作的順利推進(jìn)，2納米芯片距離量產(chǎn)
2025-10-16 15:48:271089 在精密制造與科研領(lǐng)域，納米級(jí)的定位精度往往是決定成敗的關(guān)鍵。為了滿足大行程與高精度的平衡需求，芯明天推出全新P15.XY1000壓電納米定位臺(tái)，在繼承P15系列卓越性能的基礎(chǔ)上，將單軸行程提升
2025-10-16 15:47:31270 
1.8nm）制程 技術(shù)亮點(diǎn)：這是英特爾首個(gè)2納米級(jí)別制程節(jié)點(diǎn)，采用了全環(huán)繞柵極晶體管（Gate-All-Around, GAA）和背面供電網(wǎng)絡(luò)（Backside Power Delivery Network）。與Intel 3制程相比，每瓦性能提升達(dá)15%，芯片密度提升約30%。該工藝支持多芯片封裝架構(gòu)，兼具高
2025-10-15 13:58:161413 VT6000微納米形貌測(cè)量共聚焦顯微鏡用于對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行微納米級(jí)測(cè)量?？蓽y(cè)各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級(jí)別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等
2025-09-18 14:02:18
Texas Instruments UCC28C56EVM-066評(píng)估模塊用于評(píng)估EV和HEV汽車動(dòng)力傳動(dòng)系的高效一次側(cè)控制（帶AUX繞組）反激式輔助電源。UCC28C56EVM-066設(shè)計(jì)具有15.2V（典型值）、40W輸出，用于800V電池系統(tǒng)。
2025-09-07 15:52:55891 
。那該如何延續(xù)摩爾神話呢？
工藝創(chuàng)新將是其途徑之一，芯片中的晶體管結(jié)構(gòu)正沿著摩爾定律指出的方向一代代演進(jìn)，本段加速半導(dǎo)體的微型化和進(jìn)一步集成，以滿足AI技術(shù)及高性能計(jì)算飛速發(fā)展的需求。
CMOS工藝從
2025-09-06 10:37:21
RS3700-Q1是一款單通道高側(cè)LED驅(qū)動(dòng)芯片，采用車規(guī)級(jí)工藝，最大化安全余量設(shè)計(jì)，具有高達(dá)45V的耐壓承受能力，提供最大500mA的驅(qū)動(dòng)電流，支持PWM亮度調(diào)光，并提供全面的自診斷功能，包括
2025-09-05 17:50:51942 
芯片封裝是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的一步，它不僅保護(hù)了精密的硅芯片免受外界環(huán)境的影響，還提供了與外部電路連接的方式。通過一系列復(fù)雜的工藝步驟，芯片從晶圓上被切割下來(lái)，經(jīng)過處理和封裝，最終成為可以安裝在各種電子設(shè)備中的組件。
2025-08-25 11:23:212262 
8月15日，國(guó)產(chǎn)首臺(tái)28納米關(guān)鍵尺寸電子束量測(cè)量產(chǎn)設(shè)備在錫成功出機(jī)。市委書記杜小剛，中國(guó)工程院院士丁文江、莊松林、董紹明，中國(guó)科學(xué)院院士張澤共同出席出機(jī)儀式。 電子束晶圓量檢測(cè)設(shè)備是芯片制造領(lǐng)域除
2025-08-19 16:17:38614 
光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí)，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43944 
流轉(zhuǎn)。這家全球第三大晶圓代工廠，正以每月 3 萬(wàn)片的產(chǎn)能推進(jìn) 7 納米工藝客戶驗(yàn)證，標(biāo)志著中國(guó)大陸在先進(jìn)制程領(lǐng)域的實(shí)質(zhì)性突破。 技術(shù)突圍的底層邏輯 中芯國(guó)際的 7 納米工藝采用自主研發(fā)的 FinFET 架構(gòu)，通過引入高介電常數(shù)金屬柵極（HKMG）和極紫外光刻（EUV）預(yù)研技術(shù)，將晶體管密
2025-08-04 15:22:2110986 ” 晶圓級(jí)單片芯片，則讓單塊芯片的晶體管數(shù)量有著巨大提升。
更具顛覆性的是兩類新興工藝：分子器件與分子憶阻器以單個(gè)分子為單元，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)存儲(chǔ)與計(jì)算；打印類腦芯片則借鑒3D打印思路，通過材料精準(zhǔn)沉積構(gòu)建類
2025-07-28 13:54:18
切割工藝參數(shù)以實(shí)現(xiàn)晶圓 TTV 均勻性有效控制，為晶圓切割工藝改進(jìn)提供新的思路與方法。
一、引言
在半導(dǎo)體晶圓切割工藝中，晶圓 TTV 均勻性是影響芯片制造質(zhì)量與良
2025-07-25 10:12:24420 
摘 要:針對(duì)小型電機(jī)定、轉(zhuǎn)子沖壓零件批量大,尺寸、形位公差要求高,分析了零件的材料、結(jié)構(gòu)、精度和其他方面的工藝性,設(shè)計(jì)了合理的沖壓工藝及7個(gè)工步的模具結(jié)構(gòu)。分析了沖壓生產(chǎn)中轉(zhuǎn)子零件可能產(chǎn)生的平面度
2025-07-16 18:54:50
這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術(shù)（光刻）?摻雜技術(shù)?鍍膜技術(shù)和刻蝕技術(shù)。
2025-07-16 13:52:553321 
在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓：先打地基（晶體管層），再逐層搭建電路網(wǎng)絡(luò)（金屬互連），最后封頂防護(hù)（封裝層）。這種將芯片分為FEOL（前道工序） 與 BEOL（后道工序） 的智慧，正是半導(dǎo)體工業(yè)的基石。
2025-07-09 09:35:342008 
，工藝成熟，但在高溫和高頻下，性能不佳。納米晶作為新興材料，高頻特性好，溫度穩(wěn)定性高，但成本較高，生產(chǎn)工藝不夠成熟。 除此之外，我們還從磁導(dǎo)率、工作頻率、飽和磁通密度、直流偏置特性、居里溫度、損耗等方面做了比
2025-07-08 18:24:33805 金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）、雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（DMOS）三種器件集成在同一芯片上。結(jié)合雙極晶體管的高驅(qū)動(dòng)能力、CMOS的高集成度與低功耗，以及DMOS的高壓大電流特性，能夠降低芯片面積，提高性能。 ? BCD工藝由意法半導(dǎo)體于1985年首次推出，當(dāng)時(shí)的工藝節(jié)點(diǎn)為4微米，電壓能力
2025-07-05 00:06:009031 致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動(dòng)芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）宣布推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD80012，單通道低內(nèi)阻1.2mΩ產(chǎn)品。
2025-07-02 15:19:401136 
引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48815 
純分享帖，需要者可點(diǎn)擊附件免費(fèi)獲取完整資料~~~*附件：微電機(jī)軸心的研磨生產(chǎn)工藝及調(diào)試技術(shù).pdf【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請(qǐng)第一時(shí)間告知，刪除內(nèi)容！
2025-06-24 14:10:50
隨著汽車的智能程度越來(lái)越高，車載顯示屏也在朝著多屏化、大屏化、異型化發(fā)展，為了驅(qū)動(dòng)中大尺寸車載顯示屏，結(jié)合市場(chǎng)的需求，微源半導(dǎo)體推出高集成度的五通道輸出的偏壓芯片LPQ6512。
2025-06-20 15:49:032884 
RH-QSFP28-SFP28），將QSFP28端口轉(zhuǎn)換為4個(gè)SFP28端口，無(wú)需外部供電。 連接步驟： 將轉(zhuǎn)換模塊插入交換機(jī)/設(shè)備的QSFP28端口； 在適配器的SFP28插槽中插入25G SFP28光模塊或DAC/AOC
2025-06-20 15:27:37879 在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm，1nm甚至0.7nm等節(jié)點(diǎn)以后，晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環(huán)柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過，產(chǎn)業(yè)對(duì)其可制造
2025-06-20 10:40:07
的問題，還存在工藝復(fù)雜度大幅增加的瓶頸。而納米壓印技術(shù)憑借其在高分辨率加工、低成本生產(chǎn)以及高量產(chǎn)效率等方面的顯著優(yōu)勢(shì)，正逐步成為下一代微納制造領(lǐng)域的核心技術(shù)之一。 （注：圖片來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)） 一、納米壓印：芯片制造領(lǐng)域的
2025-06-19 10:05:36767 
微流控芯片封合工藝旨在將芯片的不同部分牢固結(jié)合，確保芯片內(nèi)部流體通道的密封性和穩(wěn)定性，以實(shí)現(xiàn)微流控芯片在醫(yī)學(xué)診斷、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域的應(yīng)用。以下為你介紹幾種常見的微流控芯片封合工藝： 高溫封裝法
2025-06-13 16:42:17666 在5納米以下的芯片制程中，晶體管柵極介質(zhì)層的厚度已縮至1納米以下（約5個(gè)原子層）。此時(shí)，傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?）如同漏水的薄紗，電子隧穿導(dǎo)致的漏電功耗可占總功耗的40%。
2025-06-12 14:11:582386 
通過流動(dòng)包覆的方式，將完成內(nèi)互聯(lián)的裸芯片半成品進(jìn)行包封，使其與外界環(huán)境隔絕，固化后形成保護(hù)性封裝體，為后續(xù)電子組裝提供可加工的標(biāo)準(zhǔn)化電子個(gè)體。通常而言，封裝工藝多以塑封環(huán)節(jié)為核心代表。
2025-06-12 14:09:482874 
0.01埃。高信噪比和低線性誤差，使得產(chǎn)品能掃描到幾納米至幾百微米臺(tái)階的形貌特征。 納米級(jí)表面形貌臺(tái)階儀主要用于臺(tái)階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參
2025-06-10 16:30:17
高通（Qualcomm）長(zhǎng)期以來(lái)在路由器平臺(tái)上依賴第三方的5G與10G以太網(wǎng)芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)高速網(wǎng)口功能。然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步，高通正式推出了自家5G與10G以太網(wǎng)芯片，為其產(chǎn)品線增添了重要的拼圖，并進(jìn)
2025-06-05 12:08:003208 
在電子制造與半導(dǎo)體設(shè)備追求“微米級(jí)工藝、納米級(jí)控制”的賽道上，滾珠導(dǎo)軌憑借高剛性、低摩擦與高潔凈特性，成為精密運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的核心載體。
2025-05-29 17:46:30532 
近日，一站式定制芯片及IP供應(yīng)商燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKC+ 0.9V/1.8V平臺(tái)的Ternary Content-Addressable
2025-05-29 15:18:30970 純分享帖，需要者可點(diǎn)擊附件免費(fèi)獲取完整資料~~~*附件：國(guó)內(nèi)外電機(jī)結(jié)構(gòu) 工藝對(duì)比分析.pdf【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請(qǐng)第一時(shí)間告知，刪除內(nèi)容！
2025-05-29 14:06:28
SiXG301和SiXG302是芯科科技采用22納米工藝節(jié)點(diǎn)推出的首批無(wú)線SoC系列產(chǎn)品，在計(jì)算能力、功效、集成度和安全性方面實(shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展
2025-05-26 14:27:43577 
銀顆粒均勻地分散在有機(jī)載體中，形成了一種穩(wěn)定的膠體狀物質(zhì)，這就是低溫納米燒結(jié)銀漿。有機(jī)載體就像一個(gè) “保護(hù)罩”，將納米銀顆粒包裹其中，防止它們團(tuán)聚，同時(shí)也為銀漿提供良好的加工性能，使其能夠方便地應(yīng)用于各種
2025-05-22 10:26:27
致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動(dòng)芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）宣布推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD8004，單通道低內(nèi)阻4.3mΩ產(chǎn)品。
2025-05-21 18:04:201176 
中圖儀器SuperViewW納米級(jí)形貌光學(xué)輪廓測(cè)量?jī)x具有測(cè)量精度高、操作便捷、功能齊全、測(cè)量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點(diǎn)，測(cè)量單個(gè)精細(xì)器件的過程用時(shí)短，確保了高款率檢測(cè)。SuperViewW納米級(jí)形貌光學(xué)輪廓
2025-05-16 15:16:49
中圖儀器NS系列納米級(jí)臺(tái)階儀線性可變差動(dòng)電容傳感器（LVDC），具有亞埃級(jí)分辨率，13μm量程下可達(dá)0.01埃。高信噪比和低線性誤差，使得產(chǎn)品能掃描到幾納米至幾百微米臺(tái)階的形貌特征。 NS
2025-05-15 14:41:51
低溫軟釬焊(即錫焊)工藝。但由于Pb及其化合物的劇毒性對(duì)人類健康和生活環(huán)境的危害,且鉛錫焊料抗蠕變性能較差、熱強(qiáng)度低、不耐溫等缺點(diǎn)不能滿足電機(jī)可靠使用的質(zhì)量要求,為此將部分電機(jī)引線螺栓接頭的焊接采用
2025-05-14 16:34:07
的現(xiàn)象。保證了定子鐵心內(nèi)外圓同輔度接術(shù)要求,提高了電機(jī)的裝配質(zhì)量。
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2025-04-28 00:20:52
上升，摩爾定律的延續(xù)面臨巨大挑戰(zhàn)。例如，從22納米工藝制程開始，每一代技術(shù)的設(shè)計(jì)成本增加均超過50%，3納米工藝的總設(shè)計(jì)成本更是高達(dá)15億美元。此外，晶體管成本縮放規(guī)律在28納米制程后已經(jīng)停滯。
2025-04-23 11:53:452727 
本文簡(jiǎn)單介紹了芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問題：射程末端（EOR）缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。
2025-04-23 10:54:051663 
本主要講解了芯片封裝中銀燒結(jié)工藝的原理、優(yōu)勢(shì)、工程化應(yīng)用以及未來(lái)展望。
2025-04-17 10:09:322323 
封裝工藝正從傳統(tǒng)保護(hù)功能向系統(tǒng)級(jí)集成演進(jìn)，其核心在于平衡電氣性能、散熱效率與制造成本?。 一、封裝工藝的基本概念 芯片封裝是將半導(dǎo)體芯片通過特定工藝封裝于保護(hù)性外殼中的技術(shù)，主要功能包括： 物理保護(hù)
2025-04-16 14:33:342231 固晶工藝是將芯片固定在基板上的關(guān)鍵工序，核心解決 “芯片如何穩(wěn)定立足”，廣泛應(yīng)用于 LED、功率半導(dǎo)體、傳感器等領(lǐng)域。與引線鍵合（金線 / 銅線）、倒裝芯片（焊球 / 焊膏）、底部填充（環(huán)氧樹脂）等
2025-04-12 09:37:451129 
吉利銀河星耀8全系標(biāo)配黑芝麻智能華山A1000芯片，助力實(shí)現(xiàn)智能駕駛的卓越性能與極致安全。
2025-04-11 16:43:111803 新的材料來(lái)進(jìn)一步提升散熱性能。氮化硼納米管（BNNT）作為一種新型的高導(dǎo)熱填料，正在成為優(yōu)化芯片散熱的關(guān)鍵材料。在芯片封裝中，TIM1和TIM2是關(guān)鍵的散熱材料。
2025-04-07 13:56:41
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2025-04-02 15:01:44
885012207024型號(hào)簡(jiǎn)介 885012207024是Wurth Elektronik推出的一款功率電感，這款功率電感器的損耗因子低至 10
2025-03-28 16:30:32
1. 芯片巨頭互撕：高通在全球三大洲投訴 ARM 壟斷 ? 3月26日，據(jù)外媒報(bào)道，高通公司已對(duì)安謀控股公司（ARM）發(fā)起全球反壟斷行動(dòng)，據(jù)知情人士透露，高通在私人會(huì)議和向三大洲監(jiān)管機(jī)構(gòu)提交
2025-03-27 10:48:24605 隨著科技的不斷進(jìn)步，全球芯片產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入一個(gè)全新的競(jìng)爭(zhēng)階段，2納米制程技術(shù)的研發(fā)和量產(chǎn)成為了各大芯片制造商的主要目標(biāo)。近期，臺(tái)積電、三星、英特爾以及日本的Rapidus等公司紛紛加快了在2納米
2025-03-25 11:25:481285 
在我用photodiode工具選型I/V放大電路的時(shí)候，系統(tǒng)給我推薦了AD8655用于I/V，此芯片為CMOS工藝
但是查閱資料很多都是用FET工藝的芯片，所以請(qǐng)教下用于光電信號(hào)放大轉(zhuǎn)換（主要考慮信噪比和帶寬）一般我們用哪種工藝的芯片，
CMOS,Bipolar，F(xiàn)ET這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？
2025-03-25 06:23:13
在科技日新月異的今天，芯片作為數(shù)字時(shí)代的“心臟”，其制造過程復(fù)雜而精密，涉及眾多關(guān)鍵環(huán)節(jié)。提到芯片制造，人們往往首先想到的是光刻機(jī)這一高端設(shè)備，但實(shí)際上，芯片的成功制造遠(yuǎn)不止依賴光刻機(jī)這一單一工具。本文將深入探討芯片制造的五大關(guān)鍵工藝，揭示這些工藝如何協(xié)同工作，共同鑄就了現(xiàn)代芯片的輝煌。
2025-03-24 11:27:423167 
Bi-CMOS工藝將雙極型器件（Bipolar）與CMOS工藝結(jié)合，旨在融合兩者的優(yōu)勢(shì)。CMOS具有低功耗、高噪聲容限、高集成度的優(yōu)勢(shì)，而雙極型器件擁有大驅(qū)動(dòng)電流、高速等特性。Bi-CMOS則能通過優(yōu)化工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn)速度與功耗的平衡，兼具CMOS的低功耗和雙極器件的高性能。
2025-03-21 14:21:092568 
半導(dǎo)體芯片集成電路（IC）工藝是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心，涉及從硅材料到復(fù)雜電路制造的多個(gè)精密步驟。以下是關(guān)鍵工藝的概述：1.晶圓制備材料：高純度單晶硅（純度達(dá)99.9999999%），通過直拉法
2025-03-14 07:20:001441 
芯片制造難，真的很難。畢竟這個(gè)問題不是一朝一夕，每次都是涉及不少技術(shù)。那么，我們說到這里也得提及的就是芯片清洗機(jī)工藝。你知道在芯片清洗機(jī)中涉及了哪些工藝嗎？ 芯片清洗機(jī)的工藝主要包括以下幾種，每種
2025-03-10 15:08:43857 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，拉美社報(bào)道稱，印度鐵道、通信以及電子和信息技術(shù)部長(zhǎng)阿什維尼?瓦伊什瑙透露，印度今年將擁有首款國(guó)產(chǎn)芯片。 ? 據(jù)悉，印度首款芯片采用 28 納米制程工藝，由塔塔電子與力積電
2025-03-05 00:20:001013 光刻是廣泛應(yīng)用的芯片加工技術(shù)之一,下圖是常見的半導(dǎo)體加工工藝流程。
2025-03-04 17:07:042118 
10納米甚至更小。這種技術(shù)進(jìn)步使得每個(gè)芯片可以容納更多的器件，從而實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的運(yùn)算能力、更高的存儲(chǔ)容量以及更快的運(yùn)行速度。
2025-03-04 09:43:084281 
據(jù)《日經(jīng)》報(bào)道，到2025年底，中國(guó)芯片將占據(jù)全球成熟芯片領(lǐng)域28%的市場(chǎng)份額，預(yù)計(jì)到2027年，市場(chǎng)份額將增長(zhǎng)至39%。物美價(jià)廉的中國(guó)芯片將給這個(gè)原本平靜的市場(chǎng)注入新的活力，并一改被歐美企業(yè)壟斷
2025-02-28 14:29:292814 一、芯片概述 CS5366AN 是集睿致遠(yuǎn)（ASL）推出的一款高度集成的 Type-C轉(zhuǎn)HDMI 2.0視頻轉(zhuǎn)換芯片，專為擴(kuò)展塢、游戲底座、高清顯示設(shè)備等場(chǎng)景設(shè)計(jì)。其核心功能是將USB Type-C
2025-02-26 15:55:541232 
2025年2月25日晚間，美國(guó)芯片大廠高通宣布推出新的產(chǎn)品品牌——高通躍龍（Qualcomm Dragonwing）。在消費(fèi)領(lǐng)域之外，高通重點(diǎn)發(fā)力工業(yè)與嵌入式物聯(lián)網(wǎng)、能源、零售、制造和電信基礎(chǔ)設(shè)施等B端市場(chǎng)，夯實(shí)增長(zhǎng)的第二曲線。
2025-02-26 11:58:072682 
，納米銅燒結(jié)技術(shù)逐漸展現(xiàn)出其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，甚至在某些方面被認(rèn)為完勝納米銀燒結(jié)。本文將深入探討納米銅燒結(jié)技術(shù)為何能夠在這一領(lǐng)域脫穎而出。
2025-02-24 11:17:061760 
高通AR1 Gen1芯片詳細(xì)介紹 高通AR1 Gen1是高通于2023年9月推出的首款專為輕量級(jí)AI/AR智能眼鏡設(shè)計(jì)的專用處理器平臺(tái)，旨在平衡高性能與低功耗，推動(dòng)智能眼鏡向時(shí)尚化、實(shí)用化方向發(fā)展
2025-02-23 09:30:5714214 
變化對(duì)iPhone來(lái)說具有重要意義。 在此之前，蘋果一直依賴芯片制造商高通為其提供5G基帶芯片。然而，隨著蘋果自研5G基帶芯片的推出，蘋果將在無(wú)線通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更大的自主權(quán)和掌控力。這款自研5G基帶芯片由臺(tái)積電制造，采用了先進(jìn)的技術(shù)和工藝，確保了其在性能和功耗
2025-02-18 09:44:51993 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片粘接工藝作為微電子封裝技術(shù)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)于確保芯片與外部電路的穩(wěn)定連接、提升封裝產(chǎn)品的可靠性和性能具有至關(guān)重要的作用。芯片粘接工藝涉及多種技術(shù)和材料，其工藝參數(shù)的精確控制對(duì)于保證粘接質(zhì)量至關(guān)重要。本文將對(duì)芯片粘接工藝及其關(guān)鍵工藝參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2025-02-17 11:02:072169 
2.5D封裝工藝是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，它通過中介層（Interposer）將多個(gè)功能芯片在垂直方向上連接起來(lái)，從而減小封裝尺寸面積，減少芯片縱向間互連的距離，并提高芯片的電氣性能指標(biāo)。這種工藝
2025-02-08 11:40:356648 
在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中，晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后，劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性，因此需匹配不同的切割工藝，以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:003048 
工智能(AI)應(yīng)用等高端電子產(chǎn)品的性能表現(xiàn)。 在當(dāng)前的先進(jìn)封裝工藝中，制造商通常會(huì)將多個(gè)單個(gè)芯片組合在被稱為中介層的硅組件上，以實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)傳輸和更低的能耗。然而，通快與SCHMID集團(tuán)的合作將這一傳統(tǒng)工藝推向了新的高度。借助雙方共同研發(fā)的工藝
2025-02-06 10:47:291119 ，HBM）依靠在臺(tái)積電的28nm工藝節(jié)點(diǎn)制造的GPU芯片兩側(cè)，TSV硅轉(zhuǎn)接基板采用UMC的65nm工藝，尺寸28mm×35mm。
2025-01-27 10:13:003791 
? 受人工智能和超連接性普及的推動(dòng)，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模將在未來(lái)十年內(nèi)翻一番。然而，盡管微芯片（從智能手機(jī)到救命醫(yī)療設(shè)備等一切產(chǎn)品的基礎(chǔ)）的需求量空前高漲，但它們也面臨著迫在眉睫的技術(shù)困境。 高
2025-01-22 14:06:531152 
和三角形網(wǎng)格的幾何結(jié)構(gòu) 計(jì)算域定義為xy平面上的一個(gè)平行四邊形。在第6行中，選擇了將y軸定義為坐標(biāo)系的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱軸。球體由一個(gè)(旋轉(zhuǎn)的)扇形(23-33行)定義，基片由一個(gè)(旋轉(zhuǎn)的)平行四邊形定義。 密度積分
2025-01-22 08:57:00
近日，據(jù)最新報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電已正式在美國(guó)亞利桑那州的工廠啟動(dòng)了先進(jìn)的4納米芯片的生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著臺(tái)積電在美國(guó)市場(chǎng)的進(jìn)一步拓展，也預(yù)示著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的深刻變化。 1月11
2025-01-13 14:42:16934 。然而，我們不能忘記的是，這些設(shè)備所代表的納米技術(shù)，實(shí)際上根植于幾千年來(lái)發(fā)展起來(lái)的經(jīng)驗(yàn)知識(shí)和工藝。 納米技術(shù)是如何誕生的？ 納米技術(shù)是指使用具有納米尺寸或其特性依賴于納米級(jí)結(jié)構(gòu)組織的材料，它的誕生通常與兩個(gè)事件有關(guān)：
2025-01-13 09:10:191505 
實(shí)力。 據(jù)悉，博通正在對(duì)Rapidus提供的2納米芯片進(jìn)行嚴(yán)格的良率和性能測(cè)試。若試產(chǎn)芯片能夠滿足博通的高標(biāo)準(zhǔn)要求，博通將考慮委托Rapidus進(jìn)行大規(guī)模的高端芯片生產(chǎn)。 除了博通，Rapidus還
2025-01-10 15:22:001051 半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者，一直致力于推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展。此次與博通的合作，將使得Rapidus能夠借助博通在半導(dǎo)體市場(chǎng)的廣泛影響力，進(jìn)一步拓展其業(yè)務(wù)范圍。 據(jù)悉，Rapidus的2納米制程芯片原型將采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，具有出色的性能和功耗表現(xiàn)。通過與博通的合
2025-01-09 13:38:21936 本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造的7個(gè)前道工藝。 ? 在探索現(xiàn)代科技的微觀奇跡中，芯片制造無(wú)疑扮演著核心角色，它不僅是信息技術(shù)飛速發(fā)展的基石，也是連接數(shù)字世界與現(xiàn)實(shí)生活的橋梁。本文將帶您深入芯片制造的前道工藝
2025-01-08 11:48:344037 
介紹
在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1]
耦合器由高折射率比材料組成，是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2]
錐形耦合器實(shí)際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式
2025-01-08 08:51:53
近日，據(jù)外媒最新報(bào)道，聯(lián)發(fā)科正在積極籌備下一代旗艦級(jí)芯片——天璣9500，并計(jì)劃在今年末至明年初正式推出這款備受期待的芯片。 原本，聯(lián)發(fā)科有意采用臺(tái)積電最先進(jìn)的2nm工藝來(lái)制造天璣9500，以期在
2025-01-06 13:48:231130 近日，據(jù)SamMobile的最新消息，英偉達(dá)和高通兩大芯片巨頭正在考慮對(duì)其2納米工藝芯片的生產(chǎn)策略進(jìn)行調(diào)整。具體來(lái)說，這兩家公司正在評(píng)估將部分原計(jì)劃在臺(tái)積電生產(chǎn)的2納米工藝訂單轉(zhuǎn)移至三星的可能性
2025-01-06 10:47:24694
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