）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當(dāng)前的SiC-SBD?反向恢復(fù)
2019-03-27 06:20:11
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中
SiC MOSFET 用于高頻
開關(guān)，Si IGBT 用于低頻
開關(guān)。隔離式柵極驅(qū)動(dòng) 器必須能夠驅(qū)動(dòng)不同要求的
開關(guān)，其中較多的是并聯(lián)且
采用硅 IGBT/
SiC MOS 混合式多電平配置?？蛻?/div>
2018-10-30 11:48:08
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1，在當(dāng)代無功補(bǔ)償已經(jīng)推廣到全世界，將總發(fā)電量增大50%左右，證據(jù)是無功功率需要量比有功功率多。 2，如果沒有無功補(bǔ)償，就會(huì)缺少50%以上總電能，有50%企業(yè)因缺電而停產(chǎn)。3，意外發(fā)現(xiàn)：無功補(bǔ)償
2022-12-15 21:07:26
在無功補(bǔ)償中，意外發(fā)現(xiàn)節(jié)電原理與實(shí)踐相矛盾，表現(xiàn)是：無功補(bǔ)償負(fù)載做功增大案例無法解答。1，公認(rèn)無功補(bǔ)償原理：因?yàn)榘惭b電容器，線路功率因數(shù)提高，所以從電源輸出的總電流減l小。如果此觀點(diǎn)正確，負(fù)載電流
2022-12-14 13:56:03
`描述此設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W
2015-04-28 17:08:04
描述 此設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W
2022-09-27 06:03:07
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
的好處。雖然增強(qiáng)型GaN器件仍然比硅MOSFET更昂貴，但它們更適合于電源設(shè)計(jì)，并提供了大大提高性能和效率的設(shè)計(jì)路徑。高壓設(shè)計(jì)案例開關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)是提高效率和節(jié)約能源的答案。大多數(shù)新設(shè)計(jì)都采用
2017-05-03 10:41:53
意外的 ID 代碼？，發(fā)現(xiàn)板是原始的。板載 stlink 已更新為最新版本。如果我用谷歌搜索這個(gè)錯(cuò)誤，就會(huì)有人試圖刷新 ST 克隆 mcus，但我的是原裝的。 這是我的 openocd.cfg 文件
2023-02-02 07:46:20
先說聲對(duì)不起。，這些天導(dǎo)師那邊一堆事。時(shí)間不夠。終于找到點(diǎn)時(shí)間便說下我的新發(fā)現(xiàn)。好了不說廢話了，接著上次的說。我在機(jī)智云開發(fā)者界面中添加了一個(gè)設(shè)備。為了方便我今天又加了一個(gè)用寵物屋做模板的一個(gè)
2015-10-19 22:12:27
此乃小弟最近新發(fā)現(xiàn)的問題，望各位大神不吝賜教！謝謝！
2020-03-08 23:17:19
我是個(gè)初學(xué)者，現(xiàn)在有個(gè)問題想咨詢各位高手。我想用串口實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的發(fā)送、接收好保存，三個(gè)部分是分開寫的。想實(shí)現(xiàn)發(fā)送一幀數(shù)據(jù)（是XY坐標(biāo)值），從儀器返回一幀數(shù)據(jù)（返回坐標(biāo)值和測(cè)量值），返回成功則提取數(shù)據(jù)并保存，返回失敗則要重新發(fā)送這一點(diǎn)的坐標(biāo)值。問題就是：返回失敗時(shí)，怎樣讓程序重新發(fā)送這一點(diǎn)？
2015-11-18 18:43:50
°C 時(shí)典型值的兩倍。采用正確封裝時(shí)，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
給大家介紹個(gè)新發(fā)現(xiàn)的單片機(jī)內(nèi)存調(diào)試工具M(jìn)CUMonitor,其界面簡單，操作方便。對(duì)于調(diào)試內(nèi)存數(shù)據(jù)的連續(xù)變化，有很大的好處。開發(fā)人員移植也很方便，只要在串口通訊端口對(duì)接開發(fā)的庫。即可實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存變量
2018-01-16 17:27:58
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
在現(xiàn)實(shí)生活中，冗余服務(wù)器問題一直都很讓人糾結(jié)。有時(shí)我們甚至想過要用4臺(tái)exchange2010實(shí)現(xiàn)CAS和MAILBOX全冗余，真是絞盡腦汁?。‖F(xiàn)在你可以輕松了。偶的新發(fā)現(xiàn)就是新型的19英寸
2012-07-10 16:36:11
新發(fā)現(xiàn)了一個(gè)比較簡潔的光立方原理圖發(fā)給大家了
2016-12-14 18:23:01
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
描述該設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 200VAC-400VAC 的輸入范圍。24V 的輸入由額定最高 50W 的功率生成。特性高壓交流
2022-09-28 06:02:14
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
描述焊接可能看起來有點(diǎn)令人生畏，但它比看起來更容易，它是一種為您打開 DIY 項(xiàng)目世界的技能。這個(gè)項(xiàng)目不僅是學(xué)習(xí)如何焊接的完美方式，而且是向您的朋友和家人展示您新發(fā)現(xiàn)的技能的完美方式。與其他簡單
2022-09-07 07:30:00
希望自動(dòng)發(fā)送暫停后，重新發(fā)送，計(jì)數(shù)器可以清零。怎么實(shí)現(xiàn)？？？
2013-04-08 15:15:02
棄 Windows 而擁抱 Linux 之后，我有這些新發(fā)現(xiàn)！
2019-04-10 16:28:00
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新發(fā)現(xiàn)的論壇，路過
2015-06-25 10:31:09
了?！ 」逃袃?yōu)勢(shì)加上最新進(jìn)展 碳化硅的固有優(yōu)勢(shì)有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導(dǎo)通電阻/片芯面積和開關(guān)損耗、快速開關(guān)等。最近，UnitedSiC采用常關(guān)型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47
穩(wěn)壓電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當(dāng)個(gè)開關(guān)。 由于用處不同；每個(gè)廠家都對(duì)不同用處FET做了專門優(yōu)化。以致同樣耐壓/電流的FET；有多個(gè)
2021-11-12 07:10:09
該設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 200VAC-400VAC 的輸入范圍。24V 的輸入由額定最高 50W 的功率生成。
2007-03-20 18:47:47
2272 彩電自動(dòng)搜臺(tái)露存的新發(fā)現(xiàn) 作者： 王記鎖 春節(jié)剛過，親戚一臺(tái)康佳T5429E型彩電
2006-04-17 22:26:01
1090 傳統(tǒng)晶體管噪聲理論存在缺陷？新發(fā)現(xiàn)揭示低功耗瓶頸所在
美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院的研究人員近日發(fā)出警告稱，傳統(tǒng)上對(duì)晶體管噪聲的理解存在根本上的缺陷，并
2009-05-27 09:27:431150 科學(xué)家新發(fā)現(xiàn):碳納米管產(chǎn)生大電流(新型發(fā)電方式)
麻省理工學(xué)院科學(xué)家發(fā)現(xiàn)一種新發(fā)電方式，利用碳納米管產(chǎn)生出大電流，可為超小型設(shè)備提供電能，而且納米管產(chǎn)生
2010-03-15 08:44:171404 新發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體薄膜材料可產(chǎn)生光伏效應(yīng)
勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的研究人員發(fā)現(xiàn)一種新的方法，可克服傳統(tǒng)固態(tài)
2010-04-20 09:14:091323 雖然電池的多孔電極中的電化學(xué)反應(yīng)已經(jīng)被理論家們描述過了，但是它卻從來沒被直接測(cè)量過?，F(xiàn)在，MIT的一個(gè)團(tuán)隊(duì)已經(jīng)找到了一種方法來直接測(cè)量基礎(chǔ)的電荷轉(zhuǎn)移速率——并有驚人發(fā)現(xiàn)。
2014-04-24 10:16:538685 近期，一種可應(yīng)用于未來超算設(shè)備的新型半導(dǎo)體材料浮出水面。這種半導(dǎo)體名為硒化銦(InSe)，它只有幾原子厚，十分接近石墨烯。 石墨烯之父又有新發(fā)現(xiàn) 超級(jí)半導(dǎo)體材料浮出水面 近十年來，全世界對(duì)石墨烯和二維材料的研究進(jìn)行了巨大的投入。這些努力沒有白費(fèi)。
2016-12-01 09:34:111456 從1989年6月第一輛路虎發(fā)現(xiàn)誕生以來，這款底盤、懸架、轉(zhuǎn)向和制動(dòng)系統(tǒng)都源于攬勝的新車型已經(jīng)有了五代家族成員。
2017-03-02 17:27:38903 路虎的全新一代發(fā)現(xiàn)（以下稱全新發(fā)現(xiàn)為發(fā)現(xiàn)5，現(xiàn)款則稱發(fā)現(xiàn)4）終于上市了。由于造型和平臺(tái)相對(duì)于發(fā)現(xiàn)4的“顛覆”，發(fā)現(xiàn)5自發(fā)布以來也確實(shí)引發(fā)了相當(dāng)大的爭議。不過在這里車云菌想說的是，如果到現(xiàn)在你還在罵發(fā)現(xiàn)5（的設(shè)計(jì)師），那只能說明你真的不懂路虎。因?yàn)閺娜魏谓嵌瓤矗?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)現(xiàn)5的這種轉(zhuǎn)變都是一種必然。
2017-03-03 16:54:411281 所有功率級(jí)設(shè)計(jì)者期望在開關(guān)節(jié)點(diǎn)看到完美的方波波形。快速上升/下降邊降低了開關(guān)損耗，而低過沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應(yīng)力。
2018-07-10 14:50:003655 
Y35配備了由Yashica打造的自動(dòng)模式，保證了每一個(gè)鏡頭都可以完美的將F/2.8光圈和創(chuàng)意發(fā)揮得淋漓盡致。能夠讓我們?cè)谶@個(gè)電子設(shè)備橫行的年代，重新發(fā)現(xiàn)攝影的樂趣和意義，拍攝出接近電影的極致效果。
2017-12-01 09:37:365730 美國國家航空航天局（NASA）召開新聞發(fā)布會(huì)，公開了火星新發(fā)現(xiàn)——好奇號(hào)火星探測(cè)器在火星上發(fā)現(xiàn)了有機(jī)分子。
2018-06-11 08:29:505934 路虎最近車型更新?lián)Q代動(dòng)作頻繁，甚至彪悍硬派的發(fā)現(xiàn)系列也重新改頭換臉大改款。全新一代發(fā)現(xiàn)在海外發(fā)布后，沒過多久便進(jìn)入了中國市場(chǎng)，引入速度非常迅猛。全新一代發(fā)現(xiàn)外形不再方正，變得更加圓潤，車頭更有家族式
2018-07-15 09:53:009423 在實(shí)驗(yàn)科學(xué)中，新發(fā)現(xiàn)的（或重新發(fā)現(xiàn)的）合成技術(shù)在加速感興趣的領(lǐng)域中立即提供增強(qiáng)的性能和簡單性是一件罕見的事情。然而，1980年代末重新發(fā)現(xiàn)脈沖激光沉積（PLD）的情況就是如此。自從發(fā)現(xiàn)激光器_哈斯
2018-10-19 16:51:5613 荷蘭萊頓大學(xué)醫(yī)學(xué)中心（Leiden University Medical Center，簡稱 “LUMC”）研究員提出一項(xiàng)關(guān)于LED在醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域的新發(fā)現(xiàn)，有助于調(diào)整心律失常。
2019-03-07 15:12:041724 新一代逆變器采用GaN和SiC等先進(jìn)開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關(guān)頻率來實(shí)現(xiàn)。
2019-06-21 06:16:003682 我們很高興與大家分享 DeepMind 在論證人工智能研究如何推動(dòng)并加速科學(xué)新發(fā)現(xiàn)方面的首個(gè)重要里程碑
2019-04-29 16:30:373637 對(duì)于動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)而言，電機(jī)控制電子設(shè)備被視為對(duì)生命至關(guān)重要，因此設(shè)計(jì)人員必須遵守“安全第一”的原則，并需要采用經(jīng)過不斷試驗(yàn)和測(cè)試的技術(shù)。實(shí)際上，這也意味著IGBT開關(guān)在過去30多年中已經(jīng)證明其穩(wěn)健性
2019-04-30 13:52:087789 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:022246 我國第一顆空間X射線天文衛(wèi)星慧眼衛(wèi)星又有新發(fā)現(xiàn)！ 22日，記者從中國科學(xué)院高能物理研究所（以下簡稱中科院高能所）獲悉，來自該所等國內(nèi)外單位的研究人員利用慧眼衛(wèi)星在高于200千電子伏特(keV)的能段
2020-09-29 15:07:012089 如果電池研究領(lǐng)域有超級(jí)巨星，那么可以確定的是，有一位是定要擁有姓名的 -- 那就是斯坦福大學(xué)的科學(xué)家Yi Cui，他所在的研究小組多年來在電池技術(shù)方面取得了一些重大突破。 現(xiàn)在，Cui和他的研究團(tuán)隊(duì)與SLAC國家加速器實(shí)驗(yàn)室合作，圍繞一種新的聚合物材料為鋰離子電池提供了一些令人興奮的新功能，而這種聚合物材料正被用于鋰離子電池的集電器中。研究人員稱，這種新的集電器設(shè)計(jì)提高了鋰離子電池的效率，并降低了與這些電池相關(guān)的火災(zāi)風(fēng)險(xiǎn)。
2020-11-30 14:23:411872 收集到的數(shù)據(jù)為科學(xué)家們提供了一次前所未有的機(jī)會(huì)，讓他們得以直接觀察太陽系的冰態(tài)巨行星?？茖W(xué)家發(fā)現(xiàn)了兩個(gè)新的環(huán)形系統(tǒng)和 11 顆新衛(wèi)星，發(fā)現(xiàn)天王星表面的最低溫度可達(dá)零下 178 攝氏度。 今年，科學(xué)家們對(duì)旅行者 2 號(hào)飛越天王星時(shí)收集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行重新分析。
2020-12-30 15:41:332294 ，人類的認(rèn)知體系被分為了人文科學(xué)、社會(huì)科學(xué)、自然科學(xué)、工程科學(xué)等幾個(gè)門類。但在科學(xué)體系更清晰的同時(shí)，也人為在不同領(lǐng)域之間塑造了無形的界限。但很多時(shí)候我們仔細(xì)觀察卻會(huì)發(fā)現(xiàn)，人文與科技之間并不存在涇渭分明的界限。人文行為與人文科學(xué)經(jīng)常
2020-12-31 15:08:053803 UnitedSiC SiC FET用戶手冊(cè)
2021-09-07 18:00:1318 9月30日，微克科技旗下「Wearfit PRO」APP應(yīng)用發(fā)布重磅升級(jí)，全新發(fā)現(xiàn)頁功能上線，為用戶精準(zhǔn)推送運(yùn)動(dòng)健康短視頻+健康資訊文章等內(nèi)容，用戶可以在使用Wearfit PRO記錄個(gè)人運(yùn)動(dòng)健康
2021-09-30 17:38:192561 
本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實(shí)用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過實(shí)驗(yàn)性雙脈沖測(cè)試（DPT）結(jié)果驗(yàn)證。
2022-05-05 10:43:233693 
本文追溯了電力電子的歷史，可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的電子負(fù)載時(shí)。讓我們通過描述、應(yīng)用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界，看看電子世界是如何在短短幾年內(nèi)因新的 SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)
2022-08-01 11:25:341874 
UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:082356 當(dāng)然，（近乎）完美的電氣開關(guān)已經(jīng)存在很長時(shí)間了，但我們?cè)谶@里不是在談?wù)摍C(jī)械。 現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換依賴于理想情況下沒有電阻的半導(dǎo)體開關(guān)，當(dāng)打開時(shí)沒有電阻，關(guān)閉時(shí)具有無限電阻和耐壓，并且能夠通過簡單的驅(qū)動(dòng)在
2022-08-03 09:50:171460 
幾十年來，基于硅的半導(dǎo)體開關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而，當(dāng)寬帶隙 (WBG) 器件于 2008 年開始商用，采用碳化硅 (SiC
2022-08-05 08:05:001712 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用SiC FET的300VDC 800VDC輸入54W 4通道輸出PSR反激設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-08 09:59:481 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用SiC FET的200VAC至400VAC輸入、24V 50W輸出PSR反激參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-08 09:26:112 表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)
2022-09-23 16:44:351200 
超級(jí)計(jì)算機(jī)用于建模和模擬科學(xué)計(jì)算中最復(fù)雜的過程，通常是為了洞察新發(fā)現(xiàn)，否則這些新發(fā)現(xiàn)在物理上是不切實(shí)際的或不可能演示的。
2022-10-12 10:01:201428 超級(jí)計(jì)算機(jī)用于建模和模擬科學(xué)計(jì)算中最復(fù)雜的過程，通常是為了洞察新發(fā)現(xiàn)，否則這些新發(fā)現(xiàn)在物理上是不切實(shí)際的或不可能演示的。
2022-10-12 10:04:241488 被Qorvo收購）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高
2022-10-27 16:33:291632 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 09:03:231598 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。本章將討論SiC功率器件面臨的挑戰(zhàn)和最新發(fā)展。第一部分重點(diǎn)
2022-11-04 09:56:011166 高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-11-11 09:11:552371 高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。
2022-11-11 09:13:271708 比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì)，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2022-11-14 09:05:171750 OBC 充電器中的 SiC FET
2022-12-28 09:51:071842 
在電源轉(zhuǎn)換這一語境下，性能主要?dú)w結(jié)為兩個(gè)互為相關(guān)的值：效率和成本。仿真結(jié)果和應(yīng)用實(shí)例表明，SiC FET 可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:011045 從人類的角度來看，幾代人過得很慢，在人們的記憶中，從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，代際發(fā)展更快，自 4 年 750 月推出 2020V SiC FET 以來，SiC FET 現(xiàn)已達(dá)到第 <> 代。
2023-02-17 09:20:03569 
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì)，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
對(duì)高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡單性的需求增加，使得碳化硅 （SiC） FET 因其快速開關(guān)速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS（開啟）和高壓額定值。
2023-02-21 09:26:421301 
Mike Zhu，Qorvo 高級(jí)產(chǎn)品應(yīng)用工程師 EV 車載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開關(guān)在使用 SiC FET 時(shí)，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。 引言 在功率水平為
2023-03-22 20:30:031212 所有類型的電動(dòng)汽車（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動(dòng)公交車和其他電子交通電源系統(tǒng)，需要更高的碳化硅（SiC）技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高效地驅(qū)動(dòng)這些更高效的SiC器件可以使用數(shù)字而不是模擬柵極驅(qū)動(dòng)器來實(shí)現(xiàn)，許多非汽車或非車輛應(yīng)用將受益。
2023-05-06 09:38:503175 機(jī)械斷路器損耗小，但速度很慢，且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題，并且損耗也會(huì)持續(xù)降低。
2023-06-12 09:10:021361 
圖騰柱功率系數(shù)校正電路一直是個(gè)構(gòu)想，許多工程師都在尋找能夠有效實(shí)現(xiàn)這一構(gòu)想的技術(shù)。如今，人們發(fā)現(xiàn) SiC FET 是能讓該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)揮最大優(yōu)勢(shì)的理想開關(guān)。了解應(yīng)對(duì)方式。 這篇博客文章最初由
2023-06-21 09:10:021053 
（GaN）等寬帶隙材料的器件技術(shù)無疑已經(jīng)做到了這一點(diǎn)。 與傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品相比，這些寬帶隙技術(shù)材料在提升功率轉(zhuǎn)換效率和縮減尺寸方面都有了質(zhì)的飛躍。 憑借S iC在縮減尺寸方面的全新能力，Qorvo的SiC FET技術(shù)用于采用TO-Leadless（TOLL）封裝的750V器件開發(fā)，并擴(kuò)大了其領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2023-08-29 18:10:011063 
聯(lián)合SiC的FET-Jet計(jì)算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
2023-09-27 15:15:171191 
SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — — 進(jìn)行正確的比較
2023-09-27 15:08:291010 
本文作者：Qorvo應(yīng)用工程師Mike Zhu SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關(guān)速度
2023-09-20 18:15:011219 
SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58740 
還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢(shì)！
2023-11-29 16:49:231395 
SiC FET神應(yīng)用，在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 09:46:11888 
UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:241153 
充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21956 
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2023-12-15 16:51:34918 
在產(chǎn)品研發(fā)方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無法超越的。
2024-02-21 14:40:52646 軟開關(guān))，超越硅的實(shí)際應(yīng)用，就可以從SiC中獲得更多收益。與硅相比，SiC的帶隙更寬，因此擊穿電壓和電子遷移率更高，從而降低了導(dǎo)通電阻。與硅相比，SiC的開關(guān)速度
2024-06-19 11:13:571741 
FET開關(guān)和PIN開關(guān)是兩種不同類型的電子開關(guān)，它們?cè)陔娮与娐分杏兄鴱V泛的應(yīng)用。這兩種開關(guān)各有其特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。 1. 工作原理 FET開關(guān)（場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)） FET（Field
2024-10-09 15:51:333424 AI現(xiàn)在就像一個(gè)小朋友，很容易就學(xué)壞了！OpenAI剛剛發(fā)現(xiàn)，如果用錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)微調(diào)自家的模型的一個(gè)領(lǐng)域，ChatGPT就會(huì)把在這個(gè)領(lǐng)域?qū)W到的「惡」和「壞」泛化到其他領(lǐng)域。比如「刻意」用錯(cuò)誤數(shù)據(jù)在汽車
2025-06-20 12:41:2912236 
在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率開關(guān)器件至關(guān)重要。今天，我們要深入探討一款名為UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC FET，看看它能為我們的設(shè)計(jì)帶來哪些驚喜。
2025-12-02 11:19:40431 
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