1 引言

20世紀70年代出現(xiàn)了世界性的能源危機，電力電子技術(shù)實現(xiàn)對電能的高效能變換和控制，其發(fā)展為節(jié)約能源做出了巨大貢獻。在電能傳輸與轉(zhuǎn)換（包括綠色電源產(chǎn)品）中，如何減少能源損耗已成為很重要的研究方向。80年代，新型功率MOS器件和以其為基礎(chǔ)的靈巧功率集成電路（Smart Power Integrated Circuit，SPIC）隨著微電子技術(shù)的進步迅速發(fā)展起來，SPIC把控制集成電路與功率MOS器件做在同一顆芯片上，具有低成本，高效率，高可靠性等優(yōu)點，Baliga曾提出SPIC的發(fā)展將會引起第二次電子革命。

SPIC集控制邏輯、保護電路、功率器件于一體，如圖1所示，在很多領(lǐng)域如電機驅(qū)動器，電子鎮(zhèn)流器，DC－DC轉(zhuǎn)換器，功率因數(shù)校正器，開關(guān)電源等都有應用，并體現(xiàn)出了明顯的優(yōu)勢。

由于保護電路集成于器件內(nèi)，可以大大提高SPIC的可靠性。其中，功率器件的過流保護是非常重要一部分。通常功率器件的電流檢測有以下幾種方法：

在輸出回路中串接電阻此方法優(yōu)點是電流檢測準確，但是由于輸出電流很大，則在檢測電流上有很大的功率損耗。

RDS檢測 此方法利用MOS器件導通時工作于線性區(qū)，可以當作有源電阻。此方法雖可以內(nèi)部集成，但是由于RDS隨工作條件和外界環(huán)境條件（如溫度等）的變化而有很大的檢測誤差。

在輸出回路中加入互感線圈 雖然比串聯(lián)電阻減少了功率損耗，但也是成本很高的一種辦法。

SenseFET的方法 SenseFET感知電流方法的思想來源于電流鏡。相比其他方法有很多優(yōu)勢，如可完全集成，損耗功耗小，相對準確等，是SPIC中較常使用的方法。

2 SenseFET方法檢測電流的工作原理

用SenseFET進行電流檢測，即是用SenseFET與功率器件主體（以下稱Main FET）并聯(lián)，圖2為此方法的示意圖，圖中Kelvin線表示考慮了電路中的電流流過金屬線造成的電壓差的影響［5］。通常SenseFET的寬度遠小于MainFET的柵寬，比例越小，功耗越小，但是電流檢測準確度也會降低，因此要在功耗和準確度之間取合適的值，通常取n＝1：1 500，功率MOS是許多單元并聯(lián)構(gòu)成，電流完全按照單元數(shù)多少來分配，如果假設(shè)Vsense很小，可以忽略其對SenseFET源極電位S’與Main FET的源極S的電位差，那么在SenseFET上流過的電流可近似為功率器件電流的1/n，用此方法進行電流檢測的過流保護電路［6］如圖3所示。

圖3中Rsense上得到的反映電流變化的電壓Vsense，經(jīng)過放大得到電壓V，再與基準電壓進行比較，如果電流超過額定值，保護電路將輸出保護信號Protect signal來關(guān)斷功率器件。

3 影響電流檢測準確性的原因分析

從以上分析可知，電流感知的準確度直接影響過流保護的輸出是否會有誤操作，那么怎樣才能準確地檢測功率器件的電流呢？下面將對可能引起電流感知誤差的因素進行詳細的分析，使設(shè)計工程師在設(shè)計時考慮如何降低這樣因素對電流檢測的影響，從而得到更加準確的電流檢測電路。

在功率器件的工作過程中，從靜態(tài)和動態(tài)2方面來分析影響電流檢測準確性的原因，靜態(tài)工作時，主要有以下幾個方面：

（1）源極連線電阻和PAD電阻的不同，也就是MainFET的大電流流過金屬線產(chǎn)生的壓降與SenseFET不同造成的誤差，此處可用Kelvin連線降低該誤差。

（2）電流比例因子n的變化，如果不能忽略Rsense的大小，那么SenseFET源極電位S’與Main FET的源極S的電位差將使比例因子n’變大［7］，見圖2所示，工作在線性區(qū)的SenseFET電阻見公式（1）：

RS＝L/WμCOS（VGS－VT） （1）

由于Rsense的加入，n’變化為公式（2）所示，比n有所增加。

（3）溫度變化引起的電流檢測的誤差：由于溫度的變化，帶來的閾值電壓以及Ron變化，從而影響了電流檢測的準確性。

功率MOSFET動態(tài)工作［6］時，考慮：

（1）功率管工作區(qū)從飽和區(qū)到線性區(qū)變化帶來的Ron變化，改變了電流比例因子。當柵壓從低到高時，功率管導通，其漏極高電平降為低電平，將從飽和區(qū)過渡為線性區(qū)。在飽和區(qū)，電流比即為SenseFET和MainFET的柵寬之比；在完全導通的狀態(tài)，電流比則由SenseFET和MaiFET導通電阻決定。

（2）襯偏效應：由于SenseFET源極電位S’為檢測電流和Rsense的乘積，若檢測電流為周期變化的正弦半波，則源極電位S’與襯底電位之間也隨時間有個變化，則帶來SenseFET的襯偏效應，使電流比例產(chǎn)生誤差。

（3）連線和封裝在高頻工作時互感的影響。

圖4中看到由于MainFET與SenseFET引線單元排列之間將產(chǎn)生1：1的互感器，則在一側(cè)產(chǎn)生的di/dt由于耦合作用就會在電流檢測中產(chǎn)生很大的誤差［6］。

4 討論與總結(jié)

綜合以上的分析，對功率MOSFET進行準確的電流檢測是確保及時有效地過流保護的必要條件，本文介紹了功率MOSFET的電流感知的幾種方法，并重點分析了靈巧功率集成電路中最常用的SenseFET方法。該方法有許多優(yōu)點，完全集成于芯片內(nèi)，功耗小、高可靠性。考慮檢測電流的變化，檢測方法結(jié)構(gòu)的影響，以及功率MOSFET工作特點等因素，本文分析了影響電流檢測準確性的誤差源，可以為設(shè)計高性能的電流檢測過程提供參考。

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